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LDO里面有帶隙基準源，跟穩(wěn)壓管類似吧，受溫度影響小，因為電壓值跟硅的帶隙電壓一致所以叫帶隙基準源

好籠統(tǒng)的問題啊……沒猜錯的話LZ說的是VCC管腳的電源退耦電容吧？這個電容值跟芯片輸出頻率有關(guān)系，電容的容抗最低點跟輸出頻率對上，那么就可以最大限度的退耦。印象里面100nF的陶瓷電容對應幾兆~10幾兆，10nF的陶瓷電容對應幾十兆。

輸出接到反向輸入端，正向輸入端接地

不知道你的電源的功率和結(jié)構(gòu)，個人猜測會有如下后果：1，輸出功率達不到額定值；2，MOSFET發(fā)熱要比220V輸入的時候大，整體效率降低。綜合來說，如果低輸入電壓和大輸出電流這兩種情況湊在一起，會嚴重拖低電源整體效率，導致發(fā)熱嚴重。時間長了會加速元器件老化。別的貌似沒有什么。

我也感覺應該和電流紋波系數(shù)有關(guān)

2576作為負壓buck-boost的時候啟動電流高達5A,一般的電源會進入保護狀態(tài),這一點在手冊上已經(jīng)明確寫出了,解決方法是加大vin退耦電容并加延時啟動電路.