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boost升壓參數(shù)如何設(shè)置!!

   我想問下,boost升壓電路里面,電容  電感參數(shù)如何設(shè)置,還有一定要用肖特基二極管嗎?SR360是肖特基二極管嗎?mos管需要多大峰峰值的pwm波才能導(dǎo)通,15v會(huì)太大把mos管燒了嗎?我用的mos管是IRF540的,求指點(diǎn)?。。?!
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LV.1
2
2011-07-28 15:43
樓主,你這多問題,來個(gè)圖看看噻?
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674634095
LV.3
3
2011-07-28 16:03
@
樓主,你這多問題,來個(gè)圖看看噻?

 

求樓主指點(diǎn)啊,主要是上面的一些問題,我輸入21v,想得到36v,求參數(shù)設(shè)置和mos管的那幾個(gè)問題,謝謝?。?!

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2011-07-28 16:19
@674634095
[圖片] 求樓主指點(diǎn)啊,主要是上面的一些問題,我輸入21v,想得到36v,求參數(shù)設(shè)置和mos管的那幾個(gè)問題,謝謝?。。?/span>

這個(gè)也要看你的功率多大,這樣會(huì)決定你使用的模式

不同的模式器件選擇上也是有點(diǎn)區(qū)別的,比如DCM模式的峰值電流較大,MOSFET的電流應(yīng)力就更大點(diǎn);CCM模式整流二極管存在一個(gè)反向回復(fù)的時(shí)間問題,所以這個(gè)損耗不容忽略

至于升壓電感的計(jì)算方法你可以參考論壇里面Javike版主跟好版主的帖子都有詳細(xì)講

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zvszcs
LV.12
5
2011-07-28 21:30
@心中有冰
這個(gè)也要看你的功率多大,這樣會(huì)決定你使用的模式不同的模式器件選擇上也是有點(diǎn)區(qū)別的,比如DCM模式的峰值電流較大,MOSFET的電流應(yīng)力就更大點(diǎn);CCM模式整流二極管存在一個(gè)反向回復(fù)的時(shí)間問題,所以這個(gè)損耗不容忽略至于升壓電感的計(jì)算方法你可以參考論壇里面Javike版主跟好版主的帖子都有詳細(xì)講
就是啥
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yousuoqiu
LV.2
6
2011-08-02 09:52
@心中有冰
這個(gè)也要看你的功率多大,這樣會(huì)決定你使用的模式不同的模式器件選擇上也是有點(diǎn)區(qū)別的,比如DCM模式的峰值電流較大,MOSFET的電流應(yīng)力就更大點(diǎn);CCM模式整流二極管存在一個(gè)反向回復(fù)的時(shí)間問題,所以這個(gè)損耗不容忽略至于升壓電感的計(jì)算方法你可以參考論壇里面Javike版主跟好版主的帖子都有詳細(xì)講
頂一下
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