1： 與硅技術(shù)相比GaN技術(shù)有什么優(yōu)勢(shì)？
 與硅或碳化硅相比，氮化鎵（GaN）是一種具有更高電氣性能的半導(dǎo)體產(chǎn)品。采用氮化鎵的器件將具有更低的導(dǎo)通損耗（更低的Rds(on)）和更高的頻率響應(yīng)性能。GaN還具有更高的擊穿電壓，而且隨著擊穿電壓的升高，Rds(on)阻值增加幅度也沒(méi)有硅或碳化硅那么大。所有這些屬性意味著與相同性能的硅或碳化硅器件相比，GaN器件體積更小，而且成本也會(huì)很快變得更低。

   2:GaN器件有何競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)？
       已推出增強(qiáng)型（通常是在關(guān)閉狀態(tài)）的功率GaN晶體管（eGaN： enhancement mode gallium nitride）。這些器件的性能就像功率MOSFET和IGBT一樣，但在相同尺寸條件下具有更好的功率和頻率特性，導(dǎo)通電阻Rds(on)的范圍從4mΩ?100mΩ。擊穿電壓范圍可以從40V?200V，并且還將于2011年12月推出擊穿電壓為400V和600V的產(chǎn)品。隨著擊穿電壓的提高，這些優(yōu)勢(shì)將越來(lái)越明顯。由于GaN不像MOSFET那樣有寄生PN二極管，也沒(méi)有功率MOSFET中存在的反向恢復(fù)問(wèn)題，eGaN是利用多數(shù)載流子提供反向二極管特性，因此不會(huì)產(chǎn)生使用功率MOSFET時(shí)出現(xiàn)的反向恢復(fù)損耗。

   3:eGaN產(chǎn)品的最佳應(yīng)用是什么？
eGaN可以工作在很高的頻率，因此可以應(yīng)用于約1GHz以下的射頻市場(chǎng)。EPC的eGaN器件可在具有相同額定值的功率MOSFET應(yīng)用時(shí)使用。用于計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換器、以太網(wǎng)供電（PoE）、D類音響和LED照明，我們eGaN即將面世的產(chǎn)品也將首先應(yīng)用在這些領(lǐng)域。

  4: 為什么說(shuō)eGaN能夠取代功率MOSFET和IGBT？
 設(shè)計(jì)師在決定改用新技術(shù)之前需要考慮四個(gè)關(guān)鍵因素：一是新技術(shù)能否支持老技術(shù)無(wú)法支持的應(yīng)用？二是新技術(shù)是否容易使用？三是新技術(shù)是否能夠大幅降低最終產(chǎn)品成本？四是新技術(shù)是否絕對(duì)可靠？如果將EPC的eGaN產(chǎn)品用于最高性能的功率MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域，那么對(duì)這些問(wèn)題的回答都將是“肯定的”。 eGaN的使用方式與MOSFET非常相似. EPC器件都是采用倒裝工藝，為什么不采用像MOSFET那樣的傳統(tǒng)封裝？
 為了實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的封裝，需要做到：保護(hù)器件免受環(huán)境干擾、具有低的寄生參數(shù)、高效地散熱。EPC器件已經(jīng)在晶圓處理過(guò)程中做了封裝，因此不需要額外封裝就能保護(hù)器件不受環(huán)境干擾。與傳統(tǒng)封裝的晶體管相比，設(shè)計(jì)師可以充分發(fā)揮更小、具更低寄生電感和電阻EPC的eGaN器件。此外，我們的eGaN還是一種雙面冷卻型器件，允許從電路板上散發(fā)熱量.

目前氮化鎵功率管的代表企業(yè)有EPC（efficient power conversion)等.