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[圖片]搞定了，是使能端的問題，MCU低壓復(fù)位了，低電壓下運(yùn)行不斷的重啟動(dòng)。

很多C語(yǔ)言都有介紹這個(gè)用法的

這個(gè)并不存在哪個(gè)好，哪個(gè)不好的問題，關(guān)鍵是要諧振在陶瓷片的固有的機(jī)械頻率上；另外我上面說(shuō)的并聯(lián)諧振低是錯(cuò)誤的，說(shuō)反了，應(yīng)該是并聯(lián)諧振頻率高，串聯(lián)諧振頻率低。沒有人在超聲波上用軟開關(guān)驅(qū)動(dòng)嗎？

說(shuō)明下，在上圖中，我單片機(jī)只輸出高的電平部分，低電平部分是由陶瓷片特性決定的問題是現(xiàn)在陶瓷片靜態(tài)電容影響，造成在低電平階段周期過長(zhǎng)。工作在了并聯(lián)諧振上了。串聯(lián)諧振頻率高，并聯(lián)諧振頻率低。陶瓷片的電路模型中，如果電阻為0，那么固有振蕩頻率就等于串聯(lián)諧振頻率，為阻抗最小時(shí)的頻率；并聯(lián)諧振頻率等于阻抗最大時(shí)的頻率。

你的第一圖明顯是陶瓷片工作在串聯(lián)諧振上，陶瓷片串聯(lián)選頻作用，利用兩個(gè)三級(jí)管的相位實(shí)現(xiàn)自激振蕩。

實(shí)現(xiàn)在MOS管的低電壓開通就是ZVS了，電磁爐的單管諧振就是這樣的唯一不同的是電磁爐的諧振是由線盤和諧振電容決定的，而陶瓷片現(xiàn)在本身的參數(shù)不可變，應(yīng)該是工作在了并聯(lián)諧振上了，我現(xiàn)在單片機(jī)是在MOS管輸出低電壓才打開的，就是通過MOS管的D極電壓送比較器比較后完成的，每次在電壓的時(shí)候打開，振蕩頻率是由陶瓷片決定的。如果我用單片機(jī)輸出一個(gè)固定的陶瓷片諧振頻率，存在一個(gè)問題就是陶瓷片本身的固有頻率有個(gè)偏差，每一個(gè)不一樣，這樣頻率就不能跟蹤需要調(diào)整，而且開通的時(shí)候，不是在MOS管電壓低的時(shí)候開通，造成很大的損耗。我就想用陶瓷片本身的特性來(lái)決定頻率，實(shí)現(xiàn)頻率的跟蹤，同時(shí)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振，降低功耗。現(xiàn)在問題是這樣實(shí)現(xiàn)ZVS功能的話，頻率并不工作在串聯(lián)諧振上了，而是并聯(lián)諧振上了，就是那個(gè)靜態(tài)電容影響的，實(shí)際頻率比陶瓷片的固有頻率低，造成不能霧化。看一個(gè)圖[圖片]

[圖片]是這樣的驅(qū)動(dòng)電路，檢測(cè)MOS管的電壓，在電壓低的時(shí)候開通，實(shí)現(xiàn)ZVS，但現(xiàn)在頻率是偏小的，實(shí)現(xiàn)不了霧化我現(xiàn)在頻率不是由單片機(jī)輸出的信號(hào)決定的，單片機(jī)只負(fù)責(zé)輸出一個(gè)脈寬高電平，每到低電壓時(shí)，又輸出一個(gè)高電平，最終的頻率是由陶瓷片自身的特性決定的，實(shí)現(xiàn)了ZVS功能，但就是工作頻率不對(duì)，低于113KHZ,好像工作在并聯(lián)諧振頻率上了，陶瓷片的電路模型中的靜態(tài)電容參與其中了。

我的超聲霧化器驅(qū)動(dòng)是采用三腳電感，用單片機(jī)輸出一個(gè)脈沖后，諧振片自動(dòng)振蕩的頻率怎么低于自諧振頻率呢？是電感量影響到了壓電陶瓷片固有頻率了嗎？原理是采用了電磁爐的單管諧振原理，單片機(jī)輸出脈沖的高電平后關(guān)斷，等待開關(guān)管電壓下降到0V才開通，實(shí)現(xiàn)ZVS但振蕩的頻率不在壓電陶瓷片的固有頻率上，要低很多，我的陶瓷片是113KHZ的，實(shí)際振蕩是74KHZ我想陶瓷片應(yīng)該是工作在了并聯(lián)的諧振頻率上了，要工作在串聯(lián)諧振上，實(shí)現(xiàn)ZVS，該怎么改善好？我上面做的目的是想做成ZVS功能是開關(guān)控制，減少開關(guān)損耗。[圖片]

搞電磁爐的高手呢？希望指點(diǎn)一二自己頂起來(lái)！

加上鍋后的等效電感為67.6uH,等效電阻為2.3Ω 以上這個(gè)值是怎么取得的？