廢話不多說;如題:
熱淚歡迎各位同仁一起探討;不當(dāng)之處,請不吝賜教;
同時,也請大家把自己見到或者自己設(shè)計的實用電路發(fā)上來,大家共同探討,共同提高;
我會長期不定期更新;只要遇到相關(guān)電路;
廢話不多說;如題:
熱淚歡迎各位同仁一起探討;不當(dāng)之處,請不吝賜教;
同時,也請大家把自己見到或者自己設(shè)計的實用電路發(fā)上來,大家共同探討,共同提高;
我會長期不定期更新;只要遇到相關(guān)電路;
原理分析:
首先,我們先定性的分析一下:
待放大的信號Drv_b(驅(qū)動能力很弱)通過這么一個電路,從三極對管的發(fā)射極公共端出來得到驅(qū)動能力(帶載能力)大大增強的信號Drv_g;
從能量的角度來講,弱能量信號Drv_b通過Qn和Qp的作用,從Vcc取電(獲取能量),從而變成了攜帶高能量的Drv_g信號;
在這個能量傳遞的過程中,Qn和Qp分別交替工作在截至和飽和狀態(tài);
具體工作過程(邏輯分析)如下(這里以方波為例,1代表高電平,0代表零電平,-1代表負(fù)電平;Vb表示Qn和Qp的公共基極電壓,Vqn_c表示Qn管子的集電極電壓,Vqn_be表示Qn管子基極-發(fā)射極電壓,Vqp_be表示Qp基極-發(fā)射極電壓):
Drv_b=1,Vb=1,Vqn_be=1,因為:Vqn_ce=1,所以,Qn管飽和導(dǎo)通,Qn管電流主要由集電極流向發(fā)射極,Drv_g=1;
Drv_b=0,Vb=0,Vqp_be=-1,因為:Vqp_ec=1,所以,Qp管飽和導(dǎo)通,Qp管電流主要由發(fā)射極流向集電極,Drv_g=0;
此以上為電路工作的邏輯過程;
定量分析明天有空繼續(xù)
Drv_b=0,Vb=0,Vqp_be=-1,因為:Vqp_ec=1
這個Vqp_ec=1怎么理解,是Drv_b=0剛轉(zhuǎn)變那一會的值嗎
MOS管的結(jié)電容電壓;
這個就涉及到MOS管結(jié)構(gòu)方面的問題了;被驅(qū)動的MOS柵極和流集之間以及柵極和漏極之間有輸入結(jié)電容Coss_gs,Coss_gd,MOS的驅(qū)動過程,就是對輸入結(jié)電容充放電的過程;在Qn導(dǎo)通時,電容充電;當(dāng)電壓達(dá)到MOS的開啟電壓時候,MOS開啟;Qn截止,這個時候,電容兩端是有電壓的;MOS結(jié)電容放電,通過Qp管子加速放電;
本質(zhì)上來講,上管Qn的作用是對MOS充電,下管Qp的作用是對MOS進(jìn)行放電;