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司坦森 MOS管 降價通知?。?！

溫馨提示：8月份開始，我司大部分產(chǎn)品如ST9435A,STP4435，STC4606，STN4828等都有不同程度的降價，歡迎垂詢，預(yù)祝合作愉快??！

  聯(lián)系人  賀生  13684977366

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2012-07-23 09:44

司坦森集成電路是一家臺系、專業(yè)場效應(yīng)MOSFET設(shè)計開發(fā)生產(chǎn)商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.

原廠供應(yīng)。性價比優(yōu)厚。

主推料號：

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST3401，3402….ST3413…

STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(專用inverter)

STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

……

原廠現(xiàn)貨，歡迎來電垂詢!

司坦森集成電路

http//www.stansontech.com

Tel:13684977366 賀  生

QQ:595639271

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2012-07-25 09:35
@stanson_tech
司坦森集成電路是一家臺系、專業(yè)場效應(yīng)MOSFET設(shè)計開發(fā)生產(chǎn)商全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.原廠供應(yīng)。性價比優(yōu)厚。主推料號：ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…ST3400,ST3401，3402….ST3413…STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…STC4606,STN4828(專用inverter)STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10STP3052。。。(TO-252/251)……原廠現(xiàn)貨，歡迎來電垂詢!司坦森集成電路http//www.stansontech.comTel:13684977366賀 生QQ:595639271
場效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動電路中，這些優(yōu)點主要是：
　?。?/b>1）場效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，從而有較高的開關(guān)速度。
　?。?/b>2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點和二次擊穿，同時它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問題。
　?。?/b>3）具有較高的開啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計和調(diào)試帶來很大的方便。
　?。?/b>4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動功率小，而且驅(qū)動電路簡單。
詳情請聯(lián)絡(luò) 賀生 13684977366
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2012-07-26 09:38
@stanson_tech
場效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動電路中，這些優(yōu)點主要是：　　（1）場效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，從而有較高的開關(guān)速度。　?。?）具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點和二次擊穿，同時它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問題?！　。?）具有較高的開啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計和調(diào)試帶來很大的方便?！　。?）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動功率小，而且驅(qū)動電路簡單。詳情請聯(lián)絡(luò)賀生13684977366
最后，對MOS管及柵極驅(qū)動器在PDP驅(qū)動電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：
　?。?/b>1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗至關(guān)重要。
　?。?/b>2）柵極驅(qū)動器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
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2012-07-27 11:21
@stanson_tech
最后，對MOS管及柵極驅(qū)動器在PDP驅(qū)動電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：　　（1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗至關(guān)重要。　?。?）柵極驅(qū)動器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
培訓(xùn)繼續(xù)啊。。。
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2012-07-31 15:21
@stanson_tech
培訓(xùn)繼續(xù)啊。。。
ST8835全面替代ID7535\OB2263
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mfkddd2
LV.2
7
2012-07-31 16:00
@司坦森集成電路
ST8835全面替代ID7535\OB2263
**此帖已被管理員刪除**
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2012-08-03 09:44
@mfkddd2
**此帖已被管理員刪除**
司坦森MOS管原廠生產(chǎn)廠家本司誠招代理分銷商。有意向的朋友請電話聯(lián)系，聯(lián)系人：賀生 電話 13684977366。。 產(chǎn)品系列 2301 2302 2305 2306 2307 3400 3401 3401 9435 4953 6848 8835 8433 5853 4606 9926 4920 4435 8205 等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦周邊.MP3. MP4. DVB. DVD,應(yīng)用領(lǐng)域，ＬＣＤ顯示器，ＬＣＤ　ＴＶ，便攜式ＤＶＤ，車載ＤＶＤ，筆記本電腦，ＰＤＡ，電源，穩(wěn)壓器，逆變器，高壓條 適配器 數(shù)碼相機,電子游戲機.電子玩具等多重數(shù)碼產(chǎn)品

ST2301 替代 SI2301 AO3423 FDN302 FDN342P FDN338P APM2301 APM2313 APM2323 STM2309

ST2302 替代 SI2302 TN0200T FDN339AN FDN371N FDN335N APM2314 APM2324

ST2303 替代 SI2303 SI2307 SI2323 AO3405 AO3409 AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307

ST2304 替代 SI2304 SI2306 AO3406 AO3404 NDS355AN APM2306

ST2305 替代 SI2305

ST2341 替代 AO3415

ST2342 替代 AO3416 AO3420

ST3400 替代 AO3400

ST3401 替代 AO3401

ST3407 AO3407

ST3413 SI2321 AO3413 AO3419

ST3414 SI2412 SI3418 AO3414 APM2300 APM2312

ST3403 SI2341 SI2307 AO3403

ST3402 SI2316 AO3402 AO3418 FDV303N FDN359AN FDN361AN

ST7400 AO7400 AO7410

ST1413 SI1303 SI1307 APM1401

STN423 APM1402

ST1443 SI1304 SI1302

ST1413A SI1413DH AO7411 AO7415 FDG326P

ST1423A SI1410DH AO7408 FDG329N

ST1433A SI1433DH AO7405 AO7405 FDG316P

STP1013 SI1013

STN1012 SI1012

STP4953 替代 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953

STC4539 替代 SI4539 APM4542

STN4440 替代 AO4440

ST9435 SI9435 SI 4431 AO4405 FDS 9435

STP9437 AO4403

STP4435 SI4431 SI4435 SI4425 AO4411 AO4415 FDS8435 FDS4435 FDS6675

STP9527

STN4412 SI4412 S4416 SI9410 AO4412 AO4414

STN4426

STN4346 SI4362 SI7442 SI4404 SI4888 AO4404

STN 4392 SI4346 AO4430

STN4402 SI4420 SI4882 SI4820 SI4894 AO4420 AO4422 AO4466 FDS 6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 IRF7413

STN4546

STN4526

STN4436 STN4850

STN4440 AO4440

STP4953 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953

STP4803

STN4920 SI4920 AO4812

STN4828 SI4900 AO4828

STN9926

STN6303 SI912 AO7800 FDC6335 FDC6303

STN6561 AO6802 FDC6561

STN6562 AO6800 FDC6561

STP6308 SI1913 AO7801 FDC6308

STP6506 SI4447 SO4443 FDC6506

STP6507 AO6801 FDC6506

STC4539 SI4539 APM4542

STC4614 SI4567 AOS4614

STC4527

STC6601 SI3590 AO6601 FDC6432

STC6602 SI3552 AO6602 FDC6333

STC6604 SI3586 SI3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C

STC6332 SI1563 AO7600 FDC6332

ST8835 SG6848 LD7535

聯(lián)系人：賀生 13684977366 QQ 595639271

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2012-08-07 10:10

臺灣大電流MOS管 聯(lián)系人 賀生 13684977366

溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)

Part No. TYPE VDSS VGS VTH IDS RDS(Max) PD Package Data Sheet
Min Max 25°C 10V 4.5V 2.5V 1.8V 5.0V 25°C
V V V V A m Ω m Ω m Ω m Ω m Ω W
STN454D N 40 20 1.0 3.0 10 25 27 - - - 50 TO-251/TO-252
STP413D P 40 20 0.8 2.5 12 36 52 - - - 50 TO-251/TO-252
STN4189D P 40 20 1.0 3.0 12 18 23 - - - TO-251/TO-252

STN4186D

N 40 20 1.0 3.0 35 13 15 - - - TO-251/TO-252
STP6635GH P 30 20 1.0 3.0 40 20 36 60 TO-251/TO-252
STP3052D P 30 20 1.0 3.0 25 45 50 60 TO-251/TO-252
STN442D N 60 20 1.0 3.0 37 24 31 - - - 62 TO-251/TO-252
STP601D P 60 20 1.0 3.0 30 20 27 - - - 60 TO-251/TO-252

STN4130

 N 60 20 1.0 3.0 30 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4110 N 60 20 1.0 3.0 40 10 12 - - - 60 TO-251/TO-252
STN8882D N 30 20 1.0 3.0 60 5 7 - - - 100 TO-251/TO-252
STN410D N 30 12 0.8 1.6 15 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4102 N 30 20 1.0 3.0 15 32 40 - - - 60 TO-251/TO-252
STN484D N 30 20 1.0 2.5 30 8 13 60 TO-251/TO-252
ST13P10 P 100 20 2.0 4.0 13 130 - - - - 66 TO-251/TO-252
ST16N10 N 100 20 2.0 4.0 12 160 - - - - 79 TO-251/TO-252
ST12N10D N 100 20 1.0 3.0 12 170 190 - - - 79 TO-251/TO-252
ST36N10D N 100 20 1.0 3.0 36 40 42 - - - 80 TO-251/TO-252
 
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2012-08-08 11:13
@司坦森集成電路
臺灣大電流MOS管聯(lián)系人賀生13684977366溝槽式場效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[圖片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[圖片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[圖片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[圖片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[圖片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[圖片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[圖片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[圖片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[圖片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[圖片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[圖片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[圖片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[圖片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[圖片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[圖片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252[圖片] 
危機、機遇，從來都是并存的?。?！
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2012-08-10 10:28

臺灣大電流MOS管 聯(lián)系人 賀生 13684977366

溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)

Part No. TYPE VDSS VGS VTH IDS RDS(Max) PD Package Data Sheet
Min Max 25°C 10V 4.5V 2.5V 1.8V 5.0V 25°C
V V V V A m Ω m Ω m Ω m Ω m Ω W
STN454D N 40 20 1.0 3.0 10 25 27 - - - 50 TO-251/TO-252
STP413D P 40 20 0.8 2.5 12 36 52 - - - 50 TO-251/TO-252
STN4189D P 40 20 1.0 3.0 12 18 23 - - - TO-251/TO-252

STN4186D

N 40 20 1.0 3.0 35 13 15 - - - TO-251/TO-252
STP6635GH P 30 20 1.0 3.0 40 20 36 60 TO-251/TO-252
STP3052D P 30 20 1.0 3.0 25 45 50 60 TO-251/TO-252
STN442D N 60 20 1.0 3.0 37 24 31 - - - 62 TO-251/TO-252
STP601D P 60 20 1.0 3.0 30 20 27 - - - 60 TO-251/TO-252

STN4130

 N 60 20 1.0 3.0 30 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4110 N 60 20 1.0 3.0 40 10 12 - - - 60 TO-251/TO-252
STN8882D N 30 20 1.0 3.0 60 5 7 - - - 100 TO-251/TO-252
STN410D N 30 12 0.8 1.6 15 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4102 N 30 20 1.0 3.0 15 32 40 - - - 60 TO-251/TO-252
STN484D N 30 20 1.0 2.5 30 8 13 60 TO-251/TO-252
ST13P10 P 100 20 2.0 4.0 13 130 - - - - 66 TO-251/TO-252
ST16N10 N 100 20 2.0 4.0 12 160 - - - - 79 TO-251/TO-252
ST12N10D N 100 20 1.0 3.0 12 170 190 - - - 79 TO-251/TO-252
ST36N10D N 100 20 1.0 3.0 36 40 42 - - - 80 TO-251/TO-252
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2012-08-13 10:15
@司坦森集成電路
臺灣大電流MOS管聯(lián)系人賀生13684977366溝槽式場效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[圖片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[圖片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[圖片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[圖片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[圖片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[圖片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[圖片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[圖片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[圖片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[圖片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[圖片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[圖片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[圖片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[圖片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[圖片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252
真芯無限?。?！
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2012-08-14 10:19
@司坦森集成電路
臺灣大電流MOS管聯(lián)系人賀生13684977366溝槽式場效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[圖片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[圖片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[圖片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[圖片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[圖片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[圖片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[圖片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[圖片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[圖片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[圖片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[圖片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[圖片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[圖片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[圖片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[圖片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252

首先，來做一個實驗，把一個MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？因為我根本沒有加驅(qū)動電壓，MOS怎么會導(dǎo)通？用下面的圖，來做個仿真：

去探測G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：

G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導(dǎo)通，這是因為MOSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。

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hkguoda
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14
2012-08-15 10:55
@stanson_tech
場效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動電路中，這些優(yōu)點主要是：　　（1）場效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，從而有較高的開關(guān)速度。　?。?）具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點和二次擊穿，同時它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問題?！　。?）具有較高的開啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計和調(diào)試帶來很大的方便?！　。?）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動功率小，而且驅(qū)動電路簡單。詳情請聯(lián)絡(luò)賀生13684977366


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2012-08-20 09:35
@司坦森集成電路
首先，來做一個實驗，把一個MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？因為我根本沒有加驅(qū)動電壓，MOS怎么會導(dǎo)通？用下面的圖，來做個仿真：[圖片]去探測G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：[圖片]G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導(dǎo)通，這是因為MOSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
 
最后，對MOS管及柵極驅(qū)動器在PDP驅(qū)動電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：
　?。?/b>1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗至關(guān)重要。
　?。?/b>2）柵極驅(qū)動器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
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szwggk
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2012-08-22 09:52
@司坦森集成電路
司坦森MOS管原廠生產(chǎn)廠家本司誠招代理分銷商。有意向的朋友請電話聯(lián)系，聯(lián)系人：賀生電話13684977366。。產(chǎn)品系列2301230223052306230734003401340194354953684888358433585346069926492044358205等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦周邊.MP3.MP4.DVB.DVD,應(yīng)用領(lǐng)域，ＬＣＤ顯示器，ＬＣＤ?。裕郑銛y式ＤＶＤ，車載ＤＶＤ，筆記本電腦，ＰＤＡ，電源，穩(wěn)壓器，逆變器，高壓條適配器數(shù)碼相機,電子游戲機.電子玩具等多重數(shù)碼產(chǎn)品ST2301替代SI2301AO3423FDN302FDN342PFDN338PAPM2301APM2313APM2323STM2309ST2302替代SI2302TN0200TFDN339ANFDN371NFDN335NAPM2314APM2324ST2303替代SI2303SI2307SI2323AO3405AO3409AO3421FDN360PFDN358PFDN352APAPM2307ST2304替代SI2304SI2306AO3406AO3404NDS355ANAPM2306ST2305替代SI2305ST2341替代AO3415ST2342替代AO3416AO3420ST3400替代AO3400ST3401替代AO3401ST3407AO3407ST3413SI2321AO3413AO3419ST3414SI2412SI3418AO3414APM2300APM2312ST3403SI2341SI2307AO3403ST3402SI2316AO3402AO3418FDV303NFDN359ANFDN361ANST7400AO7400AO7410ST1413SI1303SI1307APM1401STN423APM1402ST1443SI1304SI1302ST1413ASI1413DHAO7411AO7415FDG326PST1423ASI1410DHAO7408FDG329NST1433ASI1433DHAO7405AO7405FDG316PSTP1013SI1013STN1012SI1012STP4953替代SI4953AO4803FDS8958APM4953STC4539替代SI4539APM4542STN4440替代AO4440ST9435SI9435SI4431AO4405FDS9435STP9437AO4403STP4435SI4431SI4435SI4425AO4411AO4415FDS8435FDS4435FDS6675STP9527STN4412SI4412S4416SI9410AO4412AO4414STN4426STN4346SI4362SI7442SI4404SI4888AO4404STN4392SI4346AO4430STN4402SI4420SI4882SI4820SI4894AO4420AO4422AO4466FDS6630AFDS6614AFDS6680FDS6924IRF7413STN4546STN4526STN4436STN4850STN4440AO4440STP4953SI4953AO4803FDS8958APM4953STP4803STN4920SI4920AO4812STN4828SI4900AO4828STN9926STN6303SI912AO7800FDC6335FDC6303STN6561AO6802FDC6561STN6562AO6800FDC6561STP6308SI1913AO7801FDC6308STP6506SI4447SO4443FDC6506STP6507AO6801FDC6506STC4539SI4539APM4542STC4614SI4567AOS4614STC4527STC6601SI3590AO6601FDC6432STC6602SI3552AO6602FDC6333STC6604SI3586SI3588AO6604FDC6420FDC6327APM2701CSTC6332SI1563AO7600FDC6332ST8835SG6848LD7535聯(lián)系人：賀生13684977366QQ595639271回復(fù)2帖

各位兄弟們大家好我是來自萬國高科電子有限公司的鄭萍，我公司主要是做一些 中 高 低壓的mos管 暢銷應(yīng)用管及各參數(shù)的二極管 如肖特 基快恢復(fù) tvs 主要代理的牌子有一下幾個品牌 AOS美國萬代 仙童 st ir 強茂 等品有需要的各位兄弟可聯(lián)系我，以下是我的聯(lián)系方式AOS代理全系列場效應(yīng)管，MOSFET：
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Tel:0755-82043503
Fax:0755-82874889
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MSN:zhengzhiping0123@126.com
QQ:125952234
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hkguoda
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17
2012-08-23 11:15



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產(chǎn)品參數(shù)資料：
 




 
產(chǎn)品應(yīng)用：
 
 ME（松木）產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA顯卡、STB機頂盒、主板、鋰電池保護（PCM/BP）等產(chǎn)品，應(yīng)用型號參考如下：
鋰電池保護應(yīng)用：
SO-8：　ME4336 ME4346,ME4348,ME4384,ME4410,ME4411,ME4413D,ME4936,ME4946,ME4946A,ME4948,
ME4953,ME4970...
SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A,ME2347,ME2349D...
TSSOP-8：ME6913D,ME6914D,ME6970,ME6972,ME6968ED...
數(shù)碼相機(SOT23)：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306 ,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A...
手機:ME3424,ME3433D,ME3443,ME3446,ME3460,ME3481,ME3941D,ME3500,ME3502,ME3585,
ME3587,ME3902,ME3946,ME3948,ME3981....
主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,
ME40N03,ME45P04,ME60N03,ME60N04,
ME70N03,ME70N30S,ME70P04,ME75N03,ME75N80CD
LCD B/L（Inverter）：ME4920,ME4922,ME4925,ME4936,ME4946...
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2012-08-27 09:30
@hkguoda
[圖片]★本公司鄭重承諾所提供（AOS美國萬代）產(chǎn)品.均為進口原裝正品★  產(chǎn)品參數(shù)資料： [圖片] 產(chǎn)品應(yīng)用：  ME（松木）產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA顯卡、STB機頂盒、主板、鋰電池保護（PCM/BP）等產(chǎn)品，應(yīng)用型號參考如下：鋰電池保護應(yīng)用：SO-8：　ME4336ME4346,ME4348,ME4384,ME4410,ME4411,ME4413D,ME4936,ME4946,ME4946A,ME4948,ME4953,ME4970...SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A,ME2347,ME2349D...TSSOP-8：ME6913D,ME6914D,ME6970,ME6972,ME6968ED...數(shù)碼相機(SOT23)：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A...手機:ME3424,ME3433D,ME3443,ME3446,ME3460,ME3481,ME3941D,ME3500,ME3502,ME3585,ME3587,ME3902,ME3946,ME3948,ME3981....主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,ME40N03,ME45P04,ME60N03,ME60N04,ME70N03,ME70N30S,ME70P04,ME75N03,ME75N80CDLCDB/L（Inverter）：ME4920,ME4922,ME4925,ME4936,ME4946...MP3/PMP：ME1302AT3,ME1303,ME1304AT3,ME1308,ME1403D,ME1413D,ME1472,ME2301,ME2302. 聯(lián)系方式：以上為部分型號.需要更多型號請聯(lián)系以下方式：深圳市金萬順電子有限公司地址:深圳市福田區(qū)中航路國利大廈A座2705室聯(lián)系人:陳先生電話:0755-83214597-8004QQ:1796889185傳真:0755-23805801QQ:1796889185 
 
PDP驅(qū)動電路是一種高壓開關(guān)電路，電壓幅值負幾十伏到正幾百伏左右，工作頻率100~233kHz，驅(qū)動電路的設(shè)計選型對PDP的畫面質(zhì)量尤為重要。
　　在基于“開關(guān)”的驅(qū)動電路設(shè)計完成后，需要解決兩個問題：一是選擇合適的MOS管替代驅(qū)動電路中的“開關(guān)”，二是進行MOS管的柵極驅(qū)動電路設(shè)計。
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2012-09-03 14:58
 
MOS管存在兩種轉(zhuǎn)換過程：一是導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程，二是關(guān)斷轉(zhuǎn)換過程。
　　右圖為MOS管導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程的示意圖，導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程分為4個區(qū)間，Vgs－t曲線是單調(diào)遞增的，對應(yīng)于MOS管柵極電容的充電過程，區(qū)間Ⅲ的平臺是由于MOS管的密勒電容引起的?？梢钥?/b>出，區(qū)間Ⅱ和Ⅲ的電壓與電流重疊，是MOS管導(dǎo)通過程功耗最大的區(qū)域。
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2012-10-10 11:52
@hkguoda
代理AOS美國萬代，MOS場效應(yīng)管，原裝正品，低價實惠！AO3400(A)AO3401(A)AO3402A03403AO3406AO3407AO3409AO3413AO3414AO3415AO3416AO3418AO3422AO3423AO4403AO4407AAO4409AO4419AO4435AO4466AO4468AO4459AO4606AO4803AAO4828AO4842AO6409AO8822AO8810AO9926BAOD403AOD442AOD480AOD452ALAOD484AOD464AOD409AOD407AOD4132AO7600AO7800AOZ1094AI(AOZ1014AI)AOZ1016AI本公司承諾只做代理原裝正品，不做國產(chǎn)和假貨!需要原裝正品AOS系列的朋友請聯(lián)系：深圳市金萬順電子有限公司電話：0755-83214597地址：福田區(qū)中航路國利大廈A座2705
假日綜合癥。。。
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2012-10-12 11:15
@mfkddd2
**此帖已被管理員刪除**
 
場效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動電路中，這些優(yōu)點主要是：
　?。?/b>1）場效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，從而有較高的開關(guān)速度。
　?。?/b>2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點和二次擊穿，同時它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問題。
　?。?/b>3）具有較高的開啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計和調(diào)試帶來很大的方便。
　　（4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動功率小，而且驅(qū)動電路簡單。
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2012-10-17 15:28
@司坦森集成電路
真芯無限?。?！

MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

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2012-10-19 14:55
@司坦森集成電路
 MOS管存在兩種轉(zhuǎn)換過程：一是導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程，二是關(guān)斷轉(zhuǎn)換過程?！　∮覉D為MOS管導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程的示意圖，導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程分為4個區(qū)間，Vgs－t曲線是單調(diào)遞增的，對應(yīng)于MOS管柵極電容的充電過程，區(qū)間Ⅲ的平臺是由于MOS管的密勒電容引起的。可以看出，區(qū)間Ⅱ和Ⅲ的電壓與電流重疊，是MOS管導(dǎo)通過程功耗最大的區(qū)域。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動器件所需的電壓，以及在設(shè)計中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設(shè)計人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。

詳情請咨詢 賀生 13684977366

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2012-10-22 09:54
@司坦森集成電路
第一步：選用N溝道還是P溝道為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動器件所需的電壓，以及在設(shè)計中最簡易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設(shè)計人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。詳情請咨詢賀生13684977366

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定，該額定電流應(yīng)是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

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2012-10-24 13:29
@司坦森集成電路
第二步：確定額定電流第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定，該額定電流應(yīng)是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。
元芳，你怎么看？？？
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2012-10-29 10:40
@司坦森集成電路
元芳，你怎么看？？？
培訓(xùn)繼續(xù)：

選好額定電流后，還必須計算導(dǎo)通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。對系統(tǒng)設(shè)計人員來說，這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對便攜式設(shè)計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設(shè)計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。

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humanpco
LV.2
27
2012-10-31 16:03
@司坦森集成電路
培訓(xùn)繼續(xù)：選好額定電流后，還必須計算導(dǎo)通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。對系統(tǒng)設(shè)計人員來說，這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對便攜式設(shè)計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設(shè)計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。

本司代理華晶和美國FIRST福斯特MOS管、二三極管等，詳情請咨詢 張生QQ2223092631


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2012-11-05 13:52
@humanpco
本司代理華晶和美國FIRST福斯特MOS管、二三極管等，詳情請咨詢 張生QQ2223092631

通過了解MOSFET的類型及了解和決定它們的重要性能特點，設(shè)計人員就能針對特定設(shè)計選擇正確的MOSFET。由于MOSFET是電氣系統(tǒng)中最基本的部件之一，選擇正確的MOSFET對整個設(shè)計是否成功起著關(guān)鍵的作用。

 

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2012-11-07 15:06
@humanpco
本司代理華晶和美國FIRST福斯特MOS管、二三極管等，詳情請咨詢 張生QQ2223092631

第四步：決定開關(guān)性能

選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOSFET的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，設(shè)計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關(guān)的總功率可用如下方程表達：Psw=(Eon+Eoff)×開關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大。

基于開關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開發(fā)以解決這個開關(guān)問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷；而這會使器件尺寸增大。為了減少開關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運而生，旨在減少柵極電荷。舉例說，SuperFET這種新技術(shù)就可通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對開關(guān)過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開關(guān)頻率下可靠地工作。

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2012-11-12 09:38
@司坦森集成電路
司坦森MOS管原廠生產(chǎn)廠家本司誠招代理分銷商。有意向的朋友請電話聯(lián)系，聯(lián)系人：賀生電話13684977366。。產(chǎn)品系列2301230223052306230734003401340194354953684888358433585346069926492044358205等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦周邊.MP3.MP4.DVB.DVD,應(yīng)用領(lǐng)域，ＬＣＤ顯示器，ＬＣＤ?。裕?，便攜式ＤＶＤ，車載ＤＶＤ，筆記本電腦，ＰＤＡ，電源，穩(wěn)壓器，逆變器，高壓條適配器數(shù)碼相機,電子游戲機.電子玩具等多重數(shù)碼產(chǎn)品ST2301替代SI2301AO3423FDN302FDN342PFDN338PAPM2301APM2313APM2323STM2309ST2302替代SI2302TN0200TFDN339ANFDN371NFDN335NAPM2314APM2324ST2303替代SI2303SI2307SI2323AO3405AO3409AO3421FDN360PFDN358PFDN352APAPM2307ST2304替代SI2304SI2306AO3406AO3404NDS355ANAPM2306ST2305替代SI2305ST2341替代AO3415ST2342替代AO3416AO3420ST3400替代AO3400ST3401替代AO3401ST3407AO3407ST3413SI2321AO3413AO3419ST3414SI2412SI3418AO3414APM2300APM2312ST3403SI2341SI2307AO3403ST3402SI2316AO3402AO3418FDV303NFDN359ANFDN361ANST7400AO7400AO7410ST1413SI1303SI1307APM1401STN423APM1402ST1443SI1304SI1302ST1413ASI1413DHAO7411AO7415FDG326PST1423ASI1410DHAO7408FDG329NST1433ASI1433DHAO7405AO7405FDG316PSTP1013SI1013STN1012SI1012STP4953替代SI4953AO4803FDS8958APM4953STC4539替代SI4539APM4542STN4440替代AO4440ST9435SI9435SI4431AO4405FDS9435STP9437AO4403STP4435SI4431SI4435SI4425AO4411AO4415FDS8435FDS4435FDS6675STP9527STN4412SI4412S4416SI9410AO4412AO4414STN4426STN4346SI4362SI7442SI4404SI4888AO4404STN4392SI4346AO4430STN4402SI4420SI4882SI4820SI4894AO4420AO4422AO4466FDS6630AFDS6614AFDS6680FDS6924IRF7413STN4546STN4526STN4436STN4850STN4440AO4440STP4953SI4953AO4803FDS8958APM4953STP4803STN4920SI4920AO4812STN4828SI4900AO4828STN9926STN6303SI912AO7800FDC6335FDC6303STN6561AO6802FDC6561STN6562AO6800FDC6561STP6308SI1913AO7801FDC6308STP6506SI4447SO4443FDC6506STP6507AO6801FDC6506STC4539SI4539APM4542STC4614SI4567AOS4614STC4527STC6601SI3590AO6601FDC6432STC6602SI3552AO6602FDC6333STC6604SI3586SI3588AO6604FDC6420FDC6327APM2701CSTC6332SI1563AO7600FDC6332ST8835SG6848LD7535聯(lián)系人：賀生13684977366QQ595639271回復(fù)2帖
11.11你脫光了嗎？？？
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2012-11-13 13:54
@司坦森集成電路
第四步：決定開關(guān)性能選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOSFET的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，設(shè)計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關(guān)的總功率可用如下方程表達：Psw=(Eon+Eoff)×開關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大?；陂_關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開發(fā)以解決這個開關(guān)問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷；而這會使器件尺寸增大。為了減少開關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運而生，旨在減少柵極電荷。舉例說，SuperFET這種新技術(shù)就可通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對開關(guān)過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開關(guān)頻率下可靠地工作。

基于開關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開發(fā)以解決這個開關(guān)問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷；而這會使器件尺寸增大。為了減少開關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運而生，旨在減少柵極電荷。舉例說，SuperFET這種新技術(shù)就可通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對開關(guān)過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開關(guān)頻率下可靠地工作。

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