2011即將逝去，在這一年大家都經(jīng)歷了許多新新事物，我也在歲末再次將高頻機(jī)一舉攻下4500W。
這個(gè)帖子里的機(jī)器是對(duì)各個(gè)元件的性能的一種考驗(yàn)，目的是嚴(yán)重能在極端條件下，機(jī)器具備應(yīng)有的性能，而不會(huì)產(chǎn)生
致命的炸管的目的。

本貼的目的1，將這個(gè)東西發(fā)出來(lái)，是為了驗(yàn)證一些芯片的性能情況；

本貼的目的2，將這個(gè)東西發(fā)出來(lái)，讓大家多提一些寶貴意見(jiàn)，以及改進(jìn)的情況，因?yàn)橐粋€(gè)人要聽(tīng)得到別人的優(yōu)良建議，
才能讓自己提高，讓自己設(shè)計(jì)水平提高，讓自己設(shè)計(jì)出來(lái)的產(chǎn)品品質(zhì)提高！

本貼的目的3，希望不要引來(lái)吵架和叫罵聲，呵呵。

這次的機(jī)器里的控制核心板是和工頻機(jī)的核心板一模一樣，也就是說(shuō)，一套控制板兼容高頻機(jī)，和工頻機(jī)的電路結(jié)構(gòu)，
只需要更改2-3個(gè)元件即可高頻，工頻機(jī)互相使用，所有的保護(hù)模式自動(dòng)完成。

在這個(gè)帖子里展示的是高頻機(jī)的部分，至于工頻部分我的另外一個(gè)帖子里頭已經(jīng)全部提及，主芯片都是采用TDS1093，有興趣的朋友
可以先看看工頻機(jī)的：http://bbs.dianyuan.com/topic/708783  ，這個(gè)帖子里頭的高頻機(jī)控制板也是和工頻的機(jī)的一樣，
稍后發(fā)出照片大家就能明白了。

下面先來(lái)看看照片，在接下來(lái)的部分，我會(huì)一一分解每個(gè)部分，以及每個(gè)部分為何需要這樣做，有些地方，可能有人看起來(lái)
覺(jué)得會(huì)是多余的，但是如果你是一個(gè)行業(yè)人士，并且每天摸逆變，你就知道為何要這么做了。

• AUSU1: FDA50N50長(zhǎng)時(shí)間可以負(fù)載2500W阻性，風(fēng)冷情況下，4500W需要改IGBT，后續(xù)會(huì)陸續(xù)更新高難度的IGBT單管上去實(shí)現(xiàn)4500W，由于感性負(fù)載非常麻煩，到時(shí)候會(huì)更新感性負(fù)載情況，現(xiàn)有的配置，負(fù)載2P空調(diào)是沒(méi)有問(wèn)題，極限測(cè)試。
• AUSU2: IRFP260,2對(duì)，DC48V輸入，搭載EE65主變，完美支持2500W功率運(yùn)行，長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行風(fēng)冷足夠，要支持4500W連續(xù)運(yùn)行，需要IXTQ96N20  3對(duì)使用開(kāi)環(huán)推挽軟開(kāi)關(guān)，板上已經(jīng)預(yù)留好3個(gè)位置來(lái)實(shí)現(xiàn)，次級(jí)諧振電容，初級(jí)2個(gè)MOSFET  D-S直接的電容。在2500W內(nèi)完全沒(méi)有必要采用軟開(kāi)關(guān)，圖中的我就沒(méi)有采用。
• 采用全隔離設(shè)計(jì)，特別是H橋，我采用了完全獨(dú)立的輔助電源驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET，因?yàn)楹竺嫘枰捎?00A 600V左右的IGBT單管，所以我也采用了負(fù)壓電路，有了這個(gè)，不論是MOSFET，還是高壓IGBT，都可以通殺了。
• 采用完善的短路檢測(cè)，對(duì)于容性負(fù)載和感性負(fù)載都做了參數(shù)優(yōu)化，抗沖擊能力已經(jīng)做到我想要的水平了。

主板全照：

輸入側(cè)：

輸出側(cè)：

升壓MOSFET:

SG3525：

高壓電解：

EE65主變：

控制側(cè)：

FDA50N50，高壓MOSFET牛管，非常強(qiáng)悍！

第二道輔助電源部分：

風(fēng)扇智能控制部分：

LC濾波部分：

一級(jí)共模濾波部分：

最后來(lái)張控制板照片，兄弟們對(duì)比之前的那個(gè)工頻機(jī)器的帖子里頭的控制，是否是一樣的呢？

后續(xù)更新測(cè)試情況，至于波形問(wèn)題，那個(gè)已經(jīng)不是重點(diǎn)了，因?yàn)樽鲆粋€(gè)THD小于3%的漂亮波形對(duì)于這個(gè)來(lái)說(shuō)已經(jīng)不是任何難度了。（我加了一級(jí)共模濾波是為了讓THD指標(biāo)更加優(yōu)化一點(diǎn)）