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[圖片] 讓你記得我的好兄，我現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)一個(gè)問題，圖中畫圓圈處可能是由于驅(qū)動(dòng)電路受到強(qiáng)電干擾造成的，因?yàn)槲覍Ⅱ?qū)動(dòng)電路板單獨(dú)用隔離變壓器隔離后效果要好很多，請(qǐng)問有什么措施可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電路板的抗干擾能力？

這次我8級(jí)加壓，充電電壓700V(輸出大約6kV)時(shí)候，感覺MOS發(fā)出“滴滴滴滴”的響聲，隨著電壓升高響聲更大，輸入電壓加到900V時(shí)候，板子電源隔離模塊不同程度出現(xiàn)燒壞情況。請(qǐng)問這是咋回事呢？是不是MOS工作于太快造成的？(數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)注的上升沿為55ns,而我現(xiàn)在實(shí)測(cè)MOS上升沿為30ns)

感謝讓你記得我的好大哥，按照您給的提示，我重新做了板子，輸出效果好很多了?，F(xiàn)在還有一個(gè)問題就是，當(dāng)電壓加的比較高的時(shí)候，輸出波形會(huì)有一個(gè)凹陷，在電壓比較低(5kV以下)的時(shí)候則是正常。請(qǐng)問這事什么原因呢？如圖所示：[圖片] [圖片] 

讓你記得我的好兄，你的意思是驅(qū)動(dòng)電流回路和柵極電容放電回路應(yīng)盡量短？像制作這種板子，一般都有什么原則呢？因?yàn)槲沂浅醮巫呔€，主要考慮的是為避免相互干擾，器件盡量分開些，沒考慮到回路長(zhǎng)了對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有這么大影響。

多謝，讓你記得我的好兄指導(dǎo)，我會(huì)及時(shí)更新實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果的。順便更正一下哈，我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計(jì)劃用IXFX24N100F再嘗試。IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.以下是目前的PCB圖：[圖片] 以下是計(jì)劃重新制版的PCB(增大了驅(qū)動(dòng))：[圖片] 

[圖片] 上圖中藍(lán)色是Ciss=14nF時(shí)候在mos管GS兩端的波形，綠色是Ciss=6600pF時(shí)候的mos管GS兩端的波形。而我現(xiàn)在認(rèn)為即使下降沿的那個(gè)尖造成了MOS管的二次導(dǎo)通造成工作不穩(wěn)定。[圖片]這是一節(jié)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路。能幫我分析下原因嗎？ 

  照理說接的應(yīng)該與驅(qū)動(dòng)波形前沿這個(gè)凹陷沒有關(guān)系，因?yàn)轵?qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)前沿有凹陷，對(duì)應(yīng)的mos開通，負(fù)載輸出前沿沒問題，而其出問題的是后沿，即mos關(guān)斷后出現(xiàn)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。我嘗試過把驅(qū)動(dòng)電阻調(diào)大，則輸出脈沖前沿便緩，但是出現(xiàn)不穩(wěn)定的起始電壓提高了，約為2.7kV（原來是1.5kV左右）。如下圖所示:[圖片] [圖片]  mos管GS兩端的電壓波形：[圖片]  

  [圖片]讓你記得我的好兄，這是我的驅(qū)動(dòng)輸出波形，卻是上升過程中共有個(gè)下跌的現(xiàn)象，這是不是就是你說的米勒效應(yīng)？該如何解決呢？是因?yàn)轵?qū)動(dòng)能力不夠還是驅(qū)動(dòng)電阻的問題呢？ 另外，我用的mos管（ixfx26N120P）Ciss的值有點(diǎn)大，為14nF.

我來啦，我正在學(xué)習(xí)，頂

sometimes大哥，你好，能不能幫我看下我的電路問題呢？[圖片] 我最近在調(diào)試基于Marx原理的電路，采用的是mosfet開關(guān)ixfx26n120p,驅(qū)動(dòng)器是ixys公司的4A驅(qū)動(dòng)器ixdn604。驅(qū)動(dòng)輸出為：[圖片] 我采用的是4節(jié)電路，當(dāng)充電電壓較低，即負(fù)載輸出電壓較低時(shí)，輸出正常，但是但輸出電壓達(dá)到1.5KV以上時(shí)，輸出波形就不穩(wěn)定，如圖所示：[圖片] 請(qǐng)問這是什么原因呢？