在現(xiàn)代科技的環(huán)境下，傳統(tǒng)的電源設計方案已經(jīng)無法再滿足人們的需要。因此功率更為強大的大功率電源開始成為設計者們的新寵。但是在應用過程中大功率電源也遇到了這樣或那樣的問題，本文就將針對大功率電源MOSFET功率耗散中的開關損耗問題進行分析。

對于除最大負載外的所有負載，在開、關過程中，同步整流器的MOSFET的漏源電壓通過捕獲二極管箝制。因此，同步整流器沒有引致開關損耗，使其功率耗散易于計算。需要考慮只是電阻耗散。

最壞情況下?lián)p耗發(fā)生在同步整流器負載系數(shù)最大時，即在輸入電壓為最大值時。通過使用同步整流器的RDS（ON）HOT和負載系數(shù)以及歐姆定律，就可以計算出功率耗散的近似值：

PDSYNCHRONOUSRECTIFIER=[ILOAD2×RDS（ON）HOT]×[1>-（VOUT/VIN（MAX））]

開關MOSFET的耗散

開關MOSFET電阻損耗的計算與同步整流器的計算相仿，采用其（不同的）負載系數(shù)和RDS（ON）HOT：

PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS（ON）HOT]×（VOUT/VIN）

由于它依賴于許多難以定量且通常不在規(guī)格參數(shù)范圍、對開關產(chǎn)生影響的因素，開關MOSFET的開關損耗計算較為困難。在下面的公式中采用粗略的近似值作為評估一個MOSFET的第一步，并在以后在實驗室內(nèi)對其性能進行驗證：

PDSWITCHING=（CRSS×VIN2×fSW×ILOAD）/IGATE

其中CRSS為MOSFET的反向轉換電容（一個性能參數(shù)），fSW為開關頻率，而IGATE為MOSFET的啟動閾值處（柵極充電曲線平直部分的VGS）的MOSFET柵極驅動的吸收電流和的源極電流。

一旦根據(jù)成本（MOSFET的成本是它所屬于那一代產(chǎn)品的非常重要的功能）將選擇范圍縮小到特定的某一代MOSFET，那一代產(chǎn)品中功率耗散最小的就是具有相等電阻損耗和開關損耗的型號。若采用更?。ǜ欤┑钠骷?，則電阻損耗的增加幅度大于開關損耗的減小幅度；而采用更大[RDS（ON）低]的器件中，則開關損耗的增加幅度大于電阻損耗的減小幅度。

如果VIN是變化的，必須同時計算在VIN（MAX）和VIN（MIN）處的開關MOSFET的功率耗散。MOSFET最壞情況下功率耗散將出現(xiàn)在最小或最大輸入電壓處。耗散為兩個函數(shù)的和：在VIN（MIN）（較高的負載系數(shù)）處達到最大的電阻耗散，和在VIN（MAX）（由于VIN2的影響）處達到最大的開關耗散。最理想的選擇略等于在VIN極值的耗散，它平衡了VIN范圍內(nèi)的電阻耗散和開關耗散。

如果在VIN（MIN）處的耗散明顯較高，電阻損耗為主。在這種情況下，可以考慮采用較大的開關MOSFET，或并聯(lián)多個以達到較低的RDS（ON）值。但如果在VIN（MAX）處的耗散明顯較高，則可以考慮減小開關MOSFET的尺寸（如果采用多個器件，或者可以去掉MOSFET）以使其可以更快地開關。

如果所述電阻和開關損耗平衡但還是太高，有幾個處理方式：

改變題目設定。例如，重新設定輸入電壓范圍；改變開關頻率，可以降低開關損耗，且可能使更大、更低的RDS（ON）值的開關MOSFET成為可能；增大柵極驅動電流，降低開關損耗。MOSFET自身最終限制了柵極驅動電流的內(nèi)部柵極電阻，實際上局限了這一方案；采用可以更快同時開關并具有更低RDS（ON）值和更低的柵極電阻的改進的MOSFET技術。

由于實際操作中的元器件選擇數(shù)量范圍存在限制，當超出特定的點時，就無法完全的對MOSFET尺寸進行精確的調(diào)整，因此MOSFET在最壞的情況下必須被耗散?？梢姾纳⑶闆r的好壞關系到大功率電源的性能，因此需要引起足夠的重視。希望大家在閱讀過本文之后能夠有所收獲。