司坦森集成電路 產(chǎn)品降價(jià) 通知?。?!
司坦森集成電路是一家臺系、專業(yè)場效應(yīng)MOSFET設(shè)計(jì)開發(fā)生產(chǎn)商
全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.
原廠供應(yīng)。性價(jià)比優(yōu)厚。
主推料號:
ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…
ST3400,ST3401,3402….ST3413…
STP9435,STP4953,STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…
STC4606,STN4828(專用inverter)
STP6635,STN454,STN442D,STN413,ST16N10,ST13P10,ST36N10
STP3052。。。(TO-252/251)
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原廠現(xiàn)貨,歡迎來電垂詢!
司坦森集成電路
http//www.stansontech.com
Tel:13684977366 賀 生
QQ:595639271
ST2301 替代 SI2301 AO3423 FDN302 FDN342P FDN338P APM2301 APM2313 APM2323 STM2309
ST2302 替代 SI2302 TN0200T FDN339AN FDN371N FDN335N APM2314 APM2324
ST2303 替代 SI2303 SI2307 SI2323 AO3405 AO3409 AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307
ST2304 替代 SI2304 SI2306 AO3406 AO3404 NDS355AN APM2306
ST2305 替代 SI2305
ST2341 替代 AO3415
ST2342 替代 AO3416 AO3420
ST3400 替代 AO3400
ST3401 替代 AO3401
ST3407 AO3407
ST3413 SI2321 AO3413 AO3419
ST3414 SI2412 SI3418 AO3414 APM2300 APM2312
ST3403 SI2341 SI2307 AO3403
ST3402 SI2316 AO3402 AO3418 FDV303N FDN359AN FDN361AN
ST7400 AO7400 AO7410
ST1413 SI1303 SI1307 APM1401STN423 APM1402
ST1443 SI1304 SI1302
ST1413A SI1413DH AO7411 AO7415 FDG326P
ST1423A SI1410DH AO7408 FDG329N
ST1433A SI1433DH AO7405 AO7405 FDG316P
STP1013 SI1013
STN1012 SI1012
STP4953 替代 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953
STC4539 替代 SI4539 APM4542
STN4440 替代 AO4440
ST9435 SI9435 SI 4431 AO4405 FDS 9435
STP9437 AO4403
STP4435 SI4431 SI4435 SI4425 AO4411 AO4415 FDS8435 FDS4435 FDS6675
STP9527
STN4412 SI4412 S4416 SI9410 AO4412 AO4414
STN4426
STN4346 SI4362 SI7442 SI4404 SI4888 AO4404
STN 4392 SI4346 AO4430
STN4402 SI4420 SI4882 SI4820 SI4894 AO4420 AO4422 AO4466 FDS 6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 IRF7413
STN4546
STN4526
STN4436 STN4850
STN4440 AO4440
STP4953 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953
STP4803
STN4920 SI4920 AO4812
STN4828 SI4900 AO4828
STN9926
STN6303 SI912 AO7800 FDC6335 FDC6303
STN6561 AO6802 FDC6561
STN6562 AO6800 FDC6561
STP6308 SI1913 AO7801 FDC6308
STP6506 SI4447 SO4443 FDC6506
STP6507 AO6801 FDC6506
STC4539 SI4539 APM4542
STC4614 SI4567 AOS4614
STC4527
STC6601 SI3590 AO6601 FDC6432
STC6602 SI3552 AO6602 FDC6333
STC6604 SI3586 SI3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C
STC6332 SI1563 AO7600 FDC6332
ST8835 SG6848 LD7535
聯(lián)系人:賀生 13684977366 QQ 595639271
臺灣大電流MOS管 聯(lián)系人 賀生 13684977366
溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)
首先,來做一個實(shí)驗(yàn),把一個MOSFET的G懸空,然后在DS上加電壓,那么會出現(xiàn)什么情況呢?很多工程師都知道,MOS會導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢?因?yàn)槲腋緵]有加驅(qū)動電壓,MOS怎么會導(dǎo)通?用下面的圖,來做個仿真:
去探測G極的電壓,發(fā)現(xiàn)電壓波形如下:
G極的電壓居然有4V多,難怪MOSFET會導(dǎo)通,這是因?yàn)镸OSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
更多資訊請聯(lián)絡(luò) 賀生 13684977366
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等離子電視(PDP)是利用惰性氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線VUV,激發(fā)低能熒光粉發(fā)光來實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅(qū)動電路產(chǎn)生高壓脈沖來驅(qū)動屏體電極。PDP驅(qū)動電路中存在大量的功率開關(guān)器件,并要求功率開關(guān)器件有極快的開關(guān)速度(包括由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的過渡時(shí)間Toff,和由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ倪^渡時(shí)間Ton),以及大電流、高耐壓的要求。
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MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí),開關(guān)關(guān)閉,而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。
第一步:選用N溝道還是P溝道
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎?span>P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
要選擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動器件所需的電壓,以及在設(shè)計(jì)中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設(shè)計(jì)人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍,確保電路不會失效。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。
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第二步:確定額定電流
第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定,該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,設(shè)計(jì)人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流,即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOSFET處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。
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選好額定電流后,還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下,MOSFET并不是理想的器件,因?yàn)樵趯?dǎo)電過程中會有電能損耗,這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越?。环粗?span>RDS(ON)就會越高。對系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來說,這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對便攜式設(shè)計(jì)來說,采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對于工業(yè)設(shè)計(jì),可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。
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