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MOSFET開關(guān) 尖峰 無法消除，請諸位專家指點(diǎn)

小弟做了一電路，用PWM驅(qū)動N MOSFET，實(shí)現(xiàn)電流的控制（瞬態(tài)70A左右，平均30A~40A）。

MOSFET驅(qū)動電壓為12V。頻率 20KHz，一共6個80A 60V的 MOSFET并聯(lián)。

在調(diào)試的過程中發(fā)現(xiàn)，MOSFET 的S極的反向脈沖很高，最高達(dá)到了80V。

 

嘗試了直接接反向二極管（跨接在負(fù)載上面），沒有效果

嘗試了在電源端、MOSFET Source極接1uF、0.01uF CBB電容到地，也沒有效果

后來嘗試了多種參數(shù) RCD吸收電路，有一些效果。我嘗試的RCD參數(shù)，R 5K~10K、C 0.01uF~0.1uF的組合，還有R 5K、C 1~2uF的組合，還有R 50~100歐， C1 ~2uF的組合，快恢復(fù)二極管是用ST的STTH1602CT ， 200V 20A，一個和兩個并聯(lián)都試過。

以上組合都試過，效果都差不多。脈沖峰值降到了60V左右。

 

但這個仍然是很高啊，對外部干擾非常大，MOSFET發(fā)熱也很厲害。

 

請問諸位專家，這個有什么解決方案嗎？非常感謝?。?/P>

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zhenxiang
LV.10
2
2012-06-12 08:55
MOS 漏源間的內(nèi)部二極管可能速度不夠快，在外部并個快恢復(fù)試試。還可以在負(fù)載2端并接快恢復(fù)二極管 不可能一點(diǎn)效果沒有
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2012-06-12 09:47
@zhenxiang
MOS漏源間的內(nèi)部二極管可能速度不夠快，在外部并個快恢復(fù)試試。還可以在負(fù)載2端并接快恢復(fù)二極管不可能一點(diǎn)效果沒有

謝謝zhenxiang版主，我補(bǔ)上了一個圖。請幫我看看

這個電路圖，MOSFET和G極電阻實(shí)際上有六組并聯(lián)。驅(qū)動腳的電壓和波形用示波器測量過，是正常的。

尖峰的消除，試過三個方案，分別用黃色線框出來了。

 

 

方案1有效果，能從80V降到60V。方案2和方案3，沒有看到明顯的效果。

測量點(diǎn)分別在負(fù)載的兩端，脈沖基本一致。

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2012-06-12 09:51
@rfpowerstudy
謝謝zhenxiang版主，我補(bǔ)上了一個圖。請幫我看看這個電路圖，MOSFET和G極電阻實(shí)際上有六組并聯(lián)。驅(qū)動腳的電壓和波形用示波器測量過，是正常的。尖峰的消除，試過三個方案，分別用黃色線框出來了。[圖片]  方案1有效果，能從80V降到60V。方案2和方案3，沒有看到明顯的效果。測量點(diǎn)分別在負(fù)載的兩端，脈沖基本一致。

以下兩張圖，是實(shí)際測量的波形（方案1，R 100歐，C 2uF）。示波器探頭 10X

 

 

 

 

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zhenxiang
LV.10
5
2012-06-12 13:21
@rfpowerstudy
以下兩張圖，是實(shí)際測量的波形（方案1，R100歐，C2uF）。示波器探頭10X[圖片]  [圖片]  
或者把MOS關(guān)斷時間搞慢點(diǎn)估計(jì)能小，但帶來的是MOS損耗的加大
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2012-09-17 20:37
@rfpowerstudy
以下兩張圖，是實(shí)際測量的波形（方案1，R100歐，C2uF）。示波器探頭10X[圖片]  [圖片]  
你的負(fù)載是那個電感嗎？MOS關(guān)斷，電感肯定會產(chǎn)生反壓，并聯(lián)二極管肯定有用的。
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2012-11-21 20:20
@rfpowerstudy
謝謝zhenxiang版主，我補(bǔ)上了一個圖。請幫我看看這個電路圖，MOSFET和G極電阻實(shí)際上有六組并聯(lián)。驅(qū)動腳的電壓和波形用示波器測量過，是正常的。尖峰的消除，試過三個方案，分別用黃色線框出來了。[圖片]  方案1有效果，能從80V降到60V。方案2和方案3，沒有看到明顯的效果。測量點(diǎn)分別在負(fù)載的兩端，脈沖基本一致。

不知道你有沒有試過方案2加方案3呢？

就是把電容和電阻串聯(lián)起來。

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ZYLi
LV.3
8
2012-12-01 15:14
@rfpowerstudy
謝謝zhenxiang版主，我補(bǔ)上了一個圖。請幫我看看這個電路圖，MOSFET和G極電阻實(shí)際上有六組并聯(lián)。驅(qū)動腳的電壓和波形用示波器測量過，是正常的。尖峰的消除，試過三個方案，分別用黃色線框出來了。[圖片]  方案1有效果，能從80V降到60V。方案2和方案3，沒有看到明顯的效果。測量點(diǎn)分別在負(fù)載的兩端，脈沖基本一致。

方案一，考慮吸收電路的時間參數(shù)，方案二，考慮用快恢復(fù)二極管，另外也要考慮反向峰值能量全部加在二極管上會有很高的熱損耗！，至于方案三，最好還是別用，這樣會加大MOSFET的發(fā)熱。

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2012-12-03 09:04
@ZYLi
方案一，考慮吸收電路的時間參數(shù)，方案二，考慮用快恢復(fù)二極管，另外也要考慮反向峰值能量全部加在二極管上會有很高的熱損耗！，至于方案三，最好還是別用，這樣會加大MOSFET的發(fā)熱。
方案1 吧， 相當(dāng)于是能量從MOS管轉(zhuǎn)至你的RCD上去了。
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三撅
LV.4
10
2012-12-13 12:06
我的吸收回路參數(shù)是104的CBB電容，20Ω的1206電阻，吸收效果很不錯
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2012-12-13 14:30
@三撅
我的吸收回路參數(shù)是104的CBB電容，20Ω的1206電阻，吸收效果很不錯
請教下你的參數(shù)怎么配的呢？
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三撅
LV.4
12
2012-12-13 16:25
@天堂的妖
請教下你的參數(shù)怎么配的呢？
試驗(yàn)出來的，計(jì)算什么的，一看公式就無語了，什么寄生電感，漏電流，都沒法子得到的數(shù)據(jù)，我只有實(shí)驗(yàn)了
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