你可以改變一下RCD吸收回路的參數(shù),盡量將MOS上的尖峰電壓降低.
因?yàn)樽儔浩鞯穆└泻驮验g寄生電容不一至,導(dǎo)致一會(huì)有小部分尖峰電
壓超過MOS的能夠承受的電壓,從而發(fā)生MOS擊穿而形成的炸機(jī)現(xiàn)象.

改了沒有用,并且我測(cè)試過VDS波形正常,我一直懷疑變壓器有問題但一直沒有理論依據(jù),因?yàn)樾藓玫臋C(jī)重新老化一直沒有問題,郁悶

這樣有可能是貴司的生產(chǎn)上有問題了,散熱片和MOS沒有鎖好.造成MOS熱崩潰了,你把燒掉的元件換新得裝上去后鎖緊了,
自然不會(huì)炸了!
任何產(chǎn)品都不會(huì)出現(xiàn)沒有原因的不良品.

沒有散熱片,不存在此現(xiàn)象,我用的開關(guān)管是13003(ST),在設(shè)計(jì)階段我用380V老化過都沒有問題

我也很關(guān)心這個(gè)問題!

國(guó)人的RCC是經(jīng)常性的炸機(jī),估計(jì)你要重新弄變壓器

我不認(rèn)為國(guó)外的RCC電路比國(guó)內(nèi)的強(qiáng),只是你的老板把公司的定位太低,或者開發(fā)工程師的水平太低,現(xiàn)在我的產(chǎn)品炸機(jī)是在300Vac輸入時(shí)老化才會(huì)有并且也只有千分之六的不良,264Vac老化沒有出現(xiàn)不良,因?yàn)槭且簧想姇r(shí)就炸,不能通過一些小批量生產(chǎn)來找到問題

你設(shè)計(jì)是多高電壓到多高電壓的功率有多大啊,能把電路傳上到看看撤

說明還是吸收問題麻!因?yàn)樵?00AC檢測(cè)的管子受高壓是不一樣的.
如果有吸收部分的圖紙和元件參數(shù)的話,可以一目了然.

我認(rèn)為是元器件質(zhì)量問題.

帖上圖幫你解決

我公司目前并不做rcc,同意老鐸意見,改吸收或換電壓高一點(diǎn)的管子.

是典型RCC電路,輸出功率只有2W左右,實(shí)測(cè)開關(guān)管的峰值電壓只有600V左右,管子的耐壓是700V的,如果是管子的問那也不會(huì)把保險(xiǎn)絲給炸開呀,我一直找不到為什么會(huì)這樣?

你能把你變壓器參數(shù)show上嗎?o/p?

NP:0.13/195T   NF:0.2/12 NS:0.3/13T我的低端頻率是60K.高端頻率有120K呀,所以高端炸機(jī)才郁悶,O/P才5V400呀,我的EMI余量太的很生產(chǎn)都有10多個(gè)db的余量

貼上圖大家沒有解決不了的事,各人在這方面都有過經(jīng)歷.不同的圖要用不同的方法.無圖誰也說不準(zhǔn)確.

把圖紙貼上來看看吧,重新修好就不炸的原因很多了,主要是不穩(wěn)定,VDS要抓開機(jī)瞬間的尖峰值.

比率太小,正常的波形沒有發(fā)現(xiàn)問題,不正常的無法找到.我己經(jīng)看了無數(shù)次波形了

MOSFET波形有沒有飽和, 計(jì)算一下ON/OFF的伏秒數(shù)有沒有平衡,能不能捕獲B-H曲線

減小占空比

還有個(gè)辦法,可以改一下輸出整流管兩端的RC吸收回路參數(shù),同樣可以降低MOS 兩端尖峰電壓.