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X-FAB現(xiàn)推出GaN-on-Si代工服務

XG035 dMode工藝將提供MPW、原型設計及量產(chǎn)服務
2025-09-04 14:50 來源:X-FAB 編輯:電源網(wǎng)

中國北京,2025年9月4日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,憑借其在高功率應用領域氮化鎵(GaN)加工技術方面的專業(yè)優(yōu)勢,X-FAB基于其XG035技術平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)代工服務。此舉進一步發(fā)揮和強化了X-FAB作為專業(yè)純晶圓代工企業(yè)的優(yōu)勢,現(xiàn)可提供涵蓋GaN及其它寬禁帶半導體材料(包括碳化硅(SiC))的全套加工技術,助力無晶圓廠半導體公司實現(xiàn)設計落地。

X-FAB德累斯頓廠制造的8英寸GaN-on-Si晶圓

X-FAB的GaN-on-Si技術由其位于德國德累斯頓的先進8英寸晶圓廠提供。該廠是X-FAB在全球運營的六大生產(chǎn)基地之一,擁有穩(wěn)定可靠、符合汽車行業(yè)認證標準的制造環(huán)境,且配備各類專業(yè)加工設備、測量工具和技術,并針對GaN的研發(fā)與生產(chǎn)進行了優(yōu)化,同時兼顧模擬CMOS工藝,能夠提供滿足汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、可再生能源、醫(yī)療等領域客戶所需的較厚GaN-on-Si晶圓。

得益于多年來在高壓GaN技術領域的深厚積累,繼近期發(fā)布開放XG035 dMode工藝平臺后,X-FAB如今已將內(nèi)部專業(yè)能力延伸至dMode器件GaN-on-Si代工服務。該工藝包含常用于功率轉(zhuǎn)換應用的dMode HEMT晶體管(電壓可擴展范圍為100V至650V)。此外,X-FAB還可提供定制化GaN技術和產(chǎn)品,包括dMode、eMode HEMT,以及肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diodes),這些器件廣泛應用于高頻整流、電源系統(tǒng),和太陽能電池板等領域。

全球市場對充電設備、電動汽車、先進能源管理系統(tǒng),以及更強大的數(shù)據(jù)中心等應用的需求持續(xù)增長。就數(shù)據(jù)中心而言,人工智能(AI)的訓練與部署促使對算力資源的需求不斷增加,這進而推動了對更高功率的需求,以及對更高效電能傳輸與轉(zhuǎn)換技術的需求。

GaN-on-Si技術是一種極具前景的半導體工藝,它能夠?qū)崿F(xiàn)高頻開關與低導通電阻(Rds,即漏極與源極之間的電阻)。憑借其小尺寸和高電壓處理能力,GaN-on-Si技術進一步完善了X-FAB的寬禁帶芯片工藝產(chǎn)品線,使客戶從電網(wǎng)到汽車電池,乃至GPU層級,都能夠設計出更加高效節(jié)能的產(chǎn)品。

“我們擁有30多年車規(guī)級CMOS技術領域經(jīng)驗——包括350nm CMOS工藝、共享工具和設備,以及BEOL,這使得我們的GaN技術具備內(nèi)在的品質(zhì)優(yōu)勢,且顯著降低客戶進入門檻。”X-FAB德累斯頓CEO Michael Woittennek表示,“我們開發(fā)定制化技術多年,如今我們在位于薩克森硅谷中心的德累斯頓工廠為通用原型設計項目開放XG035 dMode技術平臺。我們350nm工具集的靈活性也使我們能夠快速擴大量產(chǎn)規(guī)模,為客戶提供快速可靠的上市途徑。”

“隨著GaN供應商格局的不斷演變,X-FAB正逐步發(fā)展成為專業(yè)的GaN代工合作伙伴。”X-FAB產(chǎn)品營銷副總裁Luigi Di Capua補充道,“我們的8英寸GaN-on-Si平臺能夠幫助客戶確保供應鏈穩(wěn)定,并毫無顧慮地擴大其設計規(guī)模。”

目前,X-FAB已推出可簡化客戶設計流程并實現(xiàn)更快速入門的PDK。此外,從2025年第四季度起,還將開放公共MPW服務,允許多個客戶共享單片硅晶圓進行芯片制造。這些舉措將進一步降低原型設計及小批量生產(chǎn)的準入門檻。

縮略語:

BEOL 后端工藝

CMOS 互補金屬氧化物半導體

dMode 耗盡模式

eMode 增強模式

GaN-on-Si 硅基氮化鎵

HEMT 高電子遷移率晶體管

MPW 多項目晶圓

PDK 工藝設計套件

WBG 寬禁帶半導體

Ref: XFA040D5

關于X-FAB:

X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團,生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費、醫(yī)療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0µm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝,及其特色光電子、SiC、GaN與微機電系統(tǒng)(MEMS)長壽命工藝,為全球客戶打造最高的質(zhì)量標準、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路(混合信號IC)、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn),并在全球擁有約4,500名員工。www.xfab.com

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