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L6562組成的高功率因數(shù)2X36W電子鎮(zhèn)流器，IC燒爆原因分析（有圖）

L6562組成的高功率因數(shù)2X36W電子鎮(zhèn)流器，IC燒爆原因請(qǐng) 大家?guī)兔Ψ治鲈?/div>
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ilovegear
LV.4
2
2011-11-04 11:11
看不清啊，來(lái)個(gè)微距圖吧
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FGR188
LV.2
3
2011-11-04 13:59
@ilovegear
看不清啊，來(lái)個(gè)微距圖吧
 
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趙山
LV.1
4
2011-11-04 15:24

這么厲害，很大的能量，應(yīng)該是MOS管損壞，高壓過(guò)來(lái)了吧

具體要看下線路參數(shù)，才能分析是否調(diào)試正確呀。

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FGR188
LV.2
5
2011-11-04 16:07
@趙山
這么厲害，很大的能量，應(yīng)該是MOS管損壞，高壓過(guò)來(lái)了吧具體要看下線路參數(shù)，才能分析是否調(diào)試正確呀。
L6562,MOS管與射極電阻無(wú)一幸免
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FGR188
LV.2
6
2011-11-04 16:09
@FGR188
L6562,MOS管與射極電阻無(wú)一幸免
 
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FGR188
LV.2
7
2011-11-05 16:17
@FGR188
[圖片] 
這是儲(chǔ)能電感兩端的電壓波形，不知正常與 否請(qǐng)大家多多指教
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fsdz
LV.5
8
2011-11-05 18:03
@FGR188
[圖片] 
60度高溫、-15%電壓測(cè)MOS溫度，看看什么情況。
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humiaocan
LV.5
9
2011-11-05 18:55
@FGR188
這是儲(chǔ)能電感兩端的電壓波形，不知正常與[圖片] 否請(qǐng)大家多多指教
電感兩端的電壓波形幅度一樣大，不正常 的。帶載情況下，正常的電壓波形應(yīng)該是整流后的輸入電壓越低，電感兩端的電壓越高。應(yīng)該是兩邊幅度大，中間小。除非不帶負(fù)載，C3兩端電壓舉高不下才會(huì)出現(xiàn)這樣的波形。不知我分析的對(duì)不對(duì)。望各位哥們共同探討。
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renshi_789
LV.8
10
2011-11-06 00:00
關(guān)注!
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FGR188
LV.2
11
2011-11-06 10:30
@renshi_789
關(guān)注!
請(qǐng)問(wèn)樓上，與各師傅們有沒(méi)有正確的波形請(qǐng)上傳一個(gè)，（如以上波形不正確怎樣調(diào)試）謝謝
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191848262
LV.4
12
2011-11-06 13:08
@FGR188
請(qǐng)問(wèn)樓上，與各師傅們有沒(méi)有正確的波形請(qǐng)上傳一個(gè)，（如以上波形不正確怎樣調(diào)試）謝謝

原理圖的參數(shù)和版上的一樣嘛?

 

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czynwpu
LV.2
13
2011-11-06 14:06
@191848262
原理圖的參數(shù)和版上的一樣嘛? 
MOS導(dǎo)通時(shí)，電壓的波形為Vi(t),MOS關(guān)斷時(shí)為Vi（t）-Vo
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czynwpu
LV.2
14
2011-11-06 14:08
變壓器的匝比？還有輸出的電壓
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FGR188
LV.2
15
2011-11-07 08:29
@czynwpu
變壓器的匝比？還有輸出的電壓
原理圖是與版上的一致的，輸出電壓為410V,PFC電感使用EE28氣隙1.5MM電感量0.9mH;次級(jí)圈數(shù)10T
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xyd1122
LV.2
16
2011-11-07 08:58
@FGR188
原理圖是與版上的一致的，輸出電壓為410V,PFC電感使用EE28氣隙1.5MM電感量0.9mH;次級(jí)圈數(shù)10T
本人菜鳥(niǎo)啊，不知道說(shuō)得對(duì)不對(duì)；MOS管柵極電路有些問(wèn)題，柵極與漏極間可做一一放電電路
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ilovegear
LV.4
17
2011-11-07 12:33

正常點(diǎn)燈的時(shí)候壞嗎？PFC MOSFET是用多大的？燙嗎？

 

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FGR188
LV.2
18
2011-11-07 13:54
@ilovegear
正常點(diǎn)燈的時(shí)候壞嗎？PFCMOSFET是用多大的？燙嗎？ 
是啊，MOS管用IRF840,溫升不高
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gwj1969
LV.3
19
2011-11-07 14:53
@FGR188
是啊，MOS管用IRF840,溫升不高

燒一個(gè)正常呀，多了就不正常  應(yīng)該是輸入電壓高了，MOS擊穿，IC爆了

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xyd1122
LV.2
20
2011-11-07 17:06
@FGR188
是啊，MOS管用IRF840,溫升不高
mos管漏極波形有嗎 看看漏極波形 與IC第四腳比對(duì)下 另外MOS耐壓低了些 選用650V的吧至少
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bett
LV.7
21
2011-11-08 08:42
@xyd1122
mos管漏極波形有嗎看看漏極波形與IC第四腳比對(duì)下另外MOS耐壓低了些選用650V的吧至少

耐壓夠了

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FGR188
LV.2
22
2011-11-08 09:52
@xyd1122
mos管漏極波形有嗎看看漏極波形與IC第四腳比對(duì)下另外MOS耐壓低了些選用650V的吧至少
請(qǐng)問(wèn)在GS間加一電阻如（20K）可否增加GD之間耐壓
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simon_wang
LV.6
23
2011-11-08 10:28
@FGR188
請(qǐng)問(wèn)在GS間加一電阻如（20K）可否增加GD之間耐壓
gs加電阻跟耐壓沒(méi)關(guān)系吧，兄弟
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FGR188
LV.2
24
2011-11-08 10:34
@simon_wang
gs加電阻跟耐壓沒(méi)關(guān)系吧，兄弟
 這是IR840的規(guī)格書(shū)，請(qǐng)問(wèn)測(cè)試條件中的RGS=20K 是否要在GS之間加一個(gè)20K 的電阻VDG才達(dá)到500V的耐壓？？
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bett
LV.7
25
2011-11-08 12:52
@FGR188
請(qǐng)問(wèn)在GS間加一電阻如（20K）可否增加GD之間耐壓
GS之間加電阻是防止誤導(dǎo)通的
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FGR188
LV.2
26
2011-11-08 16:11
@bett
GS之間加電阻是防止誤導(dǎo)通的
謝謝大家
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wuyzhi
LV.5
27
2011-11-09 10:27
@FGR188
[圖片]謝謝大家

把電壓調(diào)低一點(diǎn)385V就差不多了．

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qiqing
LV.2
28
2011-12-01 15:24
@FGR188
[圖片] 
次級(jí)圈反了。
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