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暫無內(nèi)容
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變壓器繞法對雷擊的影響
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最新回復:2010-11-29 13:47
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輸出電容主要看規(guī)格中的輸出電流以及Vripple!ESR以及流經(jīng)電容的Irms決定Vripple,輸出電流決定電容該用的電容rating!其餘的在考慮溫度rating以及Life。一般會把點電容擺大的原因之一主要是因為ESR變??!
2012-07-10 11:04 回復
原帖:新人求助!?。?!開關電源輸出濾波電感電容怎么計算???
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目前ICDriver的能力,即使電阻擺到200ohm對效率的影響也不會很大,是會有些微影響!Driver改大,理論上dv/dt,di/dt變小,對EMC本來就會有幫助!
2012-07-10 10:59 回復
原帖:加大驅(qū)動電阻EMC好了很多
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我也不認為有問題,但是我老闆說Aux放在內(nèi)側(cè)耦合會比較好,所以雷擊會有比較大的影響!但是一般我們會把接Mos那一端的pin繞在內(nèi)側(cè),BulkCAP的那一pin繞在外側(cè),這樣雷擊打下來,BulkCAP那一pin首當其衝,所以Aux繞在外側(cè),不就是更糟??我們team已經(jīng)有很多實驗Aux繞在內(nèi)側(cè)雷擊會比較差!但是沒一個理論基礎!只知道Aux繞在內(nèi)側(cè)對EMI會比較好!
2010-11-29 13:47 回復
原帖:變壓器繞法對雷擊的影響
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Thermalcamera量測到的溫度與本體的輻射量有關!所以量測到的本體(黑色)溫度本就會比較高!量測到pin腳(金屬)的溫度本來就會比較低!建議還是用Thermalcouples量測吧!
2010-07-16 13:54 回復
原帖:關于二次側(cè)整流DIODE的溫度請教?
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一次側(cè)的snubber為何只放RC,而不是RCD?R1~R4阻值放太小,改為總值百K級的試試.
2009-08-31 10:41 回復
原帖:開關電源難題,有原理圖和示波器照片,期待高手參與討論....
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感量是0.9mH還是0.9uH啊?如果是0.9mH,那應該是在CCM吧?越CCM銅損會越低,所以問題就在鐵損,感量再放低,讓銅損與鐵損能獲得最家的平衡.
2009-08-31 10:36 回復
原帖:請教反激變壓器的氣隙和損耗關系
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1.Vcc的Diode用慢速的!2.Vcc的Diode併100p~1000P電容.以上對效率都會有影響,請注意.
2009-06-22 11:03 回復
原帖:關于Vcc繞法的問題?請教大家?
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Vcc繞在裡面耦合會比較好,輕重載切換,電壓飄動幅度比較低.
2009-06-17 15:49 回復
原帖:關于Vcc繞法的問題?請教大家?
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Sorry沒標示清楚,一般一次側(cè)就是Np,二次側(cè)就是Ns,n就是圈數(shù)比.
2009-06-17 15:25 回復
原帖:關于開關電源的兩種工作模式
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訂出你要的臨界電流(選擇要在多少%負載時進入CCM)IOB然後計算副邊峰值電流ΔISB =2IOB /(1-Dmax)再來計算次級電感Ls=(Vo+Vf)(1-Dmax)*Ts/ΔISB換成原邊電感Lp=n2Ls如果不想設計在CCM,IOB則選擇100%以上.基本上,重載在CCM時,測試低壓全載的溫度會比較低.越DCM鐵損會越高.
2009-06-16 09:50 回復
原帖:關于開關電源的兩種工作模式
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