tanny1987：
還是自己回答吧！之前我看了一款芯片的pdf,里面講到在重載時(shí)電源工作模式為QR，在中載時(shí)選則DCMwith valleyswitching;而且這兩種模式均為開關(guān)管在谷底開通，那有什么區(qū)別呢？之后一周看資料和問朋友，才明白QR是開關(guān)管在第一個(gè)谷底開通，并隨著負(fù)載的降低（從滿載下降），工作頻率也會上升；但是芯片有個(gè)最高頻率的限制（如果頻率一直升高，開關(guān)管loss也會提高，EMI/RFI也可能變差）；所以在中載時(shí)，電源工作頻率被限制在一個(gè)較為固定的范圍，這時(shí)開關(guān)管則會在周期快結(jié)束時(shí)的谷底開通（即非第一個(gè)谷底開通），這樣也能保證開關(guān)損耗最小?？偨Y(jié)成一句話：ＱＲ頻率不定，開關(guān)管在第一個(gè)振蕩谷底開通；DCMwithvalleyswitching頻率固定，在周期結(jié)束時(shí)的谷底開通。這是我的理解!請大家討論！