日韩在线不卡免费视频一区,日韩欧美精品一区二区三区经典,日产精品码2码三码四码区,人妻无码一区二区三区免费,日本feerbbwdh少妇丰满

EMI開關(guān)電源EMI產(chǎn)生及EMC對(duì)策涉及太多因素.從本質(zhì)上講都是電壓變化(dv/dt)電流變化(di/dt)引起的.其中傳導(dǎo)干擾是由于變壓器初次級(jí)繞組間分布電容將初級(jí)繞組對(duì)大地的電壓變化(dv/dt)藕合到次級(jí)繞組使輸出端呈現(xiàn)出對(duì)大地的噪音電壓.輻射干擾則是電壓變化(dv/dt)電流變化(di/dt)引起的電磁場(chǎng)輻射.針對(duì)你的具體問題建議在Bridge2個(gè)AC端與高壓電容負(fù)級(jí)(當(dāng)Y1電容接點(diǎn)在高壓電容負(fù)級(jí)時(shí))加2個(gè)2.2nF1KV瓷片電容,傳導(dǎo)應(yīng)當(dāng)可以了.你看一下開關(guān)管漏級(jí)電壓波形,上升沿不能太陡,上升時(shí)間調(diào)整到130nS左右,EMC容易做.另外可用磁珠吸收及屏蔽措施.再有當(dāng)元件及PCB一定的情況下變壓器對(duì)EMC至關(guān)重要.

R10,R11對(duì)100-240V50/60Hz寬電壓輸入,經(jīng)驗(yàn)上取R10=1.2M歐1/4WOK;R11=100--510歐,要調(diào)整R11使MOS管Drain波形off時(shí)上升時(shí)間為100--200nS取150nS最好,可以兼顧EMC及MOS管功耗.我是第一次上網(wǎng)討論問題.對(duì)了,R11位置最好改在MOS管Gate上.