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VDS20V足夠了,因?yàn)檩斎腚妷号c電池電壓的差遠(yuǎn)沒有40V(兩個(gè)MOSFET串聯(lián))

功耗=ID*ID*RDS(ON)其實(shí)功耗與發(fā)熱是同一個(gè)概念

選用MOSFET,最主要看以下參數(shù)1.BVDSS2.BVGSS3.ID4.RDS(ON)5.QG最后就是,最好流一定裕量

電路不清楚,沒法解釋,最好上傳個(gè)電路圖

這樣的MOSFET,其實(shí)很多,我們公司就有,關(guān)鍵要看RDS(ON),這個(gè)參數(shù)越小越好,小的話,可以提高效率.請(qǐng)參閱詳情Feature:VDS(V)=20V,ID=6ARDS(ON)=21mΩ@VGS=4.50VRDS(ON)=22mΩ@VGS=3.85VRDS(ON)=26mΩ@VGS=2.50V

開始時(shí)從體二極管流(因?yàn)槎O管導(dǎo)通比MOSFET快),當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),二極管關(guān)閉(因?yàn)镸OSFET的導(dǎo)通壓降比二極管小),二極管被嵌位(二極管關(guān)閉)

就我的理解,MOSFET的損壞分電流損壞,電壓損壞兩種電流損壞電流損壞就是MOSFET過(guò)的電流超過(guò)它的額定值ID,電壓損壞電壓損壞就是MOSFET的電壓超過(guò)它的額定值BVDSS,BVGSS其實(shí)最關(guān)鍵的就是過(guò)功率P=V*I大家可以參考“安全工作區(qū)”只要在安全工作區(qū)以內(nèi),一般MOSFET都不會(huì)有問(wèn)題,最好留一定的裕量值得注意的就是MOSFET很容易受ESD的影響

我們公司有這樣的MOSFET,請(qǐng)參閱!FeaturesVDS60V,VGS20V,ID75A,RDS(ON)