接著應(yīng)該定個(gè)方案了,先選IC,反激這一塊可選的IC真是不能再多了,公司里常用的是昂寶這個(gè)品牌,這個(gè)功率段用OB2263不會(huì)有問題,由于體積有點(diǎn)小,優(yōu)選貼片的,同樣很多元件都應(yīng)該以貼片為主.....

接下來就按OB2263設(shè)計(jì)電路圖.....

完成的原理圖,是按OB的典型應(yīng)用設(shè)計(jì)的,

電腦上沒有PDF生成軟件,只好截圖....

下面是各部分,輸入濾波/整流

PWM及VCC供電部分:

輸出和電壓取樣部分:

先說下輸入濾波/整流部分元件取值估計(jì)方法:

重傳下這部分電路,方便觀看

由于PCB的面積較小,而保險(xiǎn)要求的距離要2.5毫米以上,為方便布局并節(jié)省空間,把保險(xiǎn)絲放到輸入的最前.假設(shè)輸出24W,允許最大輸出為1.2倍,效率假設(shè)為80%,最低輸入交流85V,加上只有電容濾波,PF值約0.5,那么輸入電流有效值約為

IAC=24*1.2/0.8/85/0.5,約等于0.85A;

由于溫度降額,開機(jī)沖擊等原因,這個(gè)保險(xiǎn)絲取值應(yīng)該在1A以上,而且保險(xiǎn)的作用并不在于保護(hù)后面元件的安全,只要求能斷開電網(wǎng),所以取個(gè)2A250V的值.

輸入端離外殼比較近,元件不能用太高的,X電容用了小體積(約13*12*6)的,容量只有0.1微法,R1,R2為放電電阻,要求斷開電源1秒后X電容上的電壓降到安全范圍內(nèi),經(jīng)計(jì)算,1.5M以下完全滿足要求,但要滿足耐壓,還得用二個(gè)電阻串聯(lián).

接下來是橋堆,按保險(xiǎn)絲算出來的電流取就可以,耐壓同樣要滿足,個(gè)子也盡量小,用了個(gè)KBP206.

共模電感也是按經(jīng)驗(yàn)用的,40W以下一般是UU9.8,這顆料常見成本也低,考慮到X電容偏小,在橋堆和電感之間加入一個(gè)聚酯類的電容,好處是可以做到小體積大容量.

電解電容也是按2微法/W的經(jīng)驗(yàn)值取,這里用47微法.

C1,C7是小容量貼片高壓電容,如果做EMI的話可以按需要取舍.

支持個(gè)

接下來說說PWM部分,原理圖如下:

R3,R4,E2組成IC的啟動(dòng)電源,基本上按廠家給的數(shù)據(jù)賦值,實(shí)際上這個(gè)回路是有算法的,要求IC輸出一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之后電容上的電壓不能低于IC的關(guān)閉電壓值.

插個(gè)不是題外的題外話:據(jù)我所知,有幾家電源廠考試時(shí)會(huì)考到這個(gè)問題,就是問應(yīng)試者怎么取啟動(dòng)電源的元件數(shù)值,也不知道是哪個(gè)廠家開始搞的.這個(gè)對(duì)基礎(chǔ)知道要求還是挺嚴(yán)的,包含了IC,電容,電阻的基本知識(shí),如耐壓,漏電流等等.

IC第一腳接地,是輸入/輸出信號(hào)和電源的公用端;2腳反饋,外接光電耦合器的集電極,并一個(gè)用于濾除高頻信號(hào)的小容量電容;3腳外接電阻到地可以改變IC的工作頻率,這里取推薦值100K;4腳電流感應(yīng)信號(hào)輸入端,內(nèi)部已經(jīng)有延時(shí),小功率應(yīng)該時(shí)一般不用再外加RC延時(shí);5腳為IC的供電端;6腳驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出,外接的R6,R7,D5可以改變驅(qū)動(dòng)信號(hào)對(duì)MOS輸入電容的充放電速度,進(jìn)而對(duì)開關(guān)波形的上升下降沿作調(diào)整,有利于EMI整改,R8主要作用是泄放MOS柵-源間積累的電荷,一般取值幾K到40-50K,按經(jīng)驗(yàn)用10K.

C6也用于改善開關(guān)波形,一般100P以下常用,做EMI時(shí)按需取舍,先留個(gè)位置.

CY1是安規(guī)電容,由于漏電流的規(guī)定,取值不大于103,算法比較麻煩,可以按經(jīng)驗(yàn)取值,具體可以在EMI整改時(shí)調(diào)整.

D6,C5,R12,R13是MOS的吸收回路,要保證MOS不會(huì)因?yàn)樽儔浩鞲袘?yīng)的反射電壓和漏感造成的尖峰擊穿.同時(shí)它們也會(huì)引起損耗,因此取值時(shí)得有個(gè)折衷.

R9,R10,R11用于將開關(guān)電流轉(zhuǎn)換成電壓,具體的取值要看變壓器設(shè)計(jì)了.

可行

共模電感放在整流后面比放在整流前面有什么好處嗎？等代

很牛B。。。。

這個(gè)做24W的。。。類似IPAD的的適配器。。。有點(diǎn)熱。。。

效率不懂得怎樣？？

最后說下輸出和電壓取樣反饋部分,電路原理圖如下:

D7是整流管,一般情況下,參數(shù)要求正向電流大于等于3倍輸出電流,具體算法不再說明;反向耐壓大于(初級(jí)最高電壓除以初次級(jí)匝數(shù)比+輸出電壓),并留有一定余量.按經(jīng)驗(yàn)這里用100V的管子就行,因體積較小,設(shè)定電流10A,可以減少發(fā)熱量.

R15,C4是整流管的吸收回路,對(duì)整流管的電壓波形起調(diào)整作用,并防止過高的尖鋒電壓損壞整流管;對(duì)EMI整改有用.

R16,R21是假負(fù)載,對(duì)電源輕載時(shí)的穩(wěn)定性有作用,并不一定用到,先留位置.

E3,E4,E5是儲(chǔ)能電容,可以說輸出部分的能量都要由它們提供,對(duì)它們的要求是內(nèi)阻越小越好,能承受的紋波電流越大越好;

R17,R18,R19為電阻分壓取樣網(wǎng)絡(luò),通過調(diào)整它們的值可以確定輸出電壓,這里輸出電壓約為基準(zhǔn)電壓*(R19/(R18//R17)),圖中用431作基準(zhǔn),基準(zhǔn)電壓約為2.495V,算出來輸出電壓約為12.3V.

R20為光耦限流電阻,C3是431本身的一個(gè)反饋網(wǎng)絡(luò),為簡單化,只用了一個(gè)105的電容.

完成的PCB文件:

用了立式EE25變壓器,為了過安規(guī),次級(jí)用飛線引出;DS吸收回路中的電容也改成貼片的;為降低高度,MOS和肖特基的焊盤孔都加大,元件可以直接貼到板上.

面積受限,將Y電容騎到光耦上面;

前面開槽用于焊接AC線,后面的方便放置線卡.

同時(shí)生成DXF文件,用于繪制散熱片.

用CAD做的散熱器圖紙:

2毫米厚,鋁制.

很不錯(cuò)。。。這個(gè)殼子我看過。。。

有點(diǎn)薄。。。。

其實(shí)在布板之前已經(jīng)對(duì)變壓器進(jìn)行選取，個(gè)人習(xí)慣按AP法選用磁芯，由于整機(jī)高度和PCB面積限制，只能選小一點(diǎn)的，相同頻率相同功率下斷續(xù)模式用的磁芯要小一點(diǎn)，決定以斷續(xù)模式計(jì)算磁芯。

AP值的公式：

AP=Aw*Ae=Pt*10⁶/[2*ko*kc*fosc*Bm*j*?]

其中Pt=Po+Po/ ?

Pt：視在功率，單位W；

Po：變壓器的輸出功率，單位W；

? ：變壓器的效率，小功率一般選0.9-0.95，選0.92；

ko：窗口的銅填充系數(shù)，一般選0.3-0.5,這里考慮到安規(guī)，會(huì)用三層絕緣線做次級(jí)，用0.3；

kc：磁芯填充系數(shù)，對(duì)于鐵氧體=1；

fosc：磁芯工作頻率,單位HZ；

j：電流密度，一般取j=5A/mm²

Bm：變壓器工作磁通，單位高斯

AP值的單位，ＣＭ的4次方．

這里的變壓器輸出電壓約(12.3V+0.6V)，0.6V是肖特基二極管正向電壓降；電流是2.4A(設(shè)過電流點(diǎn)為正常輸出電流的120%);變壓器輸出功率是31W.

工作于斷續(xù)模式,BM取2000高斯,得到AP值為0.18。

算好了，按磁芯的規(guī)格表選磁芯，要求稍大于計(jì)算值，同時(shí)還得注意高度等要求，對(duì)著表看下可選的磁芯還真沒幾個(gè)，用常見的EE25/19吧。。。。

這也不知道哪位前輩的勞動(dòng)成果（真記不起來了），網(wǎng)上找來的，在此謝過！

CORE AP 

OB2263太熟悉了，以前的供TEL機(jī)頂盒適配器5V2A。每個(gè)月退貨幾籮筐，修慘了。離開原來的公司做的最后一款也是用OB2263做48W的電源

可以的，不過板已經(jīng)發(fā)出打樣，現(xiàn)在的ＰＣＢ卻改成這樣了：

整體沒什么變化，400Ｖ電解電容陽極處的跳線Ｊ１取消了，要加工一下電解電容才好插件．

不發(fā)郵箱了，想ＤＩＹ就這里直接下吧，只上ＰＣＢ文件，原理圖上面已經(jīng)有了，將就看吧

ＤＤＢ文件，解壓縮后用ＰＲＯＴＥＬ９９ＳＥ打開．

20120501