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反激電路的磁學(xué)疑問(wèn),求解!

這段時(shí)間在學(xué)習(xí)反激,有兩個(gè)疑問(wèn),求教各位老師...

1.都知道反激變壓器為防止飽和開(kāi)氣隙增加磁阻,我想弄明白的是這個(gè)磁阻和變壓器飽和之間理論上的關(guān)系是怎樣的?另開(kāi)氣隙后的變壓器磁阻數(shù)據(jù)是怎樣得來(lái)?因?yàn)閾?jù)我所知計(jì)算鐵損磁阻好像是一個(gè)必要參數(shù),就以磁材的數(shù)據(jù)表上的嗎?但開(kāi)氣隙的那一段空氣磁阻呢?

2.CCM和DCM兩種模式的磁滯曲線區(qū)別在哪里?

請(qǐng)各位老師在百忙中不吝賜教,謝謝!

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mark jia
LV.8
2
2011-05-21 07:29
期待中
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2011-05-21 07:33
@mark jia
期待中

一同期待……

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LV.1
4
2011-05-21 08:49

個(gè)人理解:

1、加氣息實(shí)際是減小有效磁導(dǎo)率,

2、B=UH,H=0.4PINIP/LE,在反激變壓器中,如果參數(shù)都已確定,那么在工作中變化的就只有峰值電流IP了,你知道CCM和DCM的電流波形是什么樣子。那你就知道B-H曲線是什么樣子了噻(注意:峰值電流為0的時(shí)候,B不等于零而是等于BR)

具體的可以看看趙修科老師的《開(kāi)關(guān)電源中的磁性元器件設(shè)計(jì)》

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yh.zy
LV.2
5
2011-05-21 10:10
@
個(gè)人理解:1、加氣息實(shí)際是減小有效磁導(dǎo)率,2、B=UH,H=0.4PINIP/LE,在反激變壓器中,如果參數(shù)都已確定,那么在工作中變化的就只有峰值電流IP了,你知道CCM和DCM的電流波形是什么樣子。那你就知道B-H曲線是什么樣子了噻(注意:峰值電流為0的時(shí)候,B不等于零而是等于BR)具體的可以看看趙修科老師的《開(kāi)關(guān)電源中的磁性元器件設(shè)計(jì)》

謝謝

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小凡凡
LV.7
6
2011-05-21 11:14

①外加的伏秒值、匝數(shù)、磁芯面積決定了交變磁通量;

VTon(n) + Np + Ae → △B

②直流平均電流值、匝數(shù)、磁路長(zhǎng)度決定了直流磁場(chǎng)強(qiáng)度;

         Idc + Np + Lelg) → Hdc

③加氣隙和不加氣隙,磁芯飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度是一樣的;但加氣隙的磁芯能顯著

減小剩磁Br,另外,加氣隙可以承受大的多的直流電流;

 

上述分析中(見(jiàn)開(kāi)關(guān)電源手冊(cè)),居然沒(méi)有LP、IP,與LP等無(wú)關(guān)嗎?

電感量Lp可是決定了流過(guò)繞組中(交/直)電流的大小,經(jīng)典教材是不會(huì)出錯(cuò)的。

 

換句話說(shuō),CCM模式反激變換,必須分別計(jì)算交流磁感應(yīng)強(qiáng)度和直流磁感應(yīng)強(qiáng)度。很抱歉,公式粘貼不上來(lái)。單純?nèi)パ芯看判局械哪骋粋€(gè)量,好像沒(méi)有太多的實(shí)際意義啊。

個(gè)人觀點(diǎn):設(shè)計(jì)CCM模式反激變壓器時(shí),一定要分別計(jì)算交、直流磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,也就是 “單獨(dú)" 去計(jì)算NP、LP

(影響直流B的量很復(fù)雜,LP決定IP、IDC的大?。↖P與交流B無(wú)關(guān)),IDC決定氣隙的大小,固定的NP、氣隙決定LP)

更嚴(yán)謹(jǐn)分析的話,VIN、匝數(shù)比N同樣決定IDC。所以計(jì)算之前我們必須首先確認(rèn)哪些是已知量(例如VIN、AE、LE),哪些是可變量(例如IDC、氣隙),否則一環(huán)扣一環(huán),計(jì)算全亂套了。

(交流B很簡(jiǎn)單,它只與VIN、TON、NP有關(guān),先不考慮AE,由于DCM反激變壓器中沒(méi)有IDC,所以設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單)

 

 

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