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Vds會(huì)不會(huì)使Mosfet消耗功率?

這幾天在想mosfet功耗的問(wèn)題,有如下想法,不知對(duì)不對(duì),請(qǐng)點(diǎn)評(píng):

有一點(diǎn)是肯定的:導(dǎo)通電阻Ron上消耗的功率I*I*Ron  ;還有開關(guān)損耗.   這作為第一塊功耗;

我覺著應(yīng)該還有第二塊:導(dǎo)通壓降Vds,他也應(yīng)對(duì)應(yīng)一塊功耗:Vds*I

Mosfet消耗的功率應(yīng)是這兩個(gè)功率的和.消耗的功率全部都發(fā)熱了.
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zhihaoa
LV.3
2
2006-04-27 17:51
查了一下:Vds就是由于Ron引起的,所以就沒有上述的第二塊功耗了
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bear
LV.3
3
2006-04-28 09:04
@zhihaoa
查了一下:Vds就是由于Ron引起的,所以就沒有上述的第二塊功耗了
Vds一般指的是Mos關(guān)斷時(shí)的電壓.
Mos的損耗有兩部分.
一部分是導(dǎo)通損耗即Rds(on)引起的;
一部分是當(dāng)Mos工作在開關(guān)狀態(tài)下的開關(guān)損耗,
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童勻川
LV.6
4
2006-04-28 09:09
@bear
Vds一般指的是Mos關(guān)斷時(shí)的電壓.Mos的損耗有兩部分.一部分是導(dǎo)通損耗即Rds(on)引起的;一部分是當(dāng)Mos工作在開關(guān)狀態(tài)下的開關(guān)損耗,
準(zhǔn)確的說(shuō)是分成三份:
首先是,開通時(shí)的損耗
然后是,導(dǎo)通時(shí)的損耗
最后是,關(guān)斷時(shí)的損耗
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