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好貼，受教

1.這一部份意見(jiàn)不同,屬于思維方面的差異.我誤認(rèn)為你指的是線圈本身匝間耦合系數(shù)這個(gè)內(nèi)因(這個(gè)具有統(tǒng)一性,那怕在真空里也適用);2.即然不可一概而論,那得指定個(gè)討論的對(duì)象吧,不然A扯東,B扯西,貼子不亂才怪;3.沒(méi)反,磁阻與電阻相似,對(duì)于均質(zhì)材料,正比與長(zhǎng)度,反比于截面積.

1.L不與N的平方成正比的原因,跟磁芯的關(guān)系不大.而是匝與匝之間的耦合度引起的;無(wú)線電里,通過(guò)拉長(zhǎng)或壓縮空芯線圈的長(zhǎng)度,調(diào)節(jié)匝間距,電感量可以變化幾倍;2.I=Ton*V/L,可知Ton一定，則I與L成反比，雖然Ton可一定程度上調(diào)寬，但是N增加2倍試試？3.增加氣隙寬度，磁阻更小，更容易飽和

電感是器件本身的特征，和頻率時(shí)間無(wú)關(guān)，感抗和電感不是一個(gè)概念。 

電阻、電容、電感和時(shí)間無(wú)關(guān)的。如果有關(guān)系，就是老化了。就好比質(zhì)量和地點(diǎn)、時(shí)間無(wú)關(guān)，只有重量和地點(diǎn)有關(guān)。

小功率一般都還是選擇DCM模式了，畢竟體積會(huì)做的更小點(diǎn)，對(duì)MOS管的應(yīng)力而言也不大，一般的MOS管都是能夠承受的，