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既然是仿真，那就自己建一個(gè)模型，用saber。PI不是提供了原理框圖了嗎，照著建個(gè)模型不就好了

這個(gè)IC本身就是這樣的特性，在負(fù)載超出范圍后就會(huì)降壓

光耦不是有100攝氏度的溫度上限嗎？太高的偏置電壓會(huì)導(dǎo)致光耦太熱，導(dǎo)致光耦的損壞，是不是可以在該回路上（偏置輸出電壓和光耦間）串聯(lián)一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娮瑁?

DC/DC高功率密度應(yīng)用時(shí)，由于頻率很高，建議使用PC95或以上材質(zhì)，以達(dá)到設(shè)計(jì)最優(yōu)

我覺得不完全是這樣，你的輔助繞組輸出在16V以上，在穩(wěn)態(tài)時(shí)會(huì)有比較高的電流流過光耦，由于保護(hù)的觸發(fā)需要時(shí)間，所以會(huì)造成瞬間的充電等問題，導(dǎo)致C腳電壓不能迅速下降，建議將輔助繞組減一匝，足夠維持光耦導(dǎo)通即可！

拯救萬民于水火的好東西！

我是聚興的Bruce,Lpar, 變壓器的原邊勵(lì)磁電感Lpri,變壓器的原邊總電感Lres，變壓器的原邊串聯(lián)電感，即為諧振電感對(duì)集成分槽式變壓器有Lpri=Lres+Lpar并且一般有Lpar=(4-6)*Lres,取值越大效率越高，但空載及輕載時(shí)的輸出電壓也會(huì)較高例如，對(duì)一150W，66Khz（滿載工作時(shí)的頻率）的LLC電源，ETD30磁芯，可以設(shè)置Lres=200uH，Lpar=1000uH

DPA是什么不懂，但開關(guān)電源在高頻工作一般要選擇PC95的材質(zhì)

mos管的雪崩能量也是指其寄生體二極管的能量，對(duì)所有的PN結(jié)，都有雪崩，這尤其是指二極管，晶閘管之類的。我在半導(dǎo)體廠干過，這點(diǎn)是確信無疑的（產(chǎn)品需要通過雪崩測(cè)試）

開關(guān)電源精講