一同期待……

個人理解：

1、加氣息實際是減小有效磁導率，

2、B=UH,H=0.4PINIP/LE，在反激變壓器中，如果參數(shù)都已確定，那么在工作中變化的就只有峰值電流IP了，你知道CCM和DCM的電流波形是什么樣子。那你就知道B-H曲線是什么樣子了噻（注意：峰值電流為0的時候，B不等于零而是等于BR）

具體的可以看看趙修科老師的《開關(guān)電源中的磁性元器件設(shè)計》

謝謝

①外加的伏秒值、匝數(shù)、磁芯面積決定了交變磁通量；

VTon(n) + Np + Ae → △B

②直流平均電流值、匝數(shù)、磁路長度決定了直流磁場強度；

         Idc + Np + Le（lg） → Hdc

③加氣隙和不加氣隙，磁芯飽和磁感應強度是一樣的；但加氣隙的磁芯能顯著

減小剩磁Br，另外，加氣隙可以承受大的多的直流電流；

上述分析中（見開關(guān)電源手冊），居然沒有LP、IP，與LP等無關(guān)嗎？

電感量Lp可是決定了流過繞組中（交/直）電流的大小，經(jīng)典教材是不會出錯的。

換句話說，CCM模式反激變換，必須分別計算交流磁感應強度和直流磁感應強度。很抱歉，公式粘貼不上來。單純?nèi)パ芯看判局械哪骋粋€量，好像沒有太多的實際意義啊。

個人觀點：設(shè)計CCM模式反激變壓器時，一定要分別計算交、直流磁感應強度的大小，也就是 “單獨" 去計算NP、LP

（影響直流B的量很復雜，LP決定IP、IDC的大?。↖P與交流B無關(guān)），IDC決定氣隙的大小，固定的NP、氣隙決定LP）

更嚴謹分析的話，VIN、匝數(shù)比N同樣決定IDC。所以計算之前我們必須首先確認哪些是已知量（例如VIN、AE、LE），哪些是可變量（例如IDC、氣隙），否則一環(huán)扣一環(huán)，計算全亂套了。

（交流B很簡單，它只與VIN、TON、NP有關(guān)，先不考慮AE，由于DCM反激變壓器中沒有IDC，所以設(shè)計非常簡單）