C值改小有利于效率提升

一種方法是測試不加吸收電路時的前兩個峰值決定的頻率,然后加上電容使頻率變?yōu)椴患游针娐返?倍.然后求出R.
還有一種是有計算公式,不過那公式我也沒用過.等我找到了貼上去.僅供參考.
  希望大家多討論

還有一個就是輸出整流二極管的吸收電路的值也是很重要的,如果設(shè)計不合理,就會使輸出濾波設(shè)計失敗.

加電容只能使頻率變低,怎么加上電容能使頻率變?yōu)椴患游针娐返?倍?

是不是1/3

請教:怎么計算輸出整流管的吸收電路的這個R ,C的值,他們的選取和什么有關(guān)?還望指教

為什么增加電容頻率會下降?我是菜鳥

先測量變壓器漏感,漏感儲能
P=0.5LoIp^2
這個能量會由Snubber消耗掉.
電容上的能量關(guān)系
P=0.5CV^2
確定你的鉗位電壓后容量就出來了.然后計算你的消耗電阻R.
計算你的放電周期時間常數(shù)t=RC 這里t可以取10-20倍的開關(guān)周期.
你可能會問:這樣豈不能量堆積越來越多?因為每次能量沒有釋放完全,不用擔(dān)心,當(dāng)能量堆積和熱輻射達到平衡后就可以了.

增加電容后,沖放電的時間加長,即頻率變小

是1/3,上貼寫錯了.

計算吸收網(wǎng)絡(luò)時需要知道變壓器的漏電感.一個簡便的方法就是取其為初
級電感的某一百分?jǐn)?shù);另一個方法就是短路次級,在初級實際測量漏電感.如
果變壓器結(jié)構(gòu)合理,所用導(dǎo)線適合,由此得出的結(jié)果很理想.

所需緩沖電壓計算公式如下:

                 VSNUB=VDSS-VDcmax-VR
                    
此處VR是由次級到初級的反射電壓.通常我們設(shè)定此值約為100V.
二極管需要能夠承受住最小緩沖電壓與最大DC總線電壓的和電壓.因此:
                 VD3>VSNUB+VDCmax
                  
      
    電流的額定值不需要與緩沖器中的均方根電流一樣大,它通常相對較小,
所以常常使用1-2A 的二極管.二極管應(yīng)是快恢復(fù)型的以便在FET導(dǎo)通時減小
反向流通電流.

吸收電容和電阻的計算公式如下:
                 C=IP2×LLK(VR+VSNUB) × VSNUB
                 R= (VSNUB+VR)2- VR20.5×LLK×IP2×fDCmax
此處fDCmax是最大DC總線電壓時的頻率,一般地fDCmax是fmin的2倍.

先估算一下,初選RC,只要功率管的耐壓夠,R阻值盡量放大,以減小LOSS,可實際調(diào)試決定,C大小對效率影響不大.

大俠你的公式寫的讓人看不明白.請解釋什么是LLK,IP2是IP平方嗎

我想RCD的目的有兩個
1. MOSFET的保護
2. 對其它電路, 設(shè)備的干擾

只要這兩個要求滿足了, R上的損耗應(yīng)設(shè)計的足夠小,

1096304403.doc
希望有幫助

很好!謝謝

還是以自己實驗出來的最佳效果為主

記號先

建議大家都別用RCD做吸收了,損耗很大的,我的電源30-90W電源都是采用無源無損吸收的,MOSFET管幾乎沒溫度,大大提高了轉(zhuǎn)換效率

請教一下：什么叫無源無損吸收？ 有電路（簡圖）最好，謝謝！

 

不夠詳細......

我也想知道無源無損吸收是怎么樣的？

加不了啊

mark

樓上有這方面的資料嗎，分享一下。關(guān)于初級RCD和輸出整流管的RC吸收回路，有很多設(shè)計方法，但是最終的結(jié)果，各有利有弊。都是在參考值的基礎(chǔ)上，調(diào)試所得啊。

次級整流管的RC吸收回路的設(shè)計主要靠調(diào)試，以前CMG大師有很詳細的論證，這一方面我也試驗過，方法如下：

1.測量次級二極管引起的尖峰頻率 fo；

2.在二極管上面并聯(lián)電容，不斷加大電容值Cx，直到步驟1的頻率變?yōu)?fo/2 ；根據(jù)LC諧振公式，頻率的平方反比于電容，因此，推算出分布電容為 Co=Cx/3；然后根據(jù) Co 和 fo 推算分布電感  Lo；

3.計算特征阻抗：Z= Lo/Co。

4.RC吸收回路：電阻等于特征阻抗，即R=Z，這樣子LC諧振在臨界阻尼，剛好沒有尖峰；

                       電容值C取Co的5~10倍皆可以，電容足夠大，以免影響回路的分布電容，導(dǎo)致 Z 值偏移，吸收效果不好，或者根據(jù)C值再微調(diào)R。