underbridge：
假設(shè)電路上的snubber電容不會(huì)變化,而mosfet的結(jié)電容也穩(wěn)定,假設(shè)flyback的初級(jí)線圈能量100%傳遞到次級(jí),那么漏感的能量就在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷的時(shí)候100%傳遞到snubber以及結(jié)電容上.電源對(duì)于交流是短路的,那么可以得到Ctotal=Csnubber+Cjunction.這里的C是一定的.漏感為L(zhǎng)o.有:1/2(LoIp^2)=1/2(CV^2)代入不同的Lo就可以得出不同漏感下Vspike的比例:Lo1＝ 14uH V＝243Lo2＝ 9uH V＝195Lo3＝ 5.7uHV＝143可以看出這里計(jì)算的電壓和實(shí)際測(cè)量的電壓有一點(diǎn)點(diǎn)誤差,這些誤差應(yīng)該來(lái)自于理論值和實(shí)際的電路上的離散特性所造成的.例如,分布電容的變化,漏感變化對(duì)Ip的影響,耦合率上升對(duì)能量傳遞的影響等等.由于漏感以及這些電容所造成的能量損失需要釋放,所以我們可以加上一個(gè)snubber電阻去釋放能量,當(dāng)熱輻射和消耗能量平衡的時(shí)候,這顆電阻就會(huì)有一個(gè)固定的溫升.謝謝.