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低壓大電流場(chǎng)效應(yīng)MOS管 司坦森集成電路！??！

 

Tel:13684977366 賀 生

QQ:595639271

 

司坦森集成電路是一家臺(tái)系、專業(yè)場(chǎng)效應(yīng)MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.

原廠供應(yīng)。性價(jià)比優(yōu)厚。

主推料號(hào)：

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST3401，3402….ST3413…

STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(專用inverter)

STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

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原廠現(xiàn)貨，歡迎來(lái)電垂詢!

司坦森集成電路

http//www.stansontech.com

Tel:13684977366 賀  生

QQ:595639271

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2012-06-07 13:22
物料齊全，總有一款適合你。。。
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2012-06-12 09:49
@stanson_tech
物料齊全，總有一款適合你。。。
標(biāo)準(zhǔn)做到全面，服務(wù)做到無(wú)限！??！
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2012-06-14 13:45
打醬油。。。
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2012-06-18 10:20
 
場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動(dòng)電路中，這些優(yōu)點(diǎn)主要是：
　?。?/b>1）場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，從而有較高的開(kāi)關(guān)速度。
　　（2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿，同時(shí)它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問(wèn)題。
　?。?/b>3）具有較高的開(kāi)啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來(lái)很大的方便。
　　（4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動(dòng)功率小，而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。
詳情請(qǐng)聯(lián)絡(luò)  賀生  13684977366
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2012-06-20 09:42

培訓(xùn)繼續(xù)。。。

等離子電視（PDP）是利用惰性氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線VUV，激發(fā)低能熒光粉發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生高壓脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)屏體電極。PDP驅(qū)動(dòng)電路中存在大量的功率開(kāi)關(guān)器件，并要求功率開(kāi)關(guān)器件有極快的開(kāi)關(guān)速度（包括由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的過(guò)渡時(shí)間Toff，和由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ倪^(guò)渡時(shí)間Ton），以及大電流、高耐壓的要求。
司坦森 賀生 13684977366
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2012-06-25 10:06
@stanson_tech
培訓(xùn)繼續(xù)。。。等離子電視（PDP）是利用惰性氣體放電產(chǎn)生的真空紫外線VUV，激發(fā)低能熒光粉發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生高壓脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)屏體電極。PDP驅(qū)動(dòng)電路中存在大量的功率開(kāi)關(guān)器件，并要求功率開(kāi)關(guān)器件有極快的開(kāi)關(guān)速度（包括由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的過(guò)渡時(shí)間Toff，和由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ倪^(guò)渡時(shí)間Ton），以及大電流、高耐壓的要求。司坦森賀生13684977366

選用MOS管必須參考的幾大參數(shù)指標(biāo)：

1）耐壓BVdss(V)
（2）最大直流漏電流Id(A)
（3）漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)
（4）漏極功耗Pd(W)
（5）輸入電容Ciss(pF)
（6）上升時(shí)間tr(ns)　導(dǎo)通時(shí)間ton(ns)　下降時(shí)間tf(ns)
　　  關(guān)斷時(shí)間toff(ns)　反向恢復(fù)時(shí)間trr(ns)
（7）柵極總電荷Qg(nC)
（8）溝道溫度Tch（℃）　結(jié)溫度Tj（℃）
（9）微分電壓dv/dt(V/ns)
（10）熱阻Rthck(K/W
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2012-06-27 13:25
@stanson_tech
選用MOS管必須參考的幾大參數(shù)指標(biāo)：1）耐壓BVdss(V)（2）最大直流漏電流Id(A)（3）漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)（4）漏極功耗Pd(W)（5）輸入電容Ciss(pF)（6）上升時(shí)間tr(ns)　導(dǎo)通時(shí)間ton(ns)　下降時(shí)間tf(ns)　　 關(guān)斷時(shí)間toff(ns)　反向恢復(fù)時(shí)間trr(ns)（7）柵極總電荷Qg(nC)（8）溝道溫度Tch（℃）　結(jié)溫度Tj（℃）（9）微分電壓dv/dt(V/ns)（10）熱阻Rthck(K/W
 
通過(guò)以上對(duì)MOS管轉(zhuǎn)換過(guò)程的分析，得出對(duì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求：
　?。?/b>1）柵極驅(qū)動(dòng)電路的延遲時(shí)間要小，有助于減少柵壓Vgs的上升時(shí)間。
　?。?/b>2）柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出峰值電流要大，大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時(shí)間，從而縮短平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間。
　?。?/b>3）柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化率dv/dt要大，以便縮短?hào)艍?/b>Vgs的上升或下降時(shí)間。
　　滿足上述要求的柵極驅(qū)動(dòng)電路，能夠加快MOS管的轉(zhuǎn)換過(guò)程，減少電壓Vds與電流Id的重疊區(qū)域，有助于減少MOS管的開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS開(kāi)關(guān)損耗的外界因素，而性能優(yōu)良的MOS是獲得低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的內(nèi)在因素。
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2012-07-02 09:28
@stanson_tech
選用MOS管必須參考的幾大參數(shù)指標(biāo)：1）耐壓BVdss(V)（2）最大直流漏電流Id(A)（3）漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)（4）漏極功耗Pd(W)（5）輸入電容Ciss(pF)（6）上升時(shí)間tr(ns)　導(dǎo)通時(shí)間ton(ns)　下降時(shí)間tf(ns)　　 關(guān)斷時(shí)間toff(ns)　反向恢復(fù)時(shí)間trr(ns)（7）柵極總電荷Qg(nC)（8）溝道溫度Tch（℃）　結(jié)溫度Tj（℃）（9）微分電壓dv/dt(V/ns)（10）熱阻Rthck(K/W
期待下一節(jié)培訓(xùn)跟上?。?！
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2012-07-05 10:37
@stanson_tech
期待下一節(jié)培訓(xùn)跟上！??！

培訓(xùn)繼續(xù)。。。

理想的柵極驅(qū)動(dòng)器是高速開(kāi)關(guān)和高峰值電流兩者的結(jié)合，而高性能的MOS管，能夠減少對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的要求，簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，優(yōu)良的柵極驅(qū)動(dòng)電路與高性能的MOS管相結(jié)合，才能制作出高性能的PDP驅(qū)動(dòng)電路。
　　目前，柵極驅(qū)動(dòng)電路有現(xiàn)成的專用IC（柵極驅(qū)動(dòng)器），如IR產(chǎn)的IR2110S、IXYS產(chǎn)的IX6R11S3等。
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2012-07-06 14:09
@stanson_tech
 通過(guò)以上對(duì)MOS管轉(zhuǎn)換過(guò)程的分析，得出對(duì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求：　?。?）柵極驅(qū)動(dòng)電路的延遲時(shí)間要小，有助于減少柵壓Vgs的上升時(shí)間?！　。?）柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出峰值電流要大，大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時(shí)間，從而縮短平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間?！　。?）柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化率dv/dt要大，以便縮短?hào)艍篤gs的上升或下降時(shí)間?！　M足上述要求的柵極驅(qū)動(dòng)電路，能夠加快MOS管的轉(zhuǎn)換過(guò)程，減少電壓Vds與電流Id的重疊區(qū)域，有助于減少M(fèi)OS管的開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS開(kāi)關(guān)損耗的外界因素，而性能優(yōu)良的MOS是獲得低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的內(nèi)在因素。
相當(dāng)給力！
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2012-07-09 11:19
@stanson_tech
物料齊全，總有一款適合你。。。
搜索。。。；。
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2012-07-11 10:46
 
最后，對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：
　?。?/b>1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要。
　　（2）柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
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2012-07-13 09:34
@stanson_tech
 最后，對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：　?。?）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少M(fèi)OS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要?！　。?）柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
培訓(xùn)還有不？？？
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2012-07-16 09:36
@stanson_tech
期待下一節(jié)培訓(xùn)跟上！！！
期待奧運(yùn)、。。。
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2012-07-17 15:12
@stanson_tech
培訓(xùn)繼續(xù)。。。理想的柵極驅(qū)動(dòng)器是高速開(kāi)關(guān)和高峰值電流兩者的結(jié)合，而高性能的MOS管，能夠減少對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的要求，簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，優(yōu)良的柵極驅(qū)動(dòng)電路與高性能的MOS管相結(jié)合，才能制作出高性能的PDP驅(qū)動(dòng)電路?！　∧壳?，柵極驅(qū)動(dòng)電路有現(xiàn)成的專用IC（柵極驅(qū)動(dòng)器），如IR產(chǎn)的IR2110S、IXYS產(chǎn)的IX6R11S3等。
原裝正品、假一賠十。。。
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2012-07-23 11:15
@stanson_tech
 通過(guò)以上對(duì)MOS管轉(zhuǎn)換過(guò)程的分析，得出對(duì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求：　　（1）柵極驅(qū)動(dòng)電路的延遲時(shí)間要小，有助于減少柵壓Vgs的上升時(shí)間?！　。?）柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出峰值電流要大，大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時(shí)間，從而縮短平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間?！　。?）柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化率dv/dt要大，以便縮短?hào)艍篤gs的上升或下降時(shí)間。　　滿足上述要求的柵極驅(qū)動(dòng)電路，能夠加快MOS管的轉(zhuǎn)換過(guò)程，減少電壓Vds與電流Id的重疊區(qū)域，有助于減少M(fèi)OS管的開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS開(kāi)關(guān)損耗的外界因素，而性能優(yōu)良的MOS是獲得低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的內(nèi)在因素。
秋盹。。
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2012-07-26 09:37
@stanson_tech
培訓(xùn)還有不？？？
培訓(xùn)繼續(xù)啊。。。
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