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整流橋的導通壓降怎么這么大？

今天突然想到了一個很弱的問題，就是：整流橋的導通壓降怎么這么大？

以前說中好像說的硅二極體的導通壓降是0.7V,鍺的是0.4V，但是為什么整流橋的導通壓降有0.98V(典型值)，最大值到1.1V？

是因為為了反向耐壓高，里面是兩個二極體串聯(lián)的？但是大電流又是怎么實現(xiàn)的呢？

二極管1N4007的資料

整流二極管

　　較強的正向浪涌承受能力：30A

　　最大正向平均整流電流：1A

　　最高反向耐壓：1000V

　　低的反向漏電流：5uA（最大值）

　　正向壓降：1.0V

　　最大反向峰值電流：30uA

　　典型熱阻：65℃/W

　　典型結(jié)電容：15pF

　　工作溫度：－50℃～+150℃

　　封裝：DO-41

　　還有二極管

　　1N5822這個是3A的肖特基二極管,反壓40VRL207是普通的2A整流二極管，反壓1000V

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2011-11-17 08:07

這個還真沒想過,

一般看著正向壓降1V是很正常的事.

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2011-11-17 13:42
@edie87@163.com
這個還真沒想過,一般看著正向壓降1V是很正常的事.
那個0.7V是在電流=10mA下測得的
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zvszcs
LV.12
4
2011-11-17 14:35
@賀赫無名
那個0.7V是在電流=10mA下測得的[圖片]
最低的好像是0.92，普通的再也沒見多再低的
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amonson
LV.8
5
2011-11-17 17:26
耐壓越高，需要把PN結(jié)做得越厚，為了過瞬間大電流，需要把PN結(jié)的接觸面也加大，但PN結(jié)的等效電阻是增大的，所以隨著電流的增大正向壓降也會增加。而肖特基是點面接觸，結(jié)點電阻也較大，所以電流越大壓降越大。這一部分我了解不多，上面講的不一定全對，這個都是制造工藝的問題，要想完全搞明白最好請教半導體生產(chǎn)廠家的技術人員。
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guangsan
LV.3
6
2011-11-18 20:00
@amonson
耐壓越高，需要把PN結(jié)做得越厚，為了過瞬間大電流，需要把PN結(jié)的接觸面也加大，但PN結(jié)的等效電阻是增大的，所以隨著電流的增大正向壓降也會增加。而肖特基是點面接觸，結(jié)點電阻也較大，所以電流越大壓降越大。這一部分我了解不多，上面講的不一定全對，這個都是制造工藝的問題，要想完全搞明白最好請教半導體生產(chǎn)廠家的技術人員。

你說的這個我也想過，只是找不到合適的人問。就整流橋來說，一般都是近1V的壓降，但是有的元件好像還是比較低的，不知道誰能仔細講講么，還有就是二極管的什么肖特基，快恢復，等等的差別，咋樣都記不住哦。

不知道各位有什么好方法記么？

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2011-11-26 02:33
@guangsan
你說的這個我也想過，只是找不到合適的人問。就整流橋來說，一般都是近1V的壓降，但是有的元件好像還是比較低的，不知道誰能仔細講講么，還有就是二極管的什么肖特基，快恢復，等等的差別，咋樣都記不住哦。不知道各位有什么好方法記么？

如果是幾伏的AC電通過它，會覺得損耗很大，如果是AC220V呢？損耗就不覺得大拉，1/220 也就是0.5%不到

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2011-11-27 02:37

1.單獨一個二極管只有一個空間電場，需要承受的反向電壓越高就需要越大的空間電荷，相應的正向壓降就大了，二極管的基本原理就這樣，除非再發(fā)明一種非PN結(jié)構(gòu)的二極管。

2.常用的1200V以下的二極管極少有串聯(lián)的，需要耐壓高一些就把PN結(jié)擴散深一些，需要大電流就把PN結(jié)面積做大點。

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cheng111
LV.11
9
2011-11-27 08:46
@guangsan
你說的這個我也想過，只是找不到合適的人問。就整流橋來說，一般都是近1V的壓降，但是有的元件好像還是比較低的，不知道誰能仔細講講么，還有就是二極管的什么肖特基，快恢復，等等的差別，咋樣都記不住哦。不知道各位有什么好方法記么？
這個損耗已經(jīng)很小了，如果是比較小的交流輸入時，就可以使用肖特基做整流了，只是這樣成本高，
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cheng111
LV.11
10
2011-11-27 08:47
@賬號不能為空
1.單獨一個二極管只有一個空間電場，需要承受的反向電壓越高就需要越大的空間電荷，相應的正向壓降就大了，二極管的基本原理就這樣，除非再發(fā)明一種非PN結(jié)構(gòu)的二極管。2.常用的1200V以下的二極管極少有串聯(lián)的，需要耐壓高一些就把PN結(jié)擴散深一些，需要大電流就把PN結(jié)面積做大點。
二極管還是不要串聯(lián)并聯(lián)使用了。不如找要一個好一點二極管。
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2011-11-27 08:52
@cheng111
二極管還是不要串聯(lián)并聯(lián)使用了。不如找要一個好一點二極管。
樓上你說的就錯了，如果你用個6A/40V的二極管與2個3A/40V的二極管并聯(lián)，你會發(fā)現(xiàn)6A的二極管要比2個3A的貴很多，
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2011-11-27 08:53
@賀赫無名
樓上你說的就錯了，如果你用個6A/40V的二極管與2個3A/40V的二極管并聯(lián)，你會發(fā)現(xiàn)6A的二極管要比2個3A的貴很多，
還有就是常用規(guī)格的要比不用常規(guī)格的也要便宜很多，甚至是好幾倍
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cheng111
LV.11
13
2011-11-27 09:00
@賀赫無名
樓上你說的就錯了，如果你用個6A/40V的二極管與2個3A/40V的二極管并聯(lián)，你會發(fā)現(xiàn)6A的二極管要比2個3A的貴很多，
是的，有很多這樣的應用。但是我個人是不支持的。如果兩個二極管并聯(lián)，二極管有差異，會導致一個電流大一個電流，電流不平衡，發(fā)熱也不一樣，可能電路長時間工作就不行了。
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2011-11-27 13:01
@cheng111
是的，有很多這樣的應用。但是我個人是不支持的。如果兩個二極管并聯(lián)，二極管有差異，會導致一個電流大一個電流，電流不平衡，發(fā)熱也不一樣，可能電路長時間工作就不行了。

應用中二極管并聯(lián)大部分比單個的成本要高，但是散熱什么的容易處理，所以很多時候都會并聯(lián)使用的。

另外，二極管流過電流越大壓降就越大，所以并聯(lián)的二極管會自動均流。

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ctx1211
LV.7
15
2011-11-27 17:33
普遍的壓降是多少？
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zq2007
LV.11
16
2011-11-27 20:47
測試條件不一樣造成的。
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cheng111
LV.11
17
2011-11-27 22:35
@ctx1211
普遍的壓降是多少？
應該是1V或者0.7V。
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cheng111
LV.11
18
2011-11-27 22:36
@賬號不能為空
應用中二極管并聯(lián)大部分比單個的成本要高，但是散熱什么的容易處理，所以很多時候都會并聯(lián)使用的。另外，二極管流過電流越大壓降就越大，所以并聯(lián)的二極管會自動均流。
但是長期如此，有一個電流大的二極管就容易損壞。
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2011-11-29 18:10
@cheng111
但是長期如此，有一個電流大的二極管就容易損壞。
呵呵，不會的，我見過有個做同步大電流的逆變器板，上面用了至少上百個二極管，我想都是用來擴流使用，好像也不會壞吧
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zq2007
LV.11
20
2011-11-29 19:35
@cheng111
但是長期如此，有一個電流大的二極管就容易損壞。
有道理，輸出肖特基如果兩個相差太大的話，會容易損壞。
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2011-11-29 21:27
@zq2007
有道理，輸出肖特基如果兩個相差太大的話，會容易損壞。
同型號同批次怎么可能相差？更不會過大。
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zq2007
LV.11
22
2011-11-30 08:43
樓主，有些損耗是無法避免的。
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destiny
LV.6
23
2011-11-30 10:36
@zq2007
樓主，有些損耗是無法避免的。
樓上正解，要不豈不所有電源就根本不用測效率了，因為都是100%了
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2011-11-30 17:02
@zvszcs
最低的好像是0.92，普通的再也沒見多再低的
0.92是額定電流下所測得的
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2011-11-30 17:06
@destiny
樓上正解，要不豈不所有電源就根本不用測效率了，因為都是100%了
誰能搞個無死區(qū)電壓的二極管來，其參數(shù)跟MOS管一樣，只有導通電阻大小之分，那么二極管世界是一個大的變革啊
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bigbigeasy
LV.6
26
2011-11-30 20:56
@賀赫無名
那個0.7V是在電流=10mA下測得的[圖片]

問題不在這里

0.7是半導體勢壘能級

還有器件電阻產(chǎn)生的壓降

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cheng111
LV.11
27
2011-11-30 22:40
@賀赫無名
誰能搞個無死區(qū)電壓的二極管來，其參數(shù)跟MOS管一樣，只有導通電阻大小之分，那么二極管世界是一個大的變革啊[圖片]

這個可能性也太小了，

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2011-12-01 08:19
@cheng111
[圖片]這個可能性也太小了，
再艱難的路也不能阻止人類的技術創(chuàng)新的腳步!!!
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立
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