tanny1987:
還是自己回答吧!之前我看了一款芯片的pdf,里面講到在重載時(shí)電源工作模式為QR,在中載時(shí)選則DCMwith valleyswitching;而且這兩種模式均為開關(guān)管在谷底開通,那有什么區(qū)別呢?之后一周看資料和問朋友,才明白QR是開關(guān)管在第一個(gè)谷底開通,并隨著負(fù)載的降低(從滿載下降),工作頻率也會上升;但是芯片有個(gè)最高頻率的限制(如果頻率一直升高,開關(guān)管loss也會提高,EMI/RFI也可能變差);所以在中載時(shí),電源工作頻率被限制在一個(gè)較為固定的范圍,這時(shí)開關(guān)管則會在周期快結(jié)束時(shí)的谷底開通(即非第一個(gè)谷底開通),這樣也能保證開關(guān)損耗最小??偨Y(jié)成一句話:QR頻率不定,開關(guān)管在第一個(gè)振蕩谷底開通;DCMwithvalleyswitching頻率固定,在周期結(jié)束時(shí)的谷底開通。這是我的理解!請大家討論!