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和仿真相比，PCB上只是多了一個對輸出采樣的電壓跟隨器以及相連的RC濾波網(wǎng)絡(luò)。仿真電路設(shè)計好的，不會震蕩，且也觀察過負載及輸入擾動的情況，很正常。難道要把這個多出來的RC濾波網(wǎng)絡(luò)去掉？

趕快召喚一些大神講解講解~

親，我的Buck電路在沒有加軟開關(guān)的情況下，可工作在2kW左右的功率級別；然而，當(dāng)加上軟開關(guān)之后，輸入輸出關(guān)系還算正常，然而波形相當(dāng)差；無論是主功率管的柵源波形，還是輔助功率管的柵源波形，然后，看了看VBS波形；二者的VBS波形都很差，于是，就試著用在自舉電容兩端并聯(lián)DCDC隔離電源的方法，然而波形好像并沒有什么改善。如圖所示。[圖片][圖片]該圖中，紅色為主功率管vgs波形；藍色為主功率管驅(qū)動芯片自舉電容VBS電壓波形；其中波形中的100mV表示5V，因為探頭本身具有一定的放大倍數(shù)；[圖片]該圖中，藍色為輔助功率管柵源波形；紅色為輔助功率管驅(qū)動芯片VBSQ兩端波形；[圖片]該圖為又一次測試時的波形，其中，紅色為主功率管vgs波形，藍色為主功率管vds波形；

[圖片]您好！請教一個問題；Buck電路測試時，未加軟開關(guān)的情況下，波形正常，可高達2kW；而采用ZVT軟開關(guān)后，VBVS之間波形異常；于是，在VBVS的自舉電容兩端并聯(lián)了一個金升陽的24V轉(zhuǎn)15V的隔離電源，正常情況下，VBVS應(yīng)當(dāng)為穩(wěn)定的15V，而事實情況如下圖所示：[圖片]其中，紅色部分為主功率管柵源波形；而藍色波形為自舉電容兩端的VBVS波形；該波形是在自舉電容兩端并聯(lián)隔離電源后所測得的；會有什么因素可以使得并聯(lián)隔離電源后，VBVS之間的電壓依然會有如上圖所示的波動？？？

對啊，VS竟然沒接到源極。。

這個脈沖變壓器驅(qū)動的方法，我嘗試過；感覺柵源驅(qū)動波形較差；雖然添加了推挽電路，但是上升沿與下降沿的陡峭性不夠好；不過，如果采用27樓皇甫樓主，可能對下降沿有所改善。電路結(jié)構(gòu)和仿真分別如下圖所示，有些改善：只是2V到0V的變化曲線依然不夠好；[圖片][圖片][圖片][圖片]只是前面我還有一個問題：我需要將0-5V的PWM波轉(zhuǎn)換成0-16V之后，驅(qū)動MOS；所以需要在脈沖變壓器左側(cè)的推挽電路前面加一級電平轉(zhuǎn)換電路；電平轉(zhuǎn)換電路采用2N3904和上拉電阻組成；推挽電路由8050和8550構(gòu)成；但信號經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換電路后，占空比發(fā)生改變，這是一個很纏人的問題；然而查看2N3904的數(shù)據(jù)手冊，發(fā)現(xiàn)其基極和發(fā)射極之間的寄生電容并不大；其工作頻率也可以很高，遠大于200khz；

您好！請教一個問題；（1）我也設(shè)計了一個Buck電路，并繪制PCB；利用自舉原理驅(qū)動；測試時，發(fā)現(xiàn)2kw以下正常；2kW時發(fā)生柵氧擊穿，然而我的柵源極之間實現(xiàn)并有穩(wěn)壓二極管，應(yīng)當(dāng)不會超過MOS管的柵源最大電壓，這是為何？該怎么處理呢？我在MOS管失效分析的帖子中，并沒有找到相關(guān)的詳細闡述；（2）關(guān)于自舉的問題；僅僅單測Buck電路時，自舉供電正常；然而當(dāng)引入軟開關(guān)后，發(fā)現(xiàn)主功率管和輔助功率管的柵源波形都變得很差；于是，用差分探頭檢測了一下自舉電容兩端電壓，波形較差；為了改善柵源波形，采用了15V隔離電源并聯(lián)在自舉電容兩端，以提供穩(wěn)定的VBS電壓；然而測試表明，即使添加隔離電源，VBS波形依然會變得很差；這就出現(xiàn)問題了!!!為什么隔離電源并聯(lián)上之后，輸出卻不是穩(wěn)定的15V呢？是怎么被影響的呢？？

推挽電路的確可以增加管子的驅(qū)動能力，只是自己在仿真及實際應(yīng)用中，感覺效果一般，不知道那個地方?jīng)]有設(shè)計好。如圖。[圖片]基極電流為50mA，8050和8055最大電流為1.5A，利用推挽結(jié)構(gòu)增大輸出電流；根據(jù)8050datasheet而言，50mA基極電流可得到1.5A集電極電流；然而仿真波形中，可看出MOS管的充放電電流(與脈沖變壓器左側(cè)電流波形一致)最大800mA，并且還只是在放電階段；充電階段電流峰值為400mA；如下圖所示；[圖片]

您好，近期測試一個Buck電路，2kW一下還好；2kW時，大概1分鐘內(nèi)便會出現(xiàn)MOS管損壞的問題，測試表明，柵氧擊穿；然而，電路上的MOS管柵源兩端其實并聯(lián)有穩(wěn)壓二極管；這個穩(wěn)壓二極管由兩個穩(wěn)壓二極管串聯(lián)組成，分別鉗制正向和負向柵源電壓最大值。為什么會柵氧擊穿呢？又該如何解決呢？

此答復(fù)為最初的問題作出回答！算是可以結(jié)貼吧，其實中間在和版主談?wù)摰臅r候，還引出一些其他的疑問！最初的問題是驅(qū)動芯片燒毀和輔助電源燒毀！懷疑部分電流流經(jīng)驅(qū)動芯片或者驅(qū)動芯片抽取大電流！最初的板子測試時，曾經(jīng)在驅(qū)動芯片的COM和地之間設(shè)計了一個二極管和零歐姆并聯(lián)的連接，目的就是防止會出現(xiàn)仿真過程中電流流過驅(qū)動芯片的狀況！后來可能自己測試測混了，感覺這個二極管沒有作用；如今，重新焊接測試，發(fā)現(xiàn)COM和地之間的這個二極管還是有很大作用的，現(xiàn)在，測到2kW的時候，依然沒有問題！但是驅(qū)動芯片壞掉的原因感覺可以參照文章《負壓引起驅(qū)動芯片失效的原理分析》