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MOS管代替繼電器

最近新開發(fā)一個(gè)產(chǎn)品，有用到一個(gè)DC3V的繼電器，主要作用是控制3V/ 1.5A的電源給負(fù)載供電.

后在測試中發(fā)現(xiàn)，在高溫環(huán)境下，繼電器的觸點(diǎn)會(huì)有接觸不良的現(xiàn)實(shí)，導(dǎo)致輸出有時(shí)有，有時(shí)無，負(fù)載無法工作，因成本考慮，不可能用更好的，

后發(fā)現(xiàn)鋰電池保護(hù)板上的電路，故想采用MOS管來代替繼電器，就用8205A試了下，可以達(dá)到效果，但是壓降比較大，達(dá)到1V,我是直接搭的電路，就在DG上面接了個(gè)電阻，

為何鋰電池保護(hù)板上可以達(dá)到要求，我這樣接卻不能用，求高手指點(diǎn)，謝??！

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ne5532
LV.7
2
2012-08-30 16:01

沙發(fā)自己坐了，，靜待高手指點(diǎn)。。。。。。。。。

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2012-08-30 16:23

你的電路NMOS管GS間控制電壓不夠，1V壓差是非飽和導(dǎo)通狀態(tài)。鋰電保護(hù)板是把mos串在負(fù)極端，通過保護(hù)芯片提供2.5v以上的控制電壓?？蓞⒄障聢DM1接法(負(fù)極控制/不共地）或用PMOS(正極控制/共地）來做。

 

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winsemi
LV.3
4
2012-08-30 16:35
@ne5532
沙發(fā)自己坐了，，靜待高手指點(diǎn)。。。。。。。。。
需要用到MOS管，晶體管，可控硅等電子元器件可以到我們深圳市穩(wěn)先微電子有限公司的網(wǎng)站上看看www--winsemi---com
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2012-08-30 22:21
不能這么用哦，可以講N-FET放在負(fù)端設(shè)計(jì)。。。
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ne5532
LV.7
6
2012-08-31 08:41
@ymyangyong
你的電路NMOS管GS間控制電壓不夠，1V壓差是非飽和導(dǎo)通狀態(tài)。鋰電保護(hù)板是把mos串在負(fù)極端，通過保護(hù)芯片提供2.5v以上的控制電壓?？蓞⒄障聢DM1接法(負(fù)極控制/不共地）或用PMOS(正極控制/共地）來做。[圖片] 

謝謝您的解答，可能是我理解錯(cuò)誤，但按MOS的導(dǎo)通原則，又講不通，還是我先按您的方法接到負(fù)極試一下，

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ne5532
LV.7
7
2012-08-31 12:39
@ne5532
謝謝您的解答，可能是我理解錯(cuò)誤，但按MOS的導(dǎo)通原則，又講不通，還是我先按您的方法接到負(fù)極試一下，

MOS接到負(fù)載的負(fù)端，經(jīng)過實(shí)際測試，壓降為0.03V,電性可以達(dá)到要求，但問題是和原來整個(gè)產(chǎn)品的思路有沖突，有一些原有的功能沒辦法實(shí)現(xiàn)。

關(guān)于PMOS接法可否達(dá)到原來的要求？請幫忙推薦一個(gè)低成本的PMOS，謝?。?/p>

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