如何測(cè)量功率回路中的雜散電感？
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感……
運(yùn)放分析和實(shí)際應(yīng)用
由于“虛短”，且同相輸入端接地，所以此種組態(tài)電路具有虛地特性，即反相輸入端近似地電位……
使用示波器測(cè)量共射極放大電路的頻率響應(yīng)
理想的放大電路對(duì)所有頻段的信號(hào)具有一致的放大增益，現(xiàn)實(shí)中的放大電路只能對(duì)某一頻段的信號(hào)進(jìn)行一致的放大。放大電路的頻率響應(yīng)用來描述輸出增益在輸入信號(hào)頻率變化時(shí)如何變化。
跟隨器和同相放大電路，誰的輸入阻抗高？
最近被問了一個(gè)問題：反相放大電路、同相放大電路、跟隨器，誰的輸入阻抗高？正確答案應(yīng)該是：跟隨器輸入阻抗最大，同相放大電路次之，反相放大電路輸入阻抗最小。接下來就來簡(jiǎn)單分析一下原因……
