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狀態(tài)機(jī)的轉(zhuǎn)移，現(xiàn)在一直在用這個(gè)做按鍵的掃描。解放MCU

收了

也就是R9原來(lái)接+12V處改成接負(fù)端（也就是原來(lái)光耦的E極處）。而將光耦C極改接+12V處，光耦E極改接至MOS管柵極。

要相反？那要把光耦與R9位置互換！

原因是光耦在一周期內(nèi)只有一小半時(shí)間是導(dǎo)通的，截止期間12V通過(guò)10K對(duì)C4充電，其后期電壓已經(jīng)高于Vgs(th)了，也就是處于微導(dǎo)通與截止的交替之中，所以FJ1就會(huì)慢速旋轉(zhuǎn)。解決的辦法有下面幾種：1、增大R9。2、增大C4。3在光耦輸入端并聯(lián)電解電容。

把R9換成100K試試！

去看看數(shù)據(jù)手冊(cè)上MOS管的符號(hào)是怎么畫的！

這根本就不是MOS管的畫法！而是個(gè)NPN三極管！

如果說(shuō)FJ1的電流很小，那么可以直接用光耦控制，否則的話①光耦的輸出端是否允許這么大的電流？②即便是光耦的電流允許這么大，那光耦的輸入端是否也需要要足夠大的輸入電流才能驅(qū)動(dòng)，那么輸入的功耗要多大呢？（你的輸入端不是要接220V嗎？那你算算那個(gè)串聯(lián)的降壓電阻需要多大的功率？）

取消R8后，光耦導(dǎo)通時(shí)MOS管柵極電位很低，接近0V，可以很可靠關(guān)斷。而光耦截止時(shí)，柵極電位接近12V，溝道電阻很低，處于比較理想的導(dǎo)通狀態(tài)。（按數(shù)據(jù)手冊(cè)數(shù)據(jù)，10V時(shí)的溝道電阻小于11.5Ω）