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如何驗證Mosfet模型的準(zhǔn)確性

在官網(wǎng)下了一款SPB17N80C3的Saber模型，現(xiàn)在不知道如何驗證該模型的準(zhǔn)確性。

個人感覺要想驗證模型的準(zhǔn)確性需要仿真得到該模型的各種曲線，并與手冊后面附的曲線對比得到模型的精確程度，但是現(xiàn)在仿真只能得到Mosfet的輸出曲線，其他的曲線不知道使用什么樣的測試電路仿真得到。

現(xiàn)在能做的是：

1. 仿真得到Mosfet的輸出曲線（與芯片手冊對比）。

2. 給定一個負(fù)載，通過仿真得到Mosfet的開關(guān)電壓與門級驅(qū)動電壓的波形（與實際電路測得的波形對比）。

不知道這兩項驗證是否夠，還有沒有其他的驗證方法，謝謝大家！??！

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cheng111
LV.11
2
2012-01-07 21:47
把參數(shù)都設(shè)置對應(yīng)該沒有問題。還驗證，沒有做過
0
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zcp2011
LV.1
3
2012-01-08 13:34
@cheng111
把參數(shù)都設(shè)置對應(yīng)該沒有問題。還驗證，沒有做過

謝謝回復(fù)我的帖子  

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chdolaki
LV.1
4
2012-01-09 10:43

導(dǎo)通電阻Rdson這個也要把?驅(qū)動電壓Vgs和Ids也可以測試下，它多少V開始導(dǎo)通，多少V完全導(dǎo)通。和datesheet是否一樣？      個人想法，你覺得呢？

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fishhbd
LV.1
5
2012-02-11 12:30

哎呀，我也想知道這個問題，因為datasheet里面的參數(shù)和properties里面的參數(shù)不對應(yīng)啊，我是根據(jù)自己的理解填進(jìn)去的，不知道是否合理。還不知道怎么驗證！

而且現(xiàn)在想用MOSFET characteristic tool搭建一個模型，又建不好，Id vs Vgs 曲線合理了，Id vs Vds 曲線不合理，反之亦然，反正就是對不上。

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