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因為碳化硅和氮化鎵材料的功率器件推出，基于寬禁帶半導體材料的功率管作為一種更先進的功率管正在被廣泛的應用，其速度快，頻帶高，與硅等傳統(tǒng)的半導體材料相比，它能夠讓器件在更高的飽和電子遷移率、頻率和電壓下運行。硅的帶隙是1.17電子伏特，碳化硅是3.263電子伏特，氮化鎵是3.47電子伏特。

氮化鎵功率器件確實性能十分優(yōu)越，超快的開通速度，超低的開通管段損耗，這些賣點都很吸引人

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