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主題:RCC電路短路電流,短路保護(hù)方法詳解

本專題由DANIELLEW主持,歡迎發(fā)表意見,討論:
1.直接短路DC輸出端,此時(shí)光耦失控,開關(guān)管Q1為何不損壞?
2.直接短路變壓器次級(jí)端,開關(guān)管Q1損壞擊穿,為何?
3,直接短路DC輸出端,此時(shí)光耦失控,DC輸出端短路電流很小,而短路電阻稍大時(shí),即DC輸出電壓大于0.25V時(shí),DC輸出端短路電流很大.為何?
4.短路電流與變壓器反饋端的電壓是否有關(guān)?
5.短路電流與變壓器反饋端的RC回路電壓是否有關(guān)?
6.當(dāng)光耦A(yù)K端的電壓小于0.1-0.5V時(shí),此時(shí)光耦失控,DC輸出端短路電流卻很小,為何?
7.當(dāng)光耦A(yù)K端的電壓大于1V時(shí),此時(shí)光耦起控,DC輸出端短路電流卻很大,為何?
8.DC輸出端短路電流與電路的哪些因素有關(guān)?
9.若上述的開關(guān)管用晶三極管替代MOSFET ,直接短路變壓器次級(jí)端,開關(guān)管Q1不損壞擊穿,為何?
10.說(shuō)明:以上1-8項(xiàng)的問(wèn)題中的開關(guān)管為MOSFET.
全部回復(fù)(22)
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daniellew
LV.6
2
2004-07-21 21:37
無(wú)人回復(fù)?
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daniellew
LV.6
3
2004-07-21 21:46
@daniellew
無(wú)人回復(fù)?
這些問(wèn)題是實(shí)際中摸索出來(lái)的,趕緊討論.
0
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daniellew
LV.6
4
2004-07-21 22:35
@daniellew
這些問(wèn)題是實(shí)際中摸索出來(lái)的,趕緊討論.
自已頂!
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abzheng
LV.4
5
2004-07-21 23:57
1.電路進(jìn)入保護(hù)狀態(tài),開關(guān)管打嗝,開通時(shí)間很短;或電流超過(guò)過(guò)流保護(hù)設(shè)定值,光藕飽和,電路同樣保護(hù),開關(guān)管打嗝,開通時(shí)間很短;所以不會(huì)損壞;
2.CD短路導(dǎo)致磁短路等效變壓器初級(jí)磁短路,其直流電阻很小,電流很大(即使開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間很短)致其燒毀;
3.此時(shí)已退出保護(hù)狀態(tài),故能輸出較大電流(限流設(shè)定值);
4.關(guān)系不大;
5.關(guān)系不大;
6.輸出穩(wěn)壓管保護(hù)導(dǎo)通,電路保護(hù);
7.進(jìn)入正常工作狀態(tài);
8.過(guò)流保護(hù)設(shè)定值;場(chǎng)管接地電阻;變壓器等
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daniellew
LV.6
6
2004-07-22 08:33
@abzheng
1.電路進(jìn)入保護(hù)狀態(tài),開關(guān)管打嗝,開通時(shí)間很短;或電流超過(guò)過(guò)流保護(hù)設(shè)定值,光藕飽和,電路同樣保護(hù),開關(guān)管打嗝,開通時(shí)間很短;所以不會(huì)損壞;2.CD短路導(dǎo)致磁短路等效變壓器初級(jí)磁短路,其直流電阻很小,電流很大(即使開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間很短)致其燒毀;3.此時(shí)已退出保護(hù)狀態(tài),故能輸出較大電流(限流設(shè)定值);4.關(guān)系不大;5.關(guān)系不大;6.輸出穩(wěn)壓管保護(hù)導(dǎo)通,電路保護(hù);7.進(jìn)入正常工作狀態(tài);8.過(guò)流保護(hù)設(shè)定值;場(chǎng)管接地電阻;變壓器等
有低于0.1-0.5V的穩(wěn)壓管嗎?這些的實(shí)踐中的問(wèn)題,請(qǐng)踴躍參加討論,abzheng所說(shuō)的不明確,或理由不充分,缺乏實(shí)踐,僅限于理論.
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daniellew
LV.6
7
2004-07-22 09:38
@daniellew
有低于0.1-0.5V的穩(wěn)壓管嗎?這些的實(shí)踐中的問(wèn)題,請(qǐng)踴躍參加討論,abzheng所說(shuō)的不明確,或理由不充分,缺乏實(shí)踐,僅限于理論.
光在理論上叫叫,沒(méi)有實(shí)踐可不行啊!
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daniellew
LV.6
8
2004-07-22 11:10
@daniellew
光在理論上叫叫,沒(méi)有實(shí)踐可不行啊!
高人何處有?
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daniellew
LV.6
9
2004-07-22 11:17
@daniellew
高人何處有?
高人何處有?555555555555555555555555555555555555
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bieloit
LV.3
10
2004-07-22 11:36
@daniellew
高人何處有?555555555555555555555555555555555555
別人已經(jīng)回復(fù)你了,理論指導(dǎo)實(shí)踐.自己多去學(xué)學(xué)吧
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daniellew
LV.6
11
2004-07-22 13:51
@bieloit
別人已經(jīng)回復(fù)你了,理論指導(dǎo)實(shí)踐.自己多去學(xué)學(xué)吧
本人已有自已的見解,不過(guò)希望大家多討論!來(lái)提升自已!有何不好?????
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2004-07-22 14:03
@daniellew
本人已有自已的見解,不過(guò)希望大家多討論!來(lái)提升自已!有何不好?????
你可以先把你的見解寫出來(lái),讓大家看看對(duì)不對(duì),因?yàn)槊總€(gè)人都有事情,總不可能成天都在網(wǎng)上吧.
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aming
LV.5
13
2004-07-22 17:03
@daniellew
高人何處有?
我只回答你兩條,1:此時(shí)電路仍在振蕩狀態(tài),受初級(jí)OCP或次級(jí)OCP電路作用,初級(jí)電流有限,MOSFET不會(huì)燒壞.2:次級(jí)繞組短路后,電路不能起振,但是啟動(dòng)電阻的作用使MOSFET導(dǎo)通后又不能關(guān)斷,當(dāng)然要燒壞
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aming
LV.5
14
2004-07-22 17:17
@daniellew
本人已有自已的見解,不過(guò)希望大家多討論!來(lái)提升自已!有何不好?????
RCC就象圍棋,易學(xué)難精,學(xué)無(wú)止境!5555555555555555555555555
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daniellew
LV.6
15
2004-07-22 19:23
@aming
我只回答你兩條,1:此時(shí)電路仍在振蕩狀態(tài),受初級(jí)OCP或次級(jí)OCP電路作用,初級(jí)電流有限,MOSFET不會(huì)燒壞.2:次級(jí)繞組短路后,電路不能起振,但是啟動(dòng)電阻的作用使MOSFET導(dǎo)通后又不能關(guān)斷,當(dāng)然要燒壞
但若再增一三極管與Q2組成達(dá)林頓復(fù)合管時(shí),短路次級(jí)后,開關(guān)管Q1不燒壞,為何?
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aming
LV.5
16
2004-07-22 20:08
@daniellew
但若再增一三極管與Q2組成達(dá)林頓復(fù)合管時(shí),短路次級(jí)后,開關(guān)管Q1不燒壞,為何?
兩個(gè)管子組成了可控硅,觸發(fā)后使MOSFET關(guān)斷.如果是一個(gè)管子,MOSFET會(huì)處在放大區(qū)----必然燒壞
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public
LV.4
17
2004-07-23 16:20
沒(méi)看到電路
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daniellew
LV.6
18
2004-07-23 17:50
@public
沒(méi)看到電路
電路見BBS論壇.
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daniellew
LV.6
19
2004-07-24 08:25
@daniellew
電路見BBS論壇.
快頂呀!
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daniellew
LV.6
20
2004-07-26 17:43
@daniellew
快頂呀!
Welcome !
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einfen
LV.5
21
2007-08-30 16:06
@daniellew
Welcome!
翻出來(lái)看看,
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huang1983
LV.7
22
2007-08-30 18:58
@daniellew
Welcome!
一個(gè)好的電源工程師會(huì)有一個(gè)相對(duì)好的對(duì)人對(duì)事態(tài)度,不管你自己能力怎么樣,問(wèn)別人也不能首先盛氣凌人!!
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2010-03-28 13:16

問(wèn)題9: MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)三極管)是電壓控制型器件,只要有足夠的電壓,就能充份導(dǎo)通

          BJT(晶體三極管)是電流控制型器件,除了要有導(dǎo)通電壓,還要有足夠的基極電流才能充份導(dǎo)通

          當(dāng)直接短路變壓器次級(jí)端后, 初級(jí)電感值消失,只有很小的漏感,相當(dāng)于導(dǎo)線. 失去電流控制作用,此時(shí)電路無(wú)法啟動(dòng),只有啟動(dòng)電  

              阻還在驅(qū)動(dòng)開關(guān)管,

          用MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)三極管)實(shí)驗(yàn)時(shí) 

              加電后,FET柵極(G)僅在啟動(dòng)電阻的作用下,直接得到足夠的開啟電壓,充份導(dǎo)通,這時(shí)電流瞬間達(dá)到最大值,瞬間爆管

          用BJT(晶體三極管)實(shí)驗(yàn)時(shí)

              加電后,BJT基極(B)僅在啟動(dòng)電阻的作用下,不能得到足夠的基極電流,不能充份導(dǎo)通,集電極電流也不會(huì)太大,功耗在安全范圍內(nèi),

              不會(huì)爆管

         

            

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