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整流橋的導通壓降怎么這么大?

今天突然想到了一個很弱的問題,就是:整流橋的導通壓降怎么這么大?

以前說中好像說的硅二極體的導通壓降是0.7V,鍺的是0.4V,但是為什么整流橋的導通壓降有0.98V(典型值),最大值到1.1V?

是因為為了反向耐壓高,里面是兩個二極體串聯(lián)的?但是大電流又是怎么實現(xiàn)的呢?

二極管1N4007的資料

整流二極管

  較強的正向浪涌承受能力:30A

  最大正向平均整流電流:1A

  最高反向耐壓:1000V

  低的反向漏電流:5uA(最大值)

  正向壓降:1.0V

  最大反向峰值電流:30uA

  典型熱阻:65℃/W

  典型結(jié)電容:15pF

  工作溫度:-50℃~+150℃

  封裝:DO-41

  還有二極管

  1N5822這個是3A的肖特基二極管,反壓40VRL207是普通的2A整流二極管,反壓1000V

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2011-11-17 08:07

這個還真沒想過,

一般看著正向壓降1V是很正常的事.

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2011-11-17 13:42
@edie87@163.com
這個還真沒想過,一般看著正向壓降1V是很正常的事.
那個0.7V是在電流=10mA下測得的
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zvszcs
LV.12
4
2011-11-17 14:35
@賀赫無名
那個0.7V是在電流=10mA下測得的[圖片]
最低的好像是0.92,普通的再也沒見多再低的
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amonson
LV.8
5
2011-11-17 17:26
耐壓越高,需要把PN結(jié)做得越厚,為了過瞬間大電流,需要把PN結(jié)的接觸面也加大,但PN結(jié)的等效電阻是增大的,所以隨著電流的增大正向壓降也會增加。而肖特基是點面接觸,結(jié)點電阻也較大,所以電流越大壓降越大。這一部分我了解不多,上面講的不一定全對,這個都是制造工藝的問題,要想完全搞明白最好請教半導體生產(chǎn)廠家的技術人員。
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guangsan
LV.3
6
2011-11-18 20:00
@amonson
耐壓越高,需要把PN結(jié)做得越厚,為了過瞬間大電流,需要把PN結(jié)的接觸面也加大,但PN結(jié)的等效電阻是增大的,所以隨著電流的增大正向壓降也會增加。而肖特基是點面接觸,結(jié)點電阻也較大,所以電流越大壓降越大。這一部分我了解不多,上面講的不一定全對,這個都是制造工藝的問題,要想完全搞明白最好請教半導體生產(chǎn)廠家的技術人員。

你說的這個我也想過,只是找不到合適的人問。就整流橋來說,一般都是近1V的壓降,但是有的元件好像還是比較低的,不知道誰能仔細講講么,還有就是二極管的什么肖特基,快恢復,等等的差別,咋樣都記不住哦。

不知道各位有什么好方法記么?

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2011-11-26 02:33
@guangsan
你說的這個我也想過,只是找不到合適的人問。就整流橋來說,一般都是近1V的壓降,但是有的元件好像還是比較低的,不知道誰能仔細講講么,還有就是二極管的什么肖特基,快恢復,等等的差別,咋樣都記不住哦。不知道各位有什么好方法記么?

如果是幾伏的AC電通過它,會覺得損耗很大,如果是AC220V呢?損耗就不覺得大拉,1/220 也就是0.5%不到

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2011-11-27 02:37

1.單獨一個二極管只有一個空間電場,需要承受的反向電壓越高就需要越大的空間電荷,相應的正向壓降就大了,二極管的基本原理就這樣,除非再發(fā)明一種非PN結(jié)構(gòu)的二極管。

2.常用的1200V以下的二極管極少有串聯(lián)的,需要耐壓高一些就把PN結(jié)擴散深一些,需要大電流就把PN結(jié)面積做大點。

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cheng111
LV.11
9
2011-11-27 08:46
@guangsan
你說的這個我也想過,只是找不到合適的人問。就整流橋來說,一般都是近1V的壓降,但是有的元件好像還是比較低的,不知道誰能仔細講講么,還有就是二極管的什么肖特基,快恢復,等等的差別,咋樣都記不住哦。不知道各位有什么好方法記么?
這個損耗已經(jīng)很小了,如果是比較小的交流輸入時,就可以使用肖特基做整流了,只是這樣成本高,
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cheng111
LV.11
10
2011-11-27 08:47
@賬號不能為空
1.單獨一個二極管只有一個空間電場,需要承受的反向電壓越高就需要越大的空間電荷,相應的正向壓降就大了,二極管的基本原理就這樣,除非再發(fā)明一種非PN結(jié)構(gòu)的二極管。2.常用的1200V以下的二極管極少有串聯(lián)的,需要耐壓高一些就把PN結(jié)擴散深一些,需要大電流就把PN結(jié)面積做大點。
二極管還是不要串聯(lián)并聯(lián)使用了。不如找要一個好一點二極管。
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2011-11-27 08:52
@cheng111
二極管還是不要串聯(lián)并聯(lián)使用了。不如找要一個好一點二極管。
樓上你說的就錯了,如果你用個6A/40V的二極管與2個3A/40V的二極管并聯(lián),你會發(fā)現(xiàn)6A的二極管要比2個3A的貴很多,
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2011-11-27 08:53
@賀赫無名
樓上你說的就錯了,如果你用個6A/40V的二極管與2個3A/40V的二極管并聯(lián),你會發(fā)現(xiàn)6A的二極管要比2個3A的貴很多,
還有就是常用規(guī)格的要比不用常規(guī)格的也要便宜很多,甚至是好幾倍
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cheng111
LV.11
13
2011-11-27 09:00
@賀赫無名
樓上你說的就錯了,如果你用個6A/40V的二極管與2個3A/40V的二極管并聯(lián),你會發(fā)現(xiàn)6A的二極管要比2個3A的貴很多,
是的,有很多這樣的應用。但是我個人是不支持的。如果兩個二極管并聯(lián),二極管有差異,會導致一個電流大一個電流,電流不平衡,發(fā)熱也不一樣,可能電路長時間工作就不行了。
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2011-11-27 13:01
@cheng111
是的,有很多這樣的應用。但是我個人是不支持的。如果兩個二極管并聯(lián),二極管有差異,會導致一個電流大一個電流,電流不平衡,發(fā)熱也不一樣,可能電路長時間工作就不行了。

應用中二極管并聯(lián)大部分比單個的成本要高,但是散熱什么的容易處理,所以很多時候都會并聯(lián)使用的。

另外,二極管流過電流越大壓降就越大,所以并聯(lián)的二極管會自動均流。

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ctx1211
LV.7
15
2011-11-27 17:33
普遍的壓降是多少?
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zq2007
LV.11
16
2011-11-27 20:47
測試條件不一樣造成的。
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cheng111
LV.11
17
2011-11-27 22:35
@ctx1211
普遍的壓降是多少?
應該是1V或者0.7V。
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cheng111
LV.11
18
2011-11-27 22:36
@賬號不能為空
應用中二極管并聯(lián)大部分比單個的成本要高,但是散熱什么的容易處理,所以很多時候都會并聯(lián)使用的。另外,二極管流過電流越大壓降就越大,所以并聯(lián)的二極管會自動均流。
但是長期如此,有一個電流大的二極管就容易損壞。
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2011-11-29 18:10
@cheng111
但是長期如此,有一個電流大的二極管就容易損壞。
呵呵,不會的,我見過有個做同步大電流的逆變器板,上面用了至少上百個二極管,我想都是用來擴流使用,好像也不會壞吧
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zq2007
LV.11
20
2011-11-29 19:35
@cheng111
但是長期如此,有一個電流大的二極管就容易損壞。
有道理,輸出肖特基如果兩個相差太大的話,會容易損壞。
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2011-11-29 21:27
@zq2007
有道理,輸出肖特基如果兩個相差太大的話,會容易損壞。
同型號同批次怎么可能相差?更不會過大。
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zq2007
LV.11
22
2011-11-30 08:43
樓主,有些損耗是無法避免的。
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destiny
LV.6
23
2011-11-30 10:36
@zq2007
樓主,有些損耗是無法避免的。
樓上正解,要不豈不所有電源就根本不用測效率了,因為都是100%了
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2011-11-30 17:02
@zvszcs
最低的好像是0.92,普通的再也沒見多再低的
0.92是額定電流下所測得的
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2011-11-30 17:06
@destiny
樓上正解,要不豈不所有電源就根本不用測效率了,因為都是100%了
誰能搞個無死區(qū)電壓的二極管來,其參數(shù)跟MOS管一樣,只有導通電阻大小之分,那么二極管世界是一個大的變革啊
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bigbigeasy
LV.6
26
2011-11-30 20:56
@賀赫無名
那個0.7V是在電流=10mA下測得的[圖片]

問題不在這里

0.7是半導體勢壘能級

還有器件電阻產(chǎn)生的壓降

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cheng111
LV.11
27
2011-11-30 22:40
@賀赫無名
誰能搞個無死區(qū)電壓的二極管來,其參數(shù)跟MOS管一樣,只有導通電阻大小之分,那么二極管世界是一個大的變革啊[圖片]

這個可能性也太小了,

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2011-12-01 08:19
@cheng111
[圖片]這個可能性也太小了,
再艱難的路也不能阻止人類的技術創(chuàng)新的腳步!!!
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