劉權：
infinion確實貴，我們是海歸hunteck 原廠，質量好，價格便宜，QQ：1937108157，中壓低壓SGTmos,高壓coolmos 中壓MOS工藝比較 溝槽工藝：開關損耗大，內阻大 。代表：國內廠家植入工藝：開關損耗小，內阻小。 代表：VishaySGT工藝：開關損耗更小，內阻更小。代表：InfineonHunteck 高壓MOS工藝比較平面工藝：開關損耗大，內阻大。 代表：國內廠家coolmos工藝：開關損耗小，內阻小，價格高。代表infinion 超結工藝：開關損耗小，內阻小，價格低 。代表：hunteck 中壓mos晶圓尺寸比較HuntestSGT 100InfineonOptiMOS3 102 InfineonOptiMOS2 165 IR 193AOSnewSGT 114 AOSoldSGT 148Magnachip 142MOS抗沖擊電流，雪崩EASUIS比較Infineon100Hunteck 100IR 80Toshiba 75AOS 75and33電壓變化破壞試驗Hunteck中壓100vSGTmos設計有增強型寄生二極管 在60v30A500A/us230度沒有破壞Hunteck高壓mos設計有長壽命控制寄生二極管降低逆向恢復電荷10個點。平滑的開關性能 平滑開關曲線保證好的EMI 性能，線路設計比較容易可靠。開關速度可以在SGT和普通mos之間控制，其他參數保持不變。 大電流開關的好處高溫大電流關斷是衡量mos好壞的關鍵點。 MOS關斷前通過飽和區(qū)域發(fā)生在以下情景：馬達鎖死；輸出短路；上電瞬間。關閉失效與熱失控 實際上一個好的設計可以做到熱失控。MOS開始泄漏直到飽和失效。Hunteck熱失控可以高到250度不好的設計在熱失控前溫度低的時候就崩潰了。崩潰前并沒有泄漏，在關閉的時候就崩潰了。 [圖片]