小低調(diào)：
emmmmmm我先以我比較熟悉的反激為例說(shuō)吧，目前自己用的比較多的有兩種：1、同步整流芯片繞組斜率檢測(cè)，原邊MOS管關(guān)斷瞬間繞組電壓反向（產(chǎn)生較大的dv/dt），芯片檢測(cè)此信號(hào)打開(kāi)脈沖給到輸出整流MOS管（MOS管電流方向要S-D，在同步整流不打開(kāi)情況下走體二極管），當(dāng)電流下降到0時(shí)，產(chǎn)生諧振，檢測(cè)繞組電壓降低，脈沖關(guān)斷防止倒灌。2、自驅(qū)同步整流：也是利用開(kāi)關(guān)瞬間的繞組大的dv/dt，不過(guò)此繞組后接微分電路，在產(chǎn)生瞬間給到MOS管驅(qū)動(dòng)Qg供電，當(dāng)進(jìn)入DCM因?yàn)橹C振，也會(huì)抽取Qg使其關(guān)斷。BUCK、BOOST這些非隔離的內(nèi)部MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)給完后經(jīng)過(guò)死區(qū)就給同步整流MOS驅(qū)動(dòng)信號(hào)，檢測(cè)電流過(guò)零后關(guān)斷。再就是可根據(jù)反饋確定是否進(jìn)入同步整流模式，畢竟對(duì)于輕空載，開(kāi)關(guān)損耗成分會(huì)升高。