cbq1985：
現(xiàn)在一些場(chǎng)合都在用SICMOSFET了，一般都是1700V的，由于跨導(dǎo)和溝道效應(yīng)，VGE一般都會(huì)比普通的SIMOSFET大，一般在最大的80%左右，公司使用都會(huì)有一個(gè)降額使用。我有一個(gè)地方不是在太明白，SIMOSFET的VGE當(dāng)時(shí)詢問了很多廠家的FAE，最高150度的結(jié)溫是由于封裝的限制，并不是里面的晶元，雖然sic的熱導(dǎo)率比較高，是不是只能認(rèn)為它的功率密度比較大，實(shí)際在節(jié)溫使用時(shí)，是否同樣要按SIMOSFET一樣來限制結(jié)溫降額。