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3843調(diào)試問(wèn)題
dianzigou666
最新回復(fù):2015-07-31 15:05
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dianzigou666:
為什么,能否說(shuō)下原因
2016-04-04 12:22 回復(fù)
原帖:采用IR2110搭建BUCK電路,在高占空比時(shí),Vgs波形混亂的問(wèn)題!
dianzigou666:
兄弟,我看樓主還發(fā)了一篇帖子,不知兄弟能否去看看,也好讓我知道他的問(wèn)題出在哪。http://m.zjkrx.cn/bbs/1524512.html
2016-04-03 12:40 回復(fù)
原帖:用IR2110的高端驅(qū)動(dòng)BUCK的開(kāi)關(guān)管,波形失真很嚴(yán)重,求大神指教!
dianzigou666:
有理
2016-04-03 12:34 回復(fù)
原帖:用IR2110的高端驅(qū)動(dòng)BUCK的開(kāi)關(guān)管,波形失真很嚴(yán)重,求大神指教!
dianzigou666:
樓主圖中的R10是干什么用的,應(yīng)該接錯(cuò)了吧
2016-04-01 18:31 回復(fù)
原帖:ir2110全橋逆變時(shí)的一些問(wèn)題
dianzigou666:
這跟10V沒(méi)關(guān)系吧,兄弟,驅(qū)動(dòng)能力應(yīng)該要看2110的供電和2110本身
2016-04-01 18:19 回復(fù)
原帖:用IR2110的高端驅(qū)動(dòng)BUCK的開(kāi)關(guān)管,波形失真很嚴(yán)重,求大神指教!
dianzigou666:
說(shuō)說(shuō)我個(gè)人見(jiàn)解,不一定對(duì),大家可以一起分析分析。R1:R1不宜太大,太大會(huì)減弱驅(qū)動(dòng)能力,是驅(qū)動(dòng)波形上升沿變差,但也不宜太小,太小起不到抑制震蕩的作用。所以這里存在一個(gè)效率和速度的問(wèn)題,一般可選取幾歐姆或幾十歐姆。R2:MOS內(nèi)部簡(jiǎn)單的可以等效為電容,對(duì)MOS的開(kāi)通和關(guān)斷其實(shí)就是電容的沖放電,所以這個(gè)電阻一般可選取4.7K-10K.D1個(gè)人感覺(jué)普通二極管應(yīng)該就行。其余坐等大神分析
2016-04-01 18:16 回復(fù)
原帖:關(guān)于DC/DC變換器中MOS管的保護(hù)問(wèn)題
dianzigou666:
單片機(jī)出來(lái)的PWM波不是已經(jīng)是直流了嗎,為什么要加電容偏置
2016-04-01 18:08 回復(fù)
原帖:IR2110的輸入端是否要加偏置?
dianzigou666:
你這個(gè)Vgs波形是用差分探頭測(cè)量出來(lái)的嗎?建議1:先把電感換小,換到220-470UH看看建議2:在自舉電容旁邊并上一個(gè)數(shù)百PF瓷片電容
2016-04-01 18:05 回復(fù)
原帖:采用IR2110搭建BUCK電路,在高占空比時(shí),Vgs波形混亂的問(wèn)題!
dianzigou666:
實(shí)驗(yàn)的確是如此,但這并不能證明二極管的導(dǎo)通是需要以MOS開(kāi)通為前提的,在你這個(gè)實(shí)驗(yàn)中,D,S是不能導(dǎo)通的。我實(shí)驗(yàn)了一下,直接在IRF540的D,S兩端加直流電壓,并且串入一個(gè)1K的電阻來(lái)限流,發(fā)現(xiàn),二極管是可以導(dǎo)通的,壓降在0.6左右。所以我認(rèn)為二極管的導(dǎo)通是不需要以MOS的導(dǎo)通為前提。
2015-12-05 15:10 回復(fù)
原帖:【原創(chuàng)】手把手;教你讀懂FET
dianzigou666:
請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題,我們知道MOS的電流是可以雙向流通的,即電流可以從D到S,也可以從S到D,那當(dāng)電流是從S到D時(shí),電流是怎么流的呢,是從MOS自身流過(guò),還是從MOS的體二極管流過(guò)的呢。還望解答!
2015-11-29 11:41 回復(fù)
原帖:【我是工程師】深入理解MOSFET規(guī)格書(shū)/datasheet
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