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低壓大電流場(chǎng)效應(yīng)MOS管 司坦森集成電路!??!

 

Tel:13684977366

QQ:595639271

 

司坦森集成電路是一家臺(tái)系、專業(yè)場(chǎng)效應(yīng)MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.

原廠供應(yīng)。性價(jià)比優(yōu)厚。

主推料號(hào):

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST34013402….ST3413…

STP9435,STP4953,STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(專用inverter)

STP6635,STN454,STN442D,STN413,ST16N10,ST13P10,ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

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原廠現(xiàn)貨,歡迎來(lái)電垂詢!

司坦森集成電路

http//www.stansontech.com

Tel:13684977366  

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全部回復(fù)(17)
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2012-06-07 13:22
物料齊全,總有一款適合你。。。
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2012-06-12 09:49
@stanson_tech
物料齊全,總有一款適合你。。。
標(biāo)準(zhǔn)做到全面,服務(wù)做到無(wú)限!??!
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2012-06-14 13:45
打醬油。。。
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2012-06-18 10:20
 
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)由于具有如下優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動(dòng)電路中,這些優(yōu)點(diǎn)主要是:
 ?。?/b>1)場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電,不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng),從而有較高的開(kāi)關(guān)速度。
  (2)具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿,同時(shí)它具有正的溫度系數(shù),容易并聯(lián)使用,可以解決大電流問(wèn)題。
 ?。?/b>3)具有較高的開(kāi)啟電壓,即閾值電壓,因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力,給電路設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來(lái)很大的方便。
  (4)由于它是電壓控制器件,具有很高的輸入阻抗,因此驅(qū)動(dòng)功率小,而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。
詳情請(qǐng)聯(lián)絡(luò)  賀生  13684977366
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2012-06-20 09:42

培訓(xùn)繼續(xù)。。。

等離子電視(PDP)是利用惰性氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線VUV,激發(fā)低能熒光粉發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生高壓脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)屏體電極。PDP驅(qū)動(dòng)電路中存在大量的功率開(kāi)關(guān)器件,并要求功率開(kāi)關(guān)器件有極快的開(kāi)關(guān)速度(包括由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的過(guò)渡時(shí)間Toff,和由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ倪^(guò)渡時(shí)間Ton),以及大電流、高耐壓的要求。
司坦森 賀生 13684977366
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2012-06-25 10:06
@stanson_tech
培訓(xùn)繼續(xù)。。。等離子電視(PDP)是利用惰性氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線VUV,激發(fā)低能熒光粉發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生高壓脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)屏體電極。PDP驅(qū)動(dòng)電路中存在大量的功率開(kāi)關(guān)器件,并要求功率開(kāi)關(guān)器件有極快的開(kāi)關(guān)速度(包括由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的過(guò)渡時(shí)間Toff,和由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ倪^(guò)渡時(shí)間Ton),以及大電流、高耐壓的要求。司坦森賀生13684977366

選用MOS管必須參考的幾大參數(shù)指標(biāo):

1)耐壓BVdss(V)
2)最大直流漏電流Id(A)
3)漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)
4)漏極功耗Pd(W)
5)輸入電容Ciss(pF)
6)上升時(shí)間tr(ns) 導(dǎo)通時(shí)間ton(ns) 下降時(shí)間tf(ns)
    關(guān)斷時(shí)間toff(ns) 反向恢復(fù)時(shí)間trr(ns)
7)柵極總電荷Qg(nC)
8)溝道溫度Tch(℃) 結(jié)溫度Tj(℃)
9)微分電壓dv/dt(V/ns)
10)熱阻Rthck(K/W
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2012-06-27 13:25
@stanson_tech
選用MOS管必須參考的幾大參數(shù)指標(biāo):1)耐壓BVdss(V)(2)最大直流漏電流Id(A)(3)漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)(4)漏極功耗Pd(W)(5)輸入電容Ciss(pF)(6)上升時(shí)間tr(ns) 導(dǎo)通時(shí)間ton(ns) 下降時(shí)間tf(ns)   關(guān)斷時(shí)間toff(ns) 反向恢復(fù)時(shí)間trr(ns)(7)柵極總電荷Qg(nC)(8)溝道溫度Tch(℃) 結(jié)溫度Tj(℃)(9)微分電壓dv/dt(V/ns)(10)熱阻Rthck(K/W
 
通過(guò)以上對(duì)MOS管轉(zhuǎn)換過(guò)程的分析,得出對(duì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求:
 ?。?/b>1)柵極驅(qū)動(dòng)電路的延遲時(shí)間要小,有助于減少柵壓Vgs上升時(shí)間。
 ?。?/b>2)柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出峰值電流要大,大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時(shí)間,從而縮短平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間。
 ?。?/b>3)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化率dv/dt要大,以便縮短?hào)艍?/b>Vgs上升或下降時(shí)間。
  滿足上述要求的柵極驅(qū)動(dòng)電路,能夠加快MOS管的轉(zhuǎn)換過(guò)程,減少電壓Vds與電流Id的重疊區(qū)域,有助于減少MOS管的開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS開(kāi)關(guān)損耗的外界因素,而性能優(yōu)良的MOS是獲得低開(kāi)關(guān)損耗導(dǎo)通損耗的內(nèi)在因素。
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2012-07-02 09:28
@stanson_tech
選用MOS管必須參考的幾大參數(shù)指標(biāo):1)耐壓BVdss(V)(2)最大直流漏電流Id(A)(3)漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)(4)漏極功耗Pd(W)(5)輸入電容Ciss(pF)(6)上升時(shí)間tr(ns) 導(dǎo)通時(shí)間ton(ns) 下降時(shí)間tf(ns)   關(guān)斷時(shí)間toff(ns) 反向恢復(fù)時(shí)間trr(ns)(7)柵極總電荷Qg(nC)(8)溝道溫度Tch(℃) 結(jié)溫度Tj(℃)(9)微分電壓dv/dt(V/ns)(10)熱阻Rthck(K/W
期待下一節(jié)培訓(xùn)跟上?。?!
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2012-07-05 10:37
@stanson_tech
期待下一節(jié)培訓(xùn)跟上!??!

培訓(xùn)繼續(xù)。。。

理想的柵極驅(qū)動(dòng)器是高速開(kāi)關(guān)高峰值電流兩者的結(jié)合,而高性能的MOS管,能夠減少對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的要求,簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),優(yōu)良的柵極驅(qū)動(dòng)電路與高性能的MOS管相結(jié)合,才能制作出高性能的PDP驅(qū)動(dòng)電路。
  目前,柵極驅(qū)動(dòng)電路有現(xiàn)成的專用IC(柵極驅(qū)動(dòng)器),如IR產(chǎn)的IR2110S、IXYS產(chǎn)的IX6R11S3等。
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2012-07-06 14:09
@stanson_tech
 通過(guò)以上對(duì)MOS管轉(zhuǎn)換過(guò)程的分析,得出對(duì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求: ?。?)柵極驅(qū)動(dòng)電路的延遲時(shí)間要小,有助于減少柵壓Vgs的上升時(shí)間?! 。?)柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出峰值電流要大,大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時(shí)間,從而縮短平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間?! 。?)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化率dv/dt要大,以便縮短?hào)艍篤gs的上升或下降時(shí)間?! M足上述要求的柵極驅(qū)動(dòng)電路,能夠加快MOS管的轉(zhuǎn)換過(guò)程,減少電壓Vds與電流Id的重疊區(qū)域,有助于減少M(fèi)OS管的開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS開(kāi)關(guān)損耗的外界因素,而性能優(yōu)良的MOS是獲得低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的內(nèi)在因素。
相當(dāng)給力!
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2012-07-09 11:19
@stanson_tech
物料齊全,總有一款適合你。。。
搜索。。。;。
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2012-07-11 10:46
 
最后,對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié):
 ?。?/b>1)在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下,Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要。
  (2)柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用,柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流,還要有高速的電壓變化率dv/dt)。
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2012-07-13 09:34
@stanson_tech
 最后,對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié): ?。?)在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下,Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少M(fèi)OS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要?! 。?)柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用,柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流,還要有高速的電壓變化率(dv/dt)。
培訓(xùn)還有不???
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2012-07-16 09:36
@stanson_tech
期待下一節(jié)培訓(xùn)跟上!!!
期待奧運(yùn)、。。。
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2012-07-17 15:12
@stanson_tech
培訓(xùn)繼續(xù)。。。理想的柵極驅(qū)動(dòng)器是高速開(kāi)關(guān)和高峰值電流兩者的結(jié)合,而高性能的MOS管,能夠減少對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的要求,簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),優(yōu)良的柵極驅(qū)動(dòng)電路與高性能的MOS管相結(jié)合,才能制作出高性能的PDP驅(qū)動(dòng)電路?! ∧壳?,柵極驅(qū)動(dòng)電路有現(xiàn)成的專用IC(柵極驅(qū)動(dòng)器),如IR產(chǎn)的IR2110S、IXYS產(chǎn)的IX6R11S3等。
原裝正品、假一賠十。。。
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2012-07-23 11:15
@stanson_tech
 通過(guò)以上對(duì)MOS管轉(zhuǎn)換過(guò)程的分析,得出對(duì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求:  (1)柵極驅(qū)動(dòng)電路的延遲時(shí)間要小,有助于減少柵壓Vgs的上升時(shí)間?! 。?)柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出峰值電流要大,大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時(shí)間,從而縮短平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間?! 。?)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化率dv/dt要大,以便縮短?hào)艍篤gs的上升或下降時(shí)間。  滿足上述要求的柵極驅(qū)動(dòng)電路,能夠加快MOS管的轉(zhuǎn)換過(guò)程,減少電壓Vds與電流Id的重疊區(qū)域,有助于減少M(fèi)OS管的開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS開(kāi)關(guān)損耗的外界因素,而性能優(yōu)良的MOS是獲得低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的內(nèi)在因素。
秋盹。。
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2012-07-26 09:37
@stanson_tech
培訓(xùn)還有不???
培訓(xùn)繼續(xù)啊。。。
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