請(qǐng)問(wèn)有人試用過(guò) SP6003 / SP6003A / SP6002 同步整流IC , 可以分享試用心得嗎 ?
請(qǐng)教 SP6003 / SP6003A / SP6002 同步整流IC
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@火狐
我做過(guò)反激5V10A試驗(yàn),效果與肖特基整流沒(méi)有差別,這棵芯片制造商推薦供電電壓是5V,我用的整流管是F3205、F1010、F3710都試了,看情形沒(méi)提高效率,希望能得到制造商工程師指點(diǎn),先謝了.
因擎力產(chǎn)品SP6002 / SP6003A / SP6003 的整流輸出電壓為4.5V~5.5V , 貴司使用的整流MOS管IRF3205/IRF1010/IRF3710 對(duì)應(yīng)RDS(on)( 驅(qū)動(dòng)電壓 VGS =5V )比其它廠家都高很多 ,建議使用目前較佳的整流用MOS管廠牌( Fairchild / ST ) ; 另外當(dāng)使用擎力產(chǎn)品時(shí) , 為達(dá)成最大功率輸出 , 仍有多項(xiàng)功能可提供客戶調(diào)整 , 例如Timing / Pred / Cramp等 .
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@火狐
我做過(guò)反激5V10A試驗(yàn),效果與肖特基整流沒(méi)有差別,這棵芯片制造商推薦供電電壓是5V,我用的整流管是F3205、F1010、F3710都試了,看情形沒(méi)提高效率,希望能得到制造商工程師指點(diǎn),先謝了.
使用擎力科技的同步整流芯片 , 擁有世界專利的設(shè)計(jì),使用簡(jiǎn)單方便又高效率 , 周邊設(shè)計(jì)原件簡(jiǎn)單又省錢 該公司還有相關(guān)技術(shù)文件於網(wǎng)頁(yè)上說(shuō)明擎力科技的同步整流有4大優(yōu)點(diǎn) :1. CCM / DCM 自動(dòng)追跡 , 無(wú)須增加多餘元件 .因?yàn)榍媪萍纪秸髟O(shè)計(jì)有兩大專利 :a. falling - edge 波形斜率判定設(shè)計(jì) --- 可以判定light -load的雜訊(因high load / light斜率不同 )b. Prediction 自動(dòng)偵測(cè) , 可以完全將coil的能量做有效的轉(zhuǎn)換.完全將2次側(cè)的能量完全轉(zhuǎn)換 , 可以避免不必要的能量浪費(fèi).2. 快速反應(yīng) , 適用頻率 50KHZ ~ 650KHZa. switch的損失 ,常因?yàn)椴ㄐ?raise time / falling time的延遲 , 造成不必要的swithing loss .3. 應(yīng)用簡(jiǎn)單 , MOSFET選用範(fàn)圍廣泛a. 擎力科技同步整流設(shè)計(jì)已將客戶所需要的方便性完全考慮進(jìn)去 , 應(yīng)用的簡(jiǎn)便性是目前最優(yōu)的.b. 因?yàn)榍媪萍紥?cǎi)用Prediction( coil能量偵測(cè)法 ) , 此功能完全依循2次側(cè)輸入能量做反應(yīng) , 所以對(duì)MOSFET的選用 , 完全由客戶自由發(fā)揮 ( 當(dāng)然是選RDS越小越好 --- 可減少CONDUTCTION LOSS ).相對(duì)其他廠家的ZVS ( 零點(diǎn)電位偵測(cè)法 ) , 此法對(duì)MOSFET的要求有相當(dāng)嚴(yán)格的規(guī)定 , 造成客戶選用MOSFET得不便.4. on-time duty 自動(dòng)轉(zhuǎn)換 , 無(wú)論110V / 220V 皆可適用a. 使用zvs設(shè)計(jì)的整流方式 , on time duty 是固定式的 , 在110V / 220V轉(zhuǎn)換應(yīng)用時(shí) , ON-TIME DUTY無(wú)法完成打開(kāi) , 必然造成能量的損失 , 所以常要求客戶在MOSFET旁並聯(lián)一顆SCHOTTKY DIODE , 用意在使ON-TIME DUTY轉(zhuǎn)換較佳 , 可惜成本相對(duì)提高太多.
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@gavinliao
因擎力產(chǎn)品SP6002/SP6003A/SP6003的整流輸出電壓為4.5V~5.5V,貴司使用的整流MOS管IRF3205/IRF1010/IRF3710對(duì)應(yīng)RDS(on)(驅(qū)動(dòng)電壓VGS=5V)比其它廠家都高很多,建議使用目前較佳的整流用MOS管廠牌(Fairchild/ST);另外當(dāng)使用擎力產(chǎn)品時(shí),為達(dá)成最大功率輸出,仍有多項(xiàng)功能可提供客戶調(diào)整,例如Timing/Pred/Cramp等.
很多開(kāi)關(guān)管都有建議閘極驅(qū)動(dòng)電壓的范圍,若以5V的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)看Rdson應(yīng)該是會(huì)高過(guò)10V驅(qū)動(dòng)電壓,開(kāi)關(guān)管的規(guī)格應(yīng)該都有相對(duì)應(yīng)的曲線圖,這應(yīng)該不是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)管的不同所引起的吧....
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@shin_yu0405
很多開(kāi)關(guān)管都有建議閘極驅(qū)動(dòng)電壓的范圍,若以5V的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)看Rdson應(yīng)該是會(huì)高過(guò)10V驅(qū)動(dòng)電壓,開(kāi)關(guān)管的規(guī)格應(yīng)該都有相對(duì)應(yīng)的曲線圖,這應(yīng)該不是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)管的不同所引起的吧....
你沒(méi)見(jiàn)過(guò)Vgs 5V驅(qū)動(dòng)的Rds(on)小的Mosfet嗎?可以Infineon,ST,Fairchild的網(wǎng)站上查查查.同步整流IC的目的是什么?是不是使Mosfet工作在該Mosfet的最佳狀態(tài)?你提高效率的的方法難道不是為了降低功耗?功耗在哪里?難道不在Mosfet上?
如果做模塊電源,工作頻率300K左右的話,開(kāi)關(guān)損耗就很可觀了,這時(shí)候就適合用5V驅(qū)動(dòng)的SP6003A,如果你工作頻率很地,主要損耗是導(dǎo)通損耗,當(dāng)然也可以選用12V驅(qū)動(dòng)的SP6013A
如果做模塊電源,工作頻率300K左右的話,開(kāi)關(guān)損耗就很可觀了,這時(shí)候就適合用5V驅(qū)動(dòng)的SP6003A,如果你工作頻率很地,主要損耗是導(dǎo)通損耗,當(dāng)然也可以選用12V驅(qū)動(dòng)的SP6013A
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@洪七公
你沒(méi)見(jiàn)過(guò)Vgs5V驅(qū)動(dòng)的Rds(on)小的Mosfet嗎?可以Infineon,ST,Fairchild的網(wǎng)站上查查查.同步整流IC的目的是什么?是不是使Mosfet工作在該Mosfet的最佳狀態(tài)?你提高效率的的方法難道不是為了降低功耗?功耗在哪里?難道不在Mosfet上?如果做模塊電源,工作頻率300K左右的話,開(kāi)關(guān)損耗就很可觀了,這時(shí)候就適合用5V驅(qū)動(dòng)的SP6003A,如果你工作頻率很地,主要損耗是導(dǎo)通損耗,當(dāng)然也可以選用12V驅(qū)動(dòng)的SP6013A
難道不同Mosfet的Rds(on)消耗的功率都是一樣的?
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@shin_yu0405
我的意思并非如此,只是許多廠家在閘極驅(qū)動(dòng)電壓及Rdson間都會(huì)有曲線圖標(biāo)明相對(duì)應(yīng)之關(guān)系,我知道開(kāi)關(guān)管多半在2~4V間就能工作,不過(guò)那是Rdson最低的區(qū)間嗎?或許是我沒(méi)注意到你所說(shuō)的事情吧....
用5V趨動(dòng)MOSFET管,或用10V趨動(dòng)MOSFET管---兩者都可以,但用10V趨動(dòng)MOSFET管,相對(duì)消耗功率更大些 , P=IV , 依此計(jì)算 , 若NIKO使用10V得VDD , IC對(duì)應(yīng)的消耗更大 , 自然NIKO的產(chǎn)品會(huì)有發(fā)熱的問(wèn)題點(diǎn) ,這點(diǎn)所有用過(guò)的客戶都很清楚
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@shin_yu0405
先生,那不是蕭特基,而是開(kāi)關(guān)管的體二極管....或許你可以自己去要樣品試試效能吧
從NIKO的應(yīng)用圖看出 , Page 4 , 確實(shí)是蕭特基( 非開(kāi)關(guān)管的體二極管 ) , 因?yàn)?NIKO 特別標(biāo)出D3的代號(hào) , 所有繪圖的研發(fā)人員都知道 , 開(kāi)關(guān)管的體二極管在繪圖時(shí)是不用標(biāo)號(hào)的 . 所以這點(diǎn)表示 , NIKO 的產(chǎn)品在MOSFET管旁仍需要加上蕭特基
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@gavinliao
用5V趨動(dòng)MOSFET管,或用10V趨動(dòng)MOSFET管---兩者都可以,但用10V趨動(dòng)MOSFET管,相對(duì)消耗功率更大些,P=IV,依此計(jì)算,若NIKO使用10V得VDD,IC對(duì)應(yīng)的消耗更大,自然NIKO的產(chǎn)品會(huì)有發(fā)熱的問(wèn)題點(diǎn),這點(diǎn)所有用過(guò)的客戶都很清楚

這是Fairchild的MosFET FDP3632針對(duì)其Rdson與Id的對(duì)應(yīng)圖,圖中有Vgs電壓所對(duì)應(yīng)的Rdson值,若然使用同步而不能將MosFET的使用最佳化,那不可惜...
IC上的損失是一定存在的...且多數(shù)IC的工作電壓及開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電壓也多落在8V~15V間,且IC即使發(fā)熱,規(guī)格也可耐到150度,使用上是沒(méi)什么疑慮的
況且,比對(duì)于在工作電壓上有極大的限制條件的作法,應(yīng)用上會(huì)來(lái)安全些吧..
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@gavinliao
從NIKO的應(yīng)用圖看出,Page4,確實(shí)是蕭特基(非開(kāi)關(guān)管的體二極管),因?yàn)镹IKO特別標(biāo)出D3的代號(hào),所有繪圖的研發(fā)人員都知道,開(kāi)關(guān)管的體二極管在繪圖時(shí)是不用標(biāo)號(hào)的.所以這點(diǎn)表示,NIKO的產(chǎn)品在MOSFET管旁仍需要加上蕭特基
并非如您所說(shuō)那樣一定得加二極管,這完全是看客戶在設(shè)計(jì)上的需求,應(yīng)用圖上頂多是建議,并無(wú)強(qiáng)制要求,況且MosFET本身的body diode即有此功能,所以端看客戶設(shè)計(jì)需求
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@shin_yu0405
并非如您所說(shuō)那樣一定得加二極管,這完全是看客戶在設(shè)計(jì)上的需求,應(yīng)用圖上頂多是建議,并無(wú)強(qiáng)制要求,況且MosFET本身的bodydiode即有此功能,所以端看客戶設(shè)計(jì)需求
根據(jù)NIKO的設(shè)計(jì)方式 , 這蕭特基可能無(wú)法省略 , 因?yàn)槿舨患邮捥鼗?, 當(dāng)電壓由 110V 轉(zhuǎn)成 220V 時(shí) , 可能DUTY無(wú)法全開(kāi) , 會(huì)造成效能的耗損 . 另外 , N3856是用3個(gè)芯粒封裝成SOP-8P , SOP-8P內(nèi)部封裝打線相當(dāng)複雜 , 造成IC本身溫度相當(dāng)高的現(xiàn)象 .
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@gavinliao
根據(jù)NIKO的設(shè)計(jì)方式,這蕭特基可能無(wú)法省略,因?yàn)槿舨患邮捥鼗?當(dāng)電壓由110V轉(zhuǎn)成220V時(shí),可能DUTY無(wú)法全開(kāi),會(huì)造成效能的耗損.另外,N3856是用3個(gè)芯粒封裝成SOP-8P,SOP-8P內(nèi)部封裝打線相當(dāng)複雜,造成IC本身溫度相當(dāng)高的現(xiàn)象.
老兄:我是NIKO的FAE,首先我要說(shuō)明蕭特基是降低DELAY TIME及DEAD TIME時(shí)因?yàn)镸OSFET BODY DIODE VF較高之故,有無(wú)僅差一點(diǎn)點(diǎn)效率並不是DCM/CCM無(wú)法自動(dòng)切換之故.另外3顆芯粒封裝並不特別其它IC亦有此設(shè)計(jì)主要區(qū)隔高壓低壓控制,打線並不複雜更不會(huì)是溫度高的問(wèn)題,N856因?yàn)槭褂?2V電源驅(qū)動(dòng)MOSFET所以造成驅(qū)動(dòng)損失較高,而且VCC電源隨PWM頻率ON/OFF所以存在一些SWITCHING LOSS,而造成IC溫度因此較高但是N3856 JUNCTION TEMP.可承受150C.如果降低VCC電壓的話溫度則可相對(duì)降低.
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@hsusteven1235
老兄:我是NIKO的FAE,首先我要說(shuō)明蕭特基是降低DELAYTIME及DEADTIME時(shí)因?yàn)镸OSFETBODYDIODEVF較高之故,有無(wú)僅差一點(diǎn)點(diǎn)效率並不是DCM/CCM無(wú)法自動(dòng)切換之故.另外3顆芯粒封裝並不特別其它IC亦有此設(shè)計(jì)主要區(qū)隔高壓低壓控制,打線並不複雜更不會(huì)是溫度高的問(wèn)題,N856因?yàn)槭褂?2V電源驅(qū)動(dòng)MOSFET所以造成驅(qū)動(dòng)損失較高,而且VCC電源隨PWM頻率ON/OFF所以存在一些SWITCHINGLOSS,而造成IC溫度因此較高但是N3856JUNCTIONTEMP.可承受150C.如果降低VCC電壓的話溫度則可相對(duì)降低.
VCC電源隨PWM頻率ON/OFF所以存在一些SWITCHING LOSS ? 那高頻時(shí)會(huì)不會(huì)損失更多 ? 另外 , 若頻率偏高時(shí) , swithcing loss會(huì)不會(huì)有誤判的情形發(fā)生 ? 如何避免 ?
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@gavinliao
使用擎力科技的同步整流芯片,擁有世界專利的設(shè)計(jì),使用簡(jiǎn)單方便又高效率,周邊設(shè)計(jì)原件簡(jiǎn)單又省錢該公司還有相關(guān)技術(shù)文件於網(wǎng)頁(yè)上說(shuō)明擎力科技的同步整流有4大優(yōu)點(diǎn):1.CCM/DCM自動(dòng)追跡, 無(wú)須增加多餘元件.因?yàn)榍媪萍纪秸髟O(shè)計(jì)有兩大專利:a.falling-edge波形斜率判定設(shè)計(jì)---可以判定light-load的雜訊(因highload/light斜率不同)b.Prediction自動(dòng)偵測(cè),可以完全將coil的能量做有效的轉(zhuǎn)換.完全將2次側(cè)的能量完全轉(zhuǎn)換,可以避免不必要的能量浪費(fèi).2.快速反應(yīng),適用頻率50KHZ~650KHZa.switch的損失,常因?yàn)椴ㄐ蝦aisetime/fallingtime的延遲,造成不必要的swithingloss.3.應(yīng)用簡(jiǎn)單,MOSFET選用範(fàn)圍廣泛a.擎力科技同步整流設(shè)計(jì)已將客戶所需要的方便性完全考慮進(jìn)去,應(yīng)用的簡(jiǎn)便性是目前最優(yōu)的.b.因?yàn)榍媪萍紥?cǎi)用Prediction(coil能量偵測(cè)法),此功能完全依循2次側(cè)輸入能量做反應(yīng),所以對(duì)MOSFET的選用,完全由客戶自由發(fā)揮(當(dāng)然是選RDS越小越好---可減少CONDUTCTIONLOSS).相對(duì)其他廠家的ZVS(零點(diǎn)電位偵測(cè)法),此法對(duì)MOSFET的要求有相當(dāng)嚴(yán)格的規(guī)定,造成客戶選用MOSFET得不便.4.on-timeduty自動(dòng)轉(zhuǎn)換,無(wú)論110V/220V皆可適用a.使用zvs設(shè)計(jì)的整流方式,ontimeduty是固定式的,在110V/220V轉(zhuǎn)換應(yīng)用時(shí),ON-TIMEDUTY無(wú)法完成打開(kāi),必然造成能量的損失,所以常要求客戶在MOSFET旁並聯(lián)一顆SCHOTTKYDIODE,用意在使ON-TIMEDUTY轉(zhuǎn)換較佳,可惜成本相對(duì)提高太多.
能提供帶同步整理的完整電路圖嗎?
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@gavinliao
從NIKO的應(yīng)用圖看出,Page4,確實(shí)是蕭特基(非開(kāi)關(guān)管的體二極管),因?yàn)镹IKO特別標(biāo)出D3的代號(hào),所有繪圖的研發(fā)人員都知道,開(kāi)關(guān)管的體二極管在繪圖時(shí)是不用標(biāo)號(hào)的.所以這點(diǎn)表示,NIKO的產(chǎn)品在MOSFET管旁仍需要加上蕭特基
SP6003我試用過(guò)了,效果不是你們所說(shuō)的那樣好,也許是不適合做我們中小功率的產(chǎn)品,
有興趣的朋友還是可以試下,試過(guò)之后你就會(huì)發(fā)覺(jué)合不合適,對(duì)不?
他們的FAE做得還是挺好的嘛!
有興趣的朋友還是可以試下,試過(guò)之后你就會(huì)發(fā)覺(jué)合不合適,對(duì)不?
他們的FAE做得還是挺好的嘛!
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@brinex
SP6003我試用過(guò)了,效果不是你們所說(shuō)的那樣好,也許是不適合做我們中小功率的產(chǎn)品,有興趣的朋友還是可以試下,試過(guò)之后你就會(huì)發(fā)覺(jué)合不合適,對(duì)不?他們的FAE做得還是挺好的嘛!
小功率用同步整流,太浪費(fèi)了,傳統(tǒng)的方法就可以做到高效率了?同步整流的基礎(chǔ)就是利用Mosfet 的低導(dǎo)通電阻特性來(lái)降低攻耗,可是你原來(lái)的蕭特基攻耗就小的話,效果當(dāng)然不明顯了.同步整流適合做做低壓,大電流產(chǎn)品.目的就是提高效率或減少溫升,相對(duì)蕭特基減少功率損失.
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