IN4007肯定不如FR107效果好

哥們,看來你該做做實驗了.

我看PI公司TOP系列的典型電路上用的都是1N4007

還有,我們一般好象比較關(guān)心二極管的反向恢復(fù)特性,而通過二極管來實現(xiàn)鉗位只是和二極管的正向特性有關(guān).能請JACK兄解釋以下嗎?

恢復(fù)慢的在主開關(guān)開通瞬間會有部分能量通過二極管的反向電流到地,這樣電容上的能量就少了很多,電壓自然能夠嵌位到更低,你不妨做做實驗實際測試一下.

PI say: The 1N4007GP is a glass passivated version of the 1N4007, with a reverse recovery time specified at 2 us. The 1N4007 does not have a specified recovery time and must not be used.

PI say: The slower recovery time of the 1N4007GP causes a reverse current to flow back through the primary winding at the end of the clamping period. This partially discharges the leakage energy stored in clamp capacitor, C, and transfers some of the energy stored to the secondary, thus improving efficiency.

謝謝!原來還有這么一說,有點道理.有具體的實驗數(shù)據(jù)證明能提高多少效率嗎?

再慢也不會慢到等MOSFET開通時還處于恢復(fù)過程中吧?

我查了一下1N4007和1N4007GP,
1N4007標(biāo)了最大反向恢復(fù)時間為2uS,1N4007GP反倒沒標(biāo).DATABOOK除了指明GP是鈍化外沒做任何進一步說明,搞不明白這兩種管子到底有何區(qū)別?
ASM兄清楚嗎?

JACK兄在實際應(yīng)用中是用快恢復(fù)管還是稍慢一點的管子?

不同的設(shè)計會有不同的結(jié)果,這個只是其中一種舉例,任何結(jié)論都是針對一定的條件的;如果你不能用狀態(tài)圖分解工作過程,多說也無益,為何不用實驗證明一下?

VISHAY的是1N4007GP標(biāo)了最大反向恢復(fù)時間為2uS,1N4007沒有指明.不知你看的是那家公司的.

我查的MCC公司的

VISHAY的我也剛查了一下,GP確實標(biāo)了是2uS,如此說1N4007和1N4007GP的恢復(fù)時間是一樣的. 不知二者之間還有什么區(qū)別.如果就恢復(fù)時間而言,在TOP的吸收電路里用1N4007代替1N4007GP是可以的

Diode     PIN (W)     POUT (W)     η (%)  
UF4005     36.18      30.23        83.6
1N4937     36.07      30.23        83.8
1N4007GP*  35.92      30.23        84.2
*Glass Passivated

謝謝!看來僅效率而言,用慢恢復(fù)管是有一點好處.但是慢恢復(fù)管對尖峰的鉗位作用相比快恢復(fù)管有多大的差異?雖然電容的鉗位電壓低了,但是再考慮進二極管的正向恢復(fù)特性這個因數(shù)最終效果如何?
我現(xiàn)在手頭沒有機器所以不好做實驗.

如果JACK 兄有些實驗上的結(jié)論請共享,不要老是提醒我去做實驗,有條件做我早都做了.呵呵!

業(yè)界應(yīng)該有N多廠家都已經(jīng)在享受慢恢復(fù)管的好處了,只是具體用到多慢還是跟各家的設(shè)計和習(xí)慣有關(guān),因為已經(jīng)不是試驗階段了,專門為了這個話題收集數(shù)據(jù)來說明似乎不是很必要吧?

JACK兄誤解了,我不是在搜集數(shù)據(jù),只是在TOP資料上看到這一點時和我的理解有出入,所以想弄清楚

帶G 的結(jié)溫150度﹐不帶的125度.用慢管有以上所講的好處﹐最大的好處在EMI上﹗大家試試看.