【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關(guān)電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無人機(jī)中還可應(yīng)用于小型無刷電機(jī)的電子速度控制器等。

全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。這些新器件擁有業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻和業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)（FOMs, QG和QOSS），能夠?qū)崿F(xiàn)出色的動態(tài)開關(guān)性能。因此，這些具有超低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時簡化散熱管理。

OptiMOS功率開關(guān)采用緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝，能夠縮小系統(tǒng)尺寸，讓終端用戶應(yīng)用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過減少并聯(lián)需求，這些MOSFET器件提升了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的可靠性，顯著降低了占板空間和系統(tǒng)成本。

供貨情況

全新OptiMOS 6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的導(dǎo)通電阻值為5.7 mΩ，OptiMOS 5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS 5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的導(dǎo)通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ，這些MOSFET器件均采用改進(jìn)的PQFN 2x2 mm2 封裝，現(xiàn)已開放訂購。如需了解更多信息，請?jiān)L問 www.infineon.com/optimos-6-40v和www.infineon.com/pqfn-2x2。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約56,200名員工，在2022財(cái)年（截至9月30日）的收入約為142億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。