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現(xiàn)在的逆變器基本都有MOS做防反接，這樣反接也不會燒保險，如果有這二極管反接時還會燒保險，似乎不夠理想另外我看見不少有防反接MOS的電路圖也有這個二極管，那這個二極管是不是就多余了？我個人理解：如果考慮MOS的Coss，這個二極管和這電容是跟變壓器的前級線圈串聯(lián)，似乎可以形成一個放電回路，達到降低尖峰的作用另外在本論壇好像有個帖子提到過這二極管好像可以保護輸入電容防止燒腳的作用，不知道這說法對不對

是不是我看錯了，10KW單變壓器？

說錯，R33不是多余的，是S1復位時限流用

這就是一個自鎖電路，樓上有人說是單邊遲滯，當然也沒錯的。自鎖其實也可以算是單邊遲滯極端方式。注意看這幾個電阻的參數(shù)，一旦7腳輸出高電平了，左下角的51K的電阻的輸入電壓低至0V（負壓除外）也一樣不能復位，只能依靠S1進行復位，而這又恰好有個S1,所以自鎖電路無疑，只是這么設計有點多此一舉，去掉R33更合理。

謝謝，請問下你們做的逆變器是修正弦的嗎，輸入電壓是多少呢

這兩項參數(shù)是否又跟輸入電壓有一定的關聯(lián)，比如12V輸入和60V輸入的逆變器

[圖片] 前級頻率降至22K左右，空載時的DS波形，尖峰高得嚇人。嘗試過調(diào)大調(diào)小死區(qū)時間都無法改善尖峰的問題

4個3205頂足量的800W確實夠嗆（我現(xiàn)在負載800W因為輸出電壓低，實際只有680W左右），手上還有4004、4504這樣強勁的MOS，做高功率在MOS方面應該是沒問題的。另外我用的是2個EI40變壓器，一個EI40頂800W打死也做不到啊（12V輸入）?，F(xiàn)在的問題倒不是因為帶高功率負載才導致尖峰的，而是我為了想帶更高的負載采取降頻率的方式，結(jié)果降頻率后空載也會有尖峰。如果說是磁飽和了，是不是只能換磁芯或者維持之前的頻率？

[圖片] 類似于這樣的，時間越久尖峰越高

之前懷疑過是變壓器的工藝問題，也更換過變壓器依然沒有改善，另外，用40K前級頻率的時候沒尖峰，應該可以排除是變壓器工藝問題，現(xiàn)在如何解決既降低前級頻率又不會產(chǎn)生尖峰這個矛盾呢？