關(guān)鍵詞:IGBT
樓主,想討論啥呢?
難道這就是慢降過流保護?
沒看懂什么意思
這只是原理圖而已,實際運用還得以實際用來計算的,1K改為10歐姆
呵呵。。IGBT導(dǎo)通的時候壓降很低。D2導(dǎo)通。。
反之。。。IGBT過流的時候壓會增大。D2截止。。C被充電。。
關(guān)鍵詞:IGBT 導(dǎo)通
在書上看到的與你講的確相反,到底是你講得對呢還是出書的專家搞錯了。能不能有更好的方法呢
D3多少V的呀?
IGBT壓降有你們大嗎? D1+D3+VQ1_BE至少等于2.1V左右哦
嗯差不多
沒用過IGBT,學(xué)習(xí)了
看來以后得注意了
慢關(guān)斷適合在帶感性負載的場合,如用于電阻性負載就不要太迷戀慢關(guān)斷;
慢關(guān)斷保護對關(guān)斷時間也有要求,關(guān)斷期間損耗不能超過IGBT的安全工作區(qū)域,所以針對不同IGBT要有不同參數(shù)搭配。
是呀,那D3呢?
最低的穩(wěn)壓管也有1.2V吧,那就是哦0.7+1.2+0.7=2.6V了哦
IGBT功耗好大哦
D3設(shè)為1。2V是不行的
那得多少?
樓主,你還是把原文貼出來吧
D1和R1之間的電壓為V。=Vce+D1開通壓降+2V;ZD1的穩(wěn)壓值則比V。高2V左右;D1一旦被反偏截止,ZD1就會被擊穿,Q2才得以開通。自己計算一下就出來了.Vce是IGBT的飽和壓降的電壓。