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如果用單級(jí)BUCK的話(huà)，低壓輸入的時(shí)候?qū)ㄗ兊煤苄?，THD會(huì)比較大

10%Thd可以做到，但是你要做非隔全電壓的話(huà)，就要用BUCK-BOOST架構(gòu)，這樣成本會(huì)高一點(diǎn)，效率相對(duì)會(huì)低一點(diǎn)

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會(huì)發(fā)熱是因?yàn)橛袚p耗，而MOS的損耗由三部分組成：開(kāi)關(guān)，關(guān)斷，傳導(dǎo)損耗，把波形，電路圖，變壓器參數(shù)發(fā)上來(lái)就知道問(wèn)題點(diǎn)在哪里了

如果你的CBB旁邊是用的壓敏電阻且是471的那就很有可能是壓敏導(dǎo)通了溫度很高導(dǎo)致CBB損壞的CBB電容爆掉如果沒(méi)有過(guò)壓的情況下，基本上就是過(guò)溫度導(dǎo)致壞的了，以前也有遇到過(guò)紋波電流太大出問(wèn)題的，一般CBB電容本身的溫升不超過(guò)5度問(wèn)題都不大

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感覺(jué)你的波形都不太對(duì)，發(fā)兩個(gè)波形給你參考。

NBDY兄，如果你把匝比改為44：11的話(huà)會(huì)有以下幾個(gè)問(wèn)題：1.輸出為50V/0.7A那么VOR就有200V了2.匝比太大會(huì)導(dǎo)致漏感大，那么MSO尖峰就高了，保守一點(diǎn)先算它100V3.VOR太大也就是占空太大，芯片會(huì)工作不太正常，（雖然是臨界模式的）4.輸入264V的時(shí)候MOS的VDS大約為(尖峰按100V)675V，如果是短路的話(huà)可能會(huì)更高，這樣的話(huà)得用800V或更高耐壓的MOS，成本會(huì)上升，而且MOS耐壓越高導(dǎo)通電阻就越大

你的變壓器設(shè)計(jì)沒(méi)有太大的問(wèn)題，你可以看看VDS波形有沒(méi)有振蕩，如果也很好的話(huà)，你可以試一下，把次級(jí)減少二圈，把次級(jí)二極管換成一個(gè)SF56電流和電壓都?jí)蛄耍ㄓ枚€(gè)二極直接并聯(lián)不太好，有時(shí)會(huì)有EMC或者是別的問(wèn)題）這樣MOS的溫度會(huì)好一些，但是能下來(lái)多少，只能去試了，如果還不行，只能換更低內(nèi)阻的MOS了，祝你好運(yùn)