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樓主，能否發(fā)我一份精通開關電源設計到我郵箱Lrh_gd@163.com,謝謝

賽爾康，但一部分也是給三星做的充電器。

FET開慢點驅動損耗大、效率低（Pgs=Vgs×Qg×fs  Qg=It=CissVsg)

歐洲能源標準不斷提高，超結MOSFET和低VF值的肖特基市場應用應該是一個大的趨勢；現(xiàn)在韓國的充電器已經(jīng)大量使用超結MOSFET。

想辦法降低漏感，選擇雪崩能量高的MOS，一般廠家600V的MOS電壓都會做到630以上。

[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/72/110591229072607.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

文工:你好!請幫我看下這個用SMD802做的原理圖,輸出19.2V,550MA效率很低,只有66%,MOS管很燙

這是個縮圖,可按CTRL+鼠標中鍵進行縮放

謝謝回復,看得到呀

不好意思,我這里沒有實驗設備,是沒有接地的二類設備.是做垂直和水平耦合板的間接放電測試不過,謝謝