12V /24V調試炸單邊75N75
我做的電路是2對75N75，加上吸擊峰電流和2200UF63V濾波電容用帶7815的3525驅動板，圖騰是882和772，頻率是23.8KHZ，兩邊驅動電壓都是6.5V，變壓器是EE65，4+4 次級是133匝，輸出800V的交流，橋式整流，電容用兩并兩串，一共8個470UF/450V，用直留電壓表測得電容兩邊電壓有1200V，單硅后級，硅用一個40TPS12，用12V時可以帶500W小太陽燈，空載24V時是沒有問題的，但后級接上500W小太陽燈后再接上24V驅動通電，馬上炸單邊兩個75N75，第一次試機是用200W燈的，一下就燒斷了燈絲，換上前級新管和電阻后來再試就開始這樣了，是什么原因呢？后級的電路檢查過沒有問題，硅也沒有事就是用24V供電就不行,有沒有好用的管介紹一下，WO12L54F這只場管不知道怎樣？網上查不到數據
全部回復(19)
正序查看
倒序查看
@jiajia2003
我剛買了20個TO-247封裝的拆機IRF3710和20個TO-247封裝的WO12L54F，不知道用那個比較好，聽說WO12L54F可以直接代用IRFP150的，數據查不到，打算2000W的功率，用多小對合適，后級電容現(xiàn)在改用兩個拆機黑金剛450V470UF的算了，2000W會不會電解電容大了點，前級電壓高了，場管也受不了反峰電壓，變壓器輸出也做了調整，現(xiàn)在打算用先用300V和350V這兩個檔，還有一個檔是420V檔的后級整流用倍壓不知道只用兩個電容會不會爆？
| IR | 型號 | WO12L54F | |
| 種類 | 絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型 | N溝道 |
| 導電方式 | 增強型 | 用途 | DC/直流 |
| 封裝外形 | SMD(SO)/表面封裝 | 材料 | N-FET硅N溝道 |
| 開啟電壓 | 1（V） | 夾斷電壓 | 1（V） |
| 跨導 | 1（μS） | 極間電容 | 1（pF） |
| 低頻噪聲系數 | 1（dB） | 最大漏極電流 | 1（mA） |
0
回復
@tvro
IR型號WO12L54F種類絕緣柵(MOSFET)溝道類型N溝道導電方式增強型用途DC/直流封裝外形SMD(SO)/表面封裝材料N-FET硅N溝道開啟電壓1（V）夾斷電壓1（V）跨導1（μS）極間電容1（pF）低頻噪聲系數1（dB）最大漏極電流1（mA）
謝謝 tvro的指點，那種管的耐壓是不是120V 54A呢？是否可以直接用來做24VJJ，應該用幾對余量大點？470UF的電容會不會大了點？
0
回復
