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所謂變壓器超級(jí)繞法-步驟和原理

 
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LV.1
2
2011-07-10 15:13

對(duì)那些刻苦研究變壓器繞發(fā),不厭其煩的嘗試其效果的同志致敬

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ballastt
LV.6
3
2011-07-10 15:26
@
對(duì)那些刻苦研究變壓器繞發(fā),不厭其煩的嘗試其效果的同志致敬

過獎(jiǎng)了,只是覺得好玩!

通過測(cè)試,比普通三明治繞法,峰值降了15個(gè)DB,準(zhǔn)峰值降了12個(gè)DB!

以前看到PI的LINK系列的電源里用到,當(dāng)時(shí)還不以為然!

雖然整體性能有所提升,但損耗和轉(zhuǎn)換在變壓器內(nèi)部,所以變壓器的損耗會(huì)多點(diǎn)!

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LV.1
4
2011-07-10 16:04
@ballastt
過獎(jiǎng)了,只是覺得好玩!通過測(cè)試,比普通三明治繞法,峰值降了15個(gè)DB,準(zhǔn)峰值降了12個(gè)DB!以前看到PI的LINK系列的電源里用到,當(dāng)時(shí)還不以為然!雖然整體性能有所提升,但損耗和轉(zhuǎn)換在變壓器內(nèi)部,所以變壓器的損耗會(huì)多點(diǎn)!

營長兄臺(tái),我現(xiàn)在有個(gè)27v 360mA的LED ,客人要求效率坐到85%,能轉(zhuǎn)量產(chǎn)的話我的效率估計(jì)要做到86.5%以上才可以保證量產(chǎn)沒有問題,現(xiàn)在變壓器若按照你這么繞發(fā)能行嗎?我現(xiàn)在的效率有85.3%,變壓器是普通順系繞發(fā)的。改成你說的那種對(duì)效率和EMI各有什么利弊?請(qǐng)大師點(diǎn)化。。。。

 

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ballastt
LV.6
5
2011-07-10 17:26
@
營長兄臺(tái),我現(xiàn)在有個(gè)27v360mA的LED,客人要求效率坐到85%,能轉(zhuǎn)量產(chǎn)的話我的效率估計(jì)要做到86.5%以上才可以保證量產(chǎn)沒有問題,現(xiàn)在變壓器若按照你這么繞發(fā)能行嗎?我現(xiàn)在的效率有85.3%,變壓器是普通順系繞發(fā)的。改成你說的那種對(duì)效率和EMI各有什么利弊?請(qǐng)大師點(diǎn)化。。。。 

不好意思兄弟,這種繞法的測(cè)試,我還沒有測(cè)試完成。

對(duì)效率的影響幅度,沒有測(cè)試!不敢亂說!

另外,對(duì)于屏蔽繞組的匝數(shù)目前還沒有準(zhǔn)確概念!

而我在初步試驗(yàn)過程中,發(fā)現(xiàn)加入該吸收層之后,可能會(huì)引起震蕩!

所以,我知之甚少,希望不要對(duì)您產(chǎn)生誤導(dǎo)!目前,只是EMI有切實(shí)改善!

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2011-07-10 18:18
@ballastt
不好意思兄弟,這種繞法的測(cè)試,我還沒有測(cè)試完成。對(duì)效率的影響幅度,沒有測(cè)試!不敢亂說!另外,對(duì)于屏蔽繞組的匝數(shù)目前還沒有準(zhǔn)確概念!而我在初步試驗(yàn)過程中,發(fā)現(xiàn)加入該吸收層之后,可能會(huì)引起震蕩!所以,我知之甚少,希望不要對(duì)您產(chǎn)生誤導(dǎo)!目前,只是EMI有切實(shí)改善!
實(shí)踐出真知、
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hk2007
LV.8
7
2011-07-10 20:22
@隱形專家
實(shí)踐出真知、
恩,這個(gè)沒試驗(yàn)過。以前都說把屏蔽層接在靜點(diǎn)上
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ballastt
LV.6
8
2011-07-10 20:40
@hk2007
恩,這個(gè)沒試驗(yàn)過。以前都說把屏蔽層接在靜點(diǎn)上

接在MOS的動(dòng)點(diǎn)上,是有好處的!

當(dāng)MOS開通的時(shí)候,同名端為負(fù)電位,內(nèi)部的耦合或者是輻射等,通過該繞組到地形成回路!

當(dāng)MOS關(guān)斷的時(shí)候,同名端為高電平,通過耦合或者是輻射,把部分能量返回到初級(jí)和次級(jí)!個(gè)人理解會(huì)降低漏感所形成的尖峰等。但我上面的繞法尖峰電壓不見降低!是不是應(yīng)該把輸出繞組夾在中間!

只是個(gè)人理解,望指正!

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dengyuan
LV.8
9
2011-07-11 08:02

我覺得不要只孤立地看待線包,應(yīng)該把磁芯也看進(jìn)來,如果把磁芯算進(jìn)來,是不是也可以把磁芯看做一個(gè)線包啊,那么磁芯與線包就是一個(gè)整體,一個(gè)循環(huán)體,所以我認(rèn)為初級(jí)的DI/DT或者DV/DT會(huì)通過磁芯傳到次級(jí)。

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cheng111
LV.11
10
2011-07-11 09:31
@ballastt
接在MOS的動(dòng)點(diǎn)上,是有好處的!當(dāng)MOS開通的時(shí)候,同名端為負(fù)電位,內(nèi)部的耦合或者是輻射等,通過該繞組到地形成回路!當(dāng)MOS關(guān)斷的時(shí)候,同名端為高電平,通過耦合或者是輻射,把部分能量返回到初級(jí)和次級(jí)!個(gè)人理解會(huì)降低漏感所形成的尖峰等。但我上面的繞法尖峰電壓不見降低!是不是應(yīng)該把輸出繞組夾在中間!只是個(gè)人理解,望指正!
理論與實(shí)際相結(jié)合...頂
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LV.1
11
2011-07-16 11:52
@ballastt
過獎(jiǎng)了,只是覺得好玩!通過測(cè)試,比普通三明治繞法,峰值降了15個(gè)DB,準(zhǔn)峰值降了12個(gè)DB!以前看到PI的LINK系列的電源里用到,當(dāng)時(shí)還不以為然!雖然整體性能有所提升,但損耗和轉(zhuǎn)換在變壓器內(nèi)部,所以變壓器的損耗會(huì)多點(diǎn)!
營長兄臺(tái),上圖中的NC這一端是繞完了不需掛腳嗎?就是懸空的嗎?還是需要掛在初級(jí)的GND上還是HIGHT VIN 端?請(qǐng)教了。
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ballastt
LV.6
12
2011-07-16 17:04
@
營長兄臺(tái),上圖中的NC這一端是繞完了不需掛腳嗎?就是懸空的嗎?還是需要掛在初級(jí)的GND上還是HIGHTVIN端?請(qǐng)教了。

營長老弟,NC是懸空的!

不要往引腳上掛,盡量包在里面!

一般是要繞將近一層!但如果匝數(shù)太多,會(huì)產(chǎn)生高壓!注意匝比和電壓比!

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LV.1
13
2011-07-16 18:03
@ballastt
營長老弟,NC是懸空的!不要往引腳上掛,盡量包在里面!一般是要繞將近一層!但如果匝數(shù)太多,會(huì)產(chǎn)生高壓!注意匝比和電壓比!
下個(gè)禮拜去磁材中心自己纏一個(gè)變壓器實(shí)驗(yàn),有結(jié)果再告訴你
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ballastt
LV.6
14
2011-07-16 19:25
@
下個(gè)禮拜去磁材中心自己纏一個(gè)變壓器實(shí)驗(yàn),有結(jié)果再告訴你

大家好,才是真的好!

關(guān)鍵是注意同名端!

該繞組的NC端和接MOS的7腳是同名端!

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LV.1
15
2011-07-20 23:10
@ballastt
大家好,才是真的好!關(guān)鍵是注意同名端!該繞組的NC端和接MOS的7腳是同名端!
營長兄臺(tái),我還有一個(gè)疑問不能解答,為什么NC繞組不直接用銅箔代替呢?請(qǐng)賜教。。謝謝。。
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ballastt
LV.6
16
2011-07-21 08:31
@
營長兄臺(tái),我還有一個(gè)疑問不能解答,為什么NC繞組不直接用銅箔代替呢?請(qǐng)賜教。。謝謝。。

     個(gè)人感覺用繞組會(huì)產(chǎn)生一定的電動(dòng)勢(shì),幫助吸收的作用!但銅箔的面積大,耦合參數(shù)會(huì)更大!

具體的還得靠試驗(yàn)驗(yàn)證!希望不會(huì)誤導(dǎo)你!

 

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dengyuan
LV.8
17
2011-07-21 09:57
@
營長兄臺(tái),我還有一個(gè)疑問不能解答,為什么NC繞組不直接用銅箔代替呢?請(qǐng)賜教。。謝謝。。

銅皮再生產(chǎn)變壓器是工藝比較困難,費(fèi)人工,效率低

好處是一次就可以搞定

繞組要反復(fù)測(cè)試才能找到最佳的匝數(shù)和股數(shù),費(fèi)開發(fā)工時(shí)和測(cè)試費(fèi)。

如果量大建議用繞組。

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