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暫無內(nèi)容
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spy_support：
場效應(yīng)管是電壓控制的器件，柵極電流不能搞太大，否則損耗太大、也容易死掉
2012-08-02 13:19 回復(fù)
原帖：兩個場效應(yīng)管不能組成復(fù)合管么？
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電壓高的VCESAT也高
2012-08-02 13:17 回復(fù)
原帖：IGBT承壓越大不是越好？
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電容一般都有余量的，AC350V時應(yīng)該還沒超過耐壓值，三極管更是沒關(guān)系的VCES一般都很高
2012-07-13 14:49 回復(fù)
原帖：出口印度節(jié)能燈該如何設(shè)計？
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印度那邊電壓不穩(wěn)定，我想應(yīng)該需要寬電壓的節(jié)能燈吧，很多客戶都是340V、常溫2小時考核的
2012-07-12 08:10 回復(fù)
原帖：出口印度節(jié)能燈該如何設(shè)計？
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解壓成功的確是本好書！
2012-01-29 09:04 回復(fù)
原帖：[共享]《精通開關(guān)電源設(shè)計》中英文合集~
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柵極有足夠大的驅(qū)動電流，使得MOSFET快速開啟；MOSFET關(guān)斷時有一個快速釋放體內(nèi)電荷的回路。
2011-11-11 18:29 回復(fù)
原帖：Mosfet 的雜談
spy_support：
能夠保證MOSFET工作狀態(tài)良好的前提下，個人感覺最大電流越大、安全工作區(qū)就越大，選用大的管子會有好處的。
2011-11-11 17:45 回復(fù)
原帖：MOSFET的額定電流越大越好么?
spy_support：
如果從內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析的話，MOSFET內(nèi)部是存在PN結(jié)這個結(jié)構(gòu)的
2011-11-11 17:38 回復(fù)
原帖：MOSFET D腳可不可以懸空
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還是希望有時間把測試的波形傳上了看看，不知你測試的位置是不是正確。
2011-11-11 17:36 回復(fù)
原帖：MOSFET寄生二極管反向恢復(fù)時間測試問題！
spy_support：
寫的很詳細(xì)，一定多研究一下
2011-11-11 17:33 回復(fù)
原帖：好資料分享——高效率同步整流MOSFET設(shè)計資料大全
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