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在做空載滿載切換時,有個問題要確認(rèn),共振式的DC/DC的輸入電壓變動範(fàn)圍不大,一般設(shè)計在20%,如果你使用的CM6900G的補償器反應(yīng)夠快(看過資料,控制器放在二次側(cè)應(yīng)該可以調(diào)整到很快)那輸出電壓應(yīng)該不會DROP超過10%,如果有那就要觀察輸出電壓DROP是否有跟PFC輸出電壓一樣的120HZ的漣波,如果有那就不是CM6900G的控制問題,應(yīng)該是PFC的輸出電壓DROP超過DC/DC的輸入電壓範(fàn)圍.原因很簡單,因為PFC的電壓回路頻寬很小,一般只有10HZ-30HZ,反應(yīng)很慢,在做空載滿載切換時,PFC也是在做做空載滿載切換,因此DROP很大,在DC/DC的輸出端看到PFC電壓DROP同時應(yīng)該PFC電壓上升回復(fù)時的120HZRIPPLE九會反應(yīng)在DC/DC的輸出.先做量測,看看波形,不要把現(xiàn)象當(dāng)問題,這樣你會進(jìn)步很快.

想做LLC的同步整流,必須了解,LLC的特性,由於LLC正常負(fù)載下操作在兩個共振點之間,對第一共振點(串聯(lián)共振點)而言是操作在電容性負(fù)載區(qū),因此共振電流為不連續(xù),這樣的意義是當(dāng)共振電流為零時,代表輸出電壓比變壓器電壓高,如果同步整流MOSFET未關(guān),輸出電壓便會經(jīng)MOSFET將能量回灌回一次測,造成一次側(cè)零電壓消失.功率損失變大.所以一般要做LLC的同步整流的成本與穩(wěn)定都要做好很困難的.所以反過來來說,如果不做LLC而做傳統(tǒng)的SRC,共振點(串聯(lián)共振點)而言是操作在電感性負(fù)載區(qū),因此共振電流為連續(xù),只要同步整流是隨主開關(guān)動作,就不會有能量回灌的問題,就理論上,LLC與SRC效率是一樣的,只有做同步整流才有差距.以及實現(xiàn)同步整流成本與穩(wěn)定性的差異.只是SRC的空載問題是一般共振控制IC沒辦法解決,業(yè)界的L6598/L6599在一定負(fù)載下才能正常工作,不然就必須用CM6900G來做共振SRC+SR的方式,或是用CM6901G做LLC+SR.

在這裡提醒一件事,BRIDGELESS的PFC架構(gòu),我們在10年前就做過了,效率要高市很簡單的事情,但是少了BRIDGE會發(fā)生甚麼事,infenoen大概不會跟大家說,因為那是產(chǎn)品設(shè)計者要去解決,一般而言,有BRIDGE的架構(gòu),在做EFT,DIP,SURGE時,因為bridge的peak電壓的忍受力遠(yuǎn)比mosfet高很多,當(dāng)bridgeless的架構(gòu)被採用後,所有EMC的測試所有要外加保護(hù)如VARISTOR,GASTUBE等零件就一定要加到不會讓MOSFET來忍不住,不然電源系統(tǒng)的FAILRATE會上昇很多..但是就infenoen而言,他們市MOSFET與IC的的設(shè)計,這是電源工程師的事,想用的人要自己解決.

Hi如果你要做300w以上的ledpowerdriver,必須先了解環(huán)境的工作溫度要求,效率要多高才能符合操作環(huán)境,不然容易選錯方案.如果是85-88%的方案用共振就可以,一般有ST的L6599/L6598或是用CM的CM6900G都市不錯的選擇,當(dāng)然如果你的效率要求要90-92%那只有用L6599加同步整流,用CM6900G則內(nèi)建同步整流,就是成本的差異了.

Hi看了CM6900G的資料,與你所說的似乎有所出入,我做過不少的共振的電源,不論是半橋或是全橋,到6KW得大型系統(tǒng)都做過,你說CM6900G的驅(qū)動問題,所以要DEADTIME調(diào)很大,這樣的說法是不正確的,一般會把DEADTIME調(diào)大,多是因為選用的MOSFET的特性與使用的驅(qū)動電路能力來決定,我看cm6900G的設(shè)計就是要自己外加驅(qū)動電路,如果你設(shè)計的驅(qū)動電路電流能力不夠,當(dāng)然要把DEADTIME加大,以前設(shè)計用過L6598,此IC的驅(qū)動內(nèi)建電流也是不夠,避免生產(chǎn)問題發(fā)生,也只好外加加速的驅(qū)動電路,以L6598/L6599的DEADTIME200NS/400NS就設(shè)計上反而因為驅(qū)動電流不夠而發(fā)生DEADTIME不夠的情形,大量生產(chǎn)因DEADTIME不夠所造成的不良比比皆是,所以設(shè)計上必需了解所有的產(chǎn)品的優(yōu)缺點,這樣設(shè)計才會進(jìn)步.你所提的幾個問題,我個人建議你可以多去了解各種架構(gòu)的觀念與各種零件的參數(shù)意義,一般而言控制IC只是一個零件,用的好壞還是看各人的設(shè)計能力,十幾年前我還是小R&D時,我看過很多世界一流的設(shè)計者,設(shè)計出非常好的設(shè)計,都不是用IC來做,都是自己把控制器用其他元件設(shè)計成他們想要的功能,這些方式就是IC設(shè)計的前一步驟,總而言之,就你所提CM6900G的問題,你可能要回頭將整個設(shè)計重新REVIEW一下,針對可以改善的部份下手,相信很快可以解決問題.我還是一句話,一位優(yōu)秀的工程人員,是能夠找出問題的,你所說的現(xiàn)象,可能10個以上的原因都會發(fā)生相同的現(xiàn)象,找出來你就進(jìn)步更多了.

hi你可以上cm6900用於adapter的問題中,有位說他已經(jīng)完成一系列的150wpower,也通過相關(guān)的EMC等等測試.或許你可以請教他.就我個人的經(jīng)驗,是不曾遇過放在二次側(cè)的IC會因為SURGE而損壞,以前是發(fā)生過IC周圍的線路因SURGETEST誤動作,送出高於IC腳位耐壓才造成問題,一般而言,如果IC是周圍電路誤動作所造成的問題,可以先把周圍的電路接到IC的PIN腳的都先移走,先把問題找出來,大前研一有說過一句話,大多數(shù)的人會把現(xiàn)象當(dāng)問題,這樣就找不到問題了.

L6598共振式控制器算是比較早期的產(chǎn)品,一直因為DEADTIME不夠,生產(chǎn)時會有一定的不良率發(fā)生,原廠的FAE在4年多前便了解,在當(dāng)時在其義大利的研發(fā)卻沒有改善,直至L6599加入BRUSTMODE把DEADTIME加至400ns才算是有一點改善,但是基本架構(gòu)設(shè)計的缺點依然沒變,經(jīng)過4年多還是沒改,算是可惜,可能是西方國家的自傲吧.有興趣的可以去思考一下L6598/6599的PWM的產(chǎn)生方式是用三角波,在軟啟動時由高頻啟動,DEADTIME會縮小,相對會有半橋HIGHSIDELOWSIDE的MOSFETSHORTTHOUGH的現(xiàn)象發(fā)生,以系統(tǒng)的設(shè)計來看,當(dāng)時的IC設(shè)計者對諧振的架構(gòu)與操作不甚了解才會犯此嚴(yán)重錯誤,同時不對稱的PWM波形會容易因為干擾發(fā)生,會造成半橋的MOSFET不正常,類似半波工作,造成MOSFET過熱的現(xiàn)象,當(dāng)然所有的問題都在5年前就有解決對策,也非原廠所提出,只是就IC設(shè)計與電源設(shè)計觀點,L6599/6598,應(yīng)該可以改善的更好.

以你所言,是使用原廠的DEMOBOARD做測試,一般而言要看原廠的DEMOBOARD做原設(shè)計為那一類的電源,如果要減少輸出電壓DROP一般還是要調(diào)整補償器的增益與頻寬,才會有所改善,但是就經(jīng)驗來說當(dāng)補償器已經(jīng)過飽和動作時,還是不容易改善,可能加入遲滯控制可以改善至你所需的規(guī)格內(nèi).

一般做adapter都有考慮空載功率損耗的因素,所以都沒有加入假負(fù)載,因此就控制的角度來看,控制器已經(jīng)進(jìn)入了過飽和的現(xiàn)象,無論是PWM或共振式的控制器都有空載跳滿載輸出電壓DROP的問題,一般而言解決方式加入遲滯控制的方式.就是外加一比較器當(dāng)輸出電壓DROP超過4-5%時,便強烈調(diào)整控制器的補償器的輸出,使得控制器反應(yīng)加速以避免輸出電壓DROP.