同步整流MOS管發(fā)熱很大
最近做了一個100W電源,輸入AC100-AC240V,輸出18V5.5A,由于外殼為塑料殼且空間有限,輸出采用同步整流。用了銳駿的MOS管,RU80N15R,內(nèi)阻才30mR,為何MOS管很燙。散熱片的尺寸為110mmX25mmXT3。搞了好久一直沒弄明白。換了RU190N15R,內(nèi)阻才15mR,可是發(fā)熱還是很大,不知道是啥原因。
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@grace.don
那個是參考地的問題。VGS電壓是12V,今天在同步整流MOS管上并了個肖特基,MOS管還是那么熱,肖特基不怎么發(fā)熱。會不會是我的散熱不夠,同步整流的MOS峰值電流較大,來不及散熱導致內(nèi)阻加大,從而越來越熱?
你這個SR1的驅(qū)動輸出口是什么結(jié)構(gòu)? 4腳是地嗎? S和GND內(nèi)部是連著的嗎? 還是隔離的? 我不知道這是什么芯片,不好說。 不過 從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動電壓不夠,導致MOS工作在線性區(qū),MOS開關(guān)不完全,才會這么熱的! 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙,因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅(qū)動波形的? 探頭地線是夾在Q7的S?
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@NATE007
[圖片] 你這個SR1的驅(qū)動輸出口是什么結(jié)構(gòu)? 4腳是地嗎?S和GND內(nèi)部是連著的嗎?還是隔離的? 我不知道這是什么芯片,不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動電壓不夠,導致MOS工作在線性區(qū),MOS開關(guān)不完全,才會這么熱的! 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙,因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅(qū)動波形的?探頭地線是夾在Q7的S?
那個就是同步整流的部分電路,板面畫不上了,只好畫一小板。探頭接的是輸出地上。如果接在S腳上,輸出是12V。我那MOS管接的是高壓側(cè),有另外一個繞組供電。由于滿載時電壓較高,所以才加一三極管穩(wěn)壓電路。
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@NATE007
[圖片] 你這個SR1的驅(qū)動輸出口是什么結(jié)構(gòu)? 4腳是地嗎?S和GND內(nèi)部是連著的嗎?還是隔離的? 我不知道這是什么芯片,不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動電壓不夠,導致MOS工作在線性區(qū),MOS開關(guān)不完全,才會這么熱的! 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙,因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅(qū)動波形的?探頭地線是夾在Q7的S?
肖特基的會更燙,耐壓在100V以上的管子,一般管壓降會在0.65V左右。單這個就要耗掉3W了,還有反壓的損耗,那個溫度會上110度。殼子是塑料的,不敢這么搞啊。目前變壓器及PFC的電感溫度降下來了,85度。但是PFC之后的那個電容、原邊MOS及PFC的MOS以及同步整流MOS還是比較燙
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@NATE007
[圖片] 你這個SR1的驅(qū)動輸出口是什么結(jié)構(gòu)? 4腳是地嗎?S和GND內(nèi)部是連著的嗎?還是隔離的? 我不知道這是什么芯片,不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動電壓不夠,導致MOS工作在線性區(qū),MOS開關(guān)不完全,才會這么熱的! 估計你用導通電壓較低的二極管整都沒這么燙,因為你的電流不算大。 你是怎么測試Q7驅(qū)動波形的?探頭地線是夾在Q7的S?
對了,一般來說,你設(shè)計的變壓器反射電壓VOR會設(shè)計在幾伏?我一般是設(shè)計在100-120V,設(shè)計得高了MOS耐壓經(jīng)常會頂不?。豢墒窃O(shè)計得低了,MOS的電流就大,發(fā)熱也大,變壓器也燙。真的不是很好做啊
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@grtang
有可能是兩個探頭的地線相互干擾。把通道1去掉,單獨測試通道2,看看還有沒有雜訊。另外可以測試次級繞組的電壓波形,也可以判斷時序同步。此時兩個探頭的地線是連接在一起的。最好是測MOSFET的Id和Vgs,精確觀察時序的同步問題。
確實是探頭引入的干擾,我把通信2的地線也接到S腳波形就基本正常了。從波形來看,同步整流DRIVER確實關(guān)斷的早了,開啟倒是正常的。
從上圖可以看出同步整流的DRIVER腳輸出提前關(guān)斷了1.5uS
上圖是我關(guān)斷時下拉電阻加大到47歐的后到MOS管G腳的VGS波形,雖然減緩了關(guān)斷時間,由于MOS管G腳的電壓下降了,可能損耗還是會比較大。
上圖是與原邊VDS比較的波形,只能說工作是比較正常了,不過還是比較燙。
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